0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

意法半导体CEO:计划2023年投资40亿美元增加碳化硅产能

qq876811522 来源:中国电子报、电子信息产 2023-02-06 16:25 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

近日,作为当前车规级碳化硅功率器件市场的主要玩家,意法半导体总裁兼CEO让-马克·奇瑞(Jean-Marc Chery)公开表示,将投资约40亿美元,用于扩产300mm晶圆厂和增加碳化硅制造能力,包括实施基板计划。

据了解,意法半导体目前已经与二十家车企达成合作,向其供应碳化硅MOSFET,自意法半导体开始量产碳化硅产品以来,车规碳化硅器件出货量已超过1亿颗。其2022年第四季度的财报显示,汽车和动力分立产品的营业利润增长了117.9%,达到4.702亿美元,营业利润率达到27.7%。

“在2023年,意法半导体将继续执行原战略,重点关注汽车和工业,计划投资约40亿美元,主要是增加300mm晶圆制造厂和碳化硅生产能力,包括我们的基板计划。另外,基于强劲的客户需求和增加的制造能力,意法半导体2023年全年净收入在168亿美元至178亿美元之间,同比增长4%至10%。” 让-马克·奇瑞指出。

技术方面,意法半导体与Soitec就碳化硅晶圆制造技术合作达成协议。意法半导体希望通过此次合作,使其未来200mm晶圆生产可以采用Soitec的Smart碳化硅技术。意法半导体汽车与分立产品部总裁Marco Monti指出,技术合作旨在不断提高产量和质量。Soitec的Smart碳化硅是该公司专有的SmartCut工艺在碳化硅上的应用,其要义是将碳化硅供体晶圆切成薄片并键合到低电阻多晶碳化硅处理晶圆上。高质量的供体晶圆是可重复使用的,从而减少了整个制造过程中所需的能源消耗。

在扩产方面,意法半导体表示,未来五年内投资金额约为7.3亿欧元(约7.9亿美元),其中通过在意大利建设的年产超过37万片的衬底项目,实现40%碳化硅衬底的自主供应以及从衬底到晶圆制造的全产业链布局。

产品方面,12月14日,意法半导体发布了新的碳化硅功率模块,可提高电动汽车性能和续航里程。现该功率模块已用于现代汽车公司的E-GMP电动汽车平台,以及共享该平台的起亚EV6等多款车型。

审核编辑 :李倩

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 意法半导体
    +关注

    关注

    31

    文章

    3331

    浏览量

    111079
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3305

    浏览量

    51711

原文标题:意法半导体CEO:计划2023年投资40亿美元增加碳化硅产能

文章出处:【微信号:汽车半导体情报局,微信公众号:汽车半导体情报局】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    激光干涉碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的精度提升策略

    提供理论与技术支持。 引言 随着碳化硅半导体产业的蓬勃发展,对碳化硅衬底质量要求日益严苛,晶圆总厚度变化(TTV)作为关键质量指标,其精确测量至关重要。激光干涉
    的头像 发表于 08-12 13:20 676次阅读
    激光干涉<b class='flag-5'>法</b>在<b class='flag-5'>碳化硅</b>衬底 TTV 厚度测量中的精度提升策略

    基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用

    基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用 一、引言 在电力电子技术飞速发展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 凭借其卓越的性能,成为推动高效能电力转换的关键器件
    的头像 发表于 06-10 08:38 741次阅读
    基本<b class='flag-5'>半导体</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用

    国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

    SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮:国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC碳化硅功率半导体企业的崛起与技术突
    的头像 发表于 06-07 06:17 768次阅读

    碳化硅功率器件有哪些特点

    随着全球对绿色能源和高效能电子设备的需求不断增加,宽禁带半导体材料逐渐进入了人们的视野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到广泛关注。碳化硅功率器件在电力电子、可再生能源以及电动
    的头像 发表于 04-21 17:55 992次阅读

    半导体与重庆邮电大学达成战略合作

    日前,服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司半导体(ST)与重庆邮电大学在重庆安
    的头像 发表于 03-21 09:39 1273次阅读

    合资工厂通线启示:国产自主品牌碳化硅功率半导体的自强之路

    近日,三安光电与半导体在重庆合资设立的安半导体碳化硅
    的头像 发表于 03-01 16:11 948次阅读

    三安重庆8英寸碳化硅项目正式通线 将在2025四季度实现批量生产

    后每周可以生产约1万片车规级晶圆。       安半导体有限公司成立于20238月,由三安光电(股权占比51%)与
    的头像 发表于 02-27 18:45 4236次阅读

    三安光电与半导体重庆8英寸碳化硅项目通线

    三安光电和半导体20236月共同宣布在重庆成立8英寸碳化硅晶圆合资制造厂(安
    的头像 发表于 02-27 18:12 1508次阅读

    碳化硅半导体中的作用

    碳化硅(SiC)在半导体中扮演着至关重要的角色,其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅半导体中的主要作
    的头像 发表于 01-23 17:09 2423次阅读

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半导体
    发表于 01-22 10:43

    投资16.2亿美元!印度建首座碳化硅晶圆厂

    。这项雄心勃勃的项目投资额为 1400 亿印度卢比(16.2 亿美元),将专注于生产碳化硅 (SiC) 芯片,这是推动节能技术发展的关键组件
    的头像 发表于 01-16 17:06 672次阅读
    <b class='flag-5'>投资</b>16.2<b class='flag-5'>亿</b><b class='flag-5'>美元</b>!印度建首座<b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆厂

    半导体STGAP3S系列电隔离栅极驱动器概述

    半导体的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了
    的头像 发表于 01-09 14:48 1172次阅读

    安森美在碳化硅半导体生产中的优势

    此前的文章“粉末纯度、SiC晶锭一致性……SiC制造都有哪些挑战”中,我们讨论了宽禁带半导体基础知识及碳化硅制造挑战,本文为白皮书第二部分,将重点介绍碳化硅生态系统的不断演进及安森美(onsemi)在
    的头像 发表于 01-07 10:18 839次阅读

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    氧化层?如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?”让我们一起跟随基本半导体市场部总监魏炜老师的讲解,揭开这一技术领域的神秘面纱。
    发表于 01-04 12:37

    安森美1.15亿美元收购Qorvo碳化硅JFET技术业务

    近日,安森美半导体公司宣布了一项重要的收购计划,以1.15亿美元现金收购Qorvo的碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务及其子
    的头像 发表于 12-11 10:00 901次阅读