0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

如何用等效密度NV SRAM模块替换DS1213智能插座

星星科技指导员 来源:ADI 作者:ADI 2023-01-12 16:11 次阅读

DS1213 SmartSocket产品已达到使用寿命,可使用引脚兼容、等效密度的5V NV SRAM模块产品进行更换。使用该替换模块产品,客户将安装完整的一体式内存解决方案。

介绍

DS1213 SmartSocket产品已达到使用寿命,可使用引脚兼容、等效密度的5V NV SRAM模块产品进行更换。使用该替换模块产品,客户将安装完整的一体式内存解决方案,保证提供至少 10 年的数据保留寿命。更换产品可轻松将基于智能插座的等效配置的使用寿命延长一倍。

更换决定

随着任何密度的PDIP SRAM产量的减少,寻找兼容存储芯片的采购问题可能会加速确定替代产品的决定。DS12xx系列NV SRAM模块包括一个非常低功耗的SRAM元件,消除了过去的双元件采购要求。这些模块的“AB”版本允许±5%的工作电源容差,与之前配备DS1213的安装的电气特性相匹配。

在现有应用中,DS1213智能插座和某些版本的客户采购SRAM提供非易失性存储器阵列,用于在没有外部电源的情况下存储数据。SRAM规范将是一个很好的参考,用于确定两个更换标准,这两个标准将决定购买哪种速度等级的模块:存储器密度和基于存储器性能的信息

客户应首先研究当前安装的内存配置,然后参阅表1以获取适当的更换组件。

智能插座 SRAM 密度/配置 嵌入式替换 NV SRAM 模块
DS1213B 16kb/2k x 8 DS1220AB*
64kb/8k x 8 DS1225AB
256kb/32k x 8 DS1230AB
DS1213C 256kb/32k x 8 DS1230AB
DS1213D 256kb/32k x 8 DS1230AB*
1兆字节/128k x 8 DS1245AB
4兆字节/512k x 8 DS1250AB
*注意:需要用户修改 PCB。参见图 1 或图 2。

从SRAM标记和/或规格中,应该有一些关于该存储器的功能读取访问时间的指示。此参数通常由零件号的数字扩展名指定;它注释了可以从组件中读取数据的最长时间(以纳秒为单位)(例如:-55、-70、-100、-120 等)。一些制造商会截断其品牌信息上的速度等级信息,因此电气规格将是最全面的参考文档。

DS1213智能插座出厂时设置为5V±5%的电源容差,写保护低于4.75V。DS12xx系列NV SRAM模块的等效电源容差具有AB后缀,如表1所示。在一些罕见的应用中,DS1213智能插座可能经过修改,使用5V±10%容差。在这些应用中,更换的部件号与DS12xx器件号相同,后缀为“AD”。

DS1213智能插座的额定工作温度范围为0°C至+70°C,与DS12xx系列商用温度产品相当。如果需要工业温度范围(-40°C至+85°C),则指定为“IND”的模块产品也可用于任何NV SRAM存储器密度。请参阅该特定模块产品的订购信息。

DS1213智能插座采用锡铅(SnPb 63/37)焊料制造,用于连接内部元件。如果需要,无铅(100% 雾锡)模块产品(由加号 (+) 表示)也可用于任何内存密度。请参阅该特定模块产品的订购信息。

由于内置电池,DS1213智能插座和列出的DS12xx系列NV SRAM模块都不能容忍对流回流焊接。建议使用波峰焊或手工焊接。

DS1213B与16kb SRAM的考虑

DS1213B SmartSocket有28个引脚,但DS1220存储器元件只有24个引脚。需要对PCB进行修改:跳线V抄送从迹线 28 向下到迹线 26;并隔离跟踪 26。然后,通过将新元件对齐到插座的底部(接地)端来安装DS1220模块。从主板上卸下智能插座后,执行必要的主板修改。然后将DS1220AB安装到底部(接地)端,就像SRAM先前放置在插座中一样。DS1220AB元件引脚1应与先前与SmartSocket引脚3相关的PCB走线对齐,如图1所示。

与 SmartSocket 引脚 1、2、27 和 28 对齐的原始 PCB 走线将未使用。

除了修改电路板外,还有另一种选择:安装DS1225AB存储器模块。系统将仅使用四分之一的内存阵列,但更改不那么复杂。

pYYBAGO_wNGAJlasAAAWuM6lUcE521.gif?imgver=1

图1.在 28 引脚焊盘图案上放置 24 引脚模块。(未按比例绘制。

DS1213D与256kb SRAM的考虑因素

DS1213D SmartSocket有32个引脚,但DS1230存储器元件只有28个引脚。需要对PCB进行修改:跳线V抄送从迹线 32 向下到迹线 30;并隔离跟踪 30。然后,通过将新元件对齐到插座的底端(地)端来安装DS1230模块。从主板上卸下智能插座后,执行必要的主板修改。然后将DS1230AB安装到底部(接地)端,就像SRAM先前放置在插座中一样。DS1230AB元件引脚1应与先前与SmartSocket引脚3相关的PCB走线对齐,如图2所示。

与 SmartSocket 引脚 1、2、31 和 32 对齐的原始 PCB 走线将未使用。

除了这种电路板修改之外,还有另一种选择:安装DS1245AB存储器模块。系统将仅使用四分之一的内存阵列,但更改不那么复杂。

pYYBAGO_wNOAXz87AAAWy9yycuA411.gif?imgver=1

图2.在 32 引脚焊盘图案上放置 28 引脚模块。(未按比例绘制。

审核编辑:郭婷

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    447

    文章

    47804

    浏览量

    409173
  • 存储器
    +关注

    关注

    38

    文章

    7151

    浏览量

    162002
  • 智能插座
    +关注

    关注

    5

    文章

    190

    浏览量

    27497
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    DS1213C的性能和功能进行简单的介绍

    。使用SmartSocket保存自印的SRAM / SmartSocket组合电路板空间比内存占用没有单独的区域。该SmartSocket使用RAM控制只销20和28。所有其他引脚通过直通。DS1213C的工作温度范围是0 ° C至70 ° C。
    发表于 04-14 11:02

    DS1213 SmartSocket Options

    Abstract: The DS1213 SmartSocket has a standard 5V power supply tolerance of ±5% and can be used
    发表于 04-24 09:37 31次下载

    NV SRAM Frequently Asked Quest

    such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with
    发表于 04-24 09:40 14次下载

    新一代NV SRAM技术

    新一代NV SRAM技术 第一代NV SRAM模块问世近20年来,NV
    发表于 11-26 08:24 909次阅读
    新一代<b class='flag-5'>NV</b> <b class='flag-5'>SRAM</b>技术

    How to Replace a DS1213 SmartS

    How to Replace a DS1213 SmartSocket with an Equivalent-Density NV SRAM Module Abstract: The
    发表于 03-31 08:20 978次阅读
    How to Replace a <b class='flag-5'>DS1213</b> SmartS

    DS1350 4096k非易失(NV) SRAM

      DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM
    发表于 10-21 09:01 905次阅读

    DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

      DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV
    发表于 10-21 09:06 1016次阅读

    DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

      DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM
    发表于 10-22 08:58 943次阅读
    <b class='flag-5'>DS</b>1345 1024k非易失(<b class='flag-5'>NV</b>) <b class='flag-5'>SRAM</b>

    DS1330 256k非易失(NV) SRAM

      DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV
    发表于 10-22 09:00 1444次阅读
    <b class='flag-5'>DS</b>1330 256k非易失(<b class='flag-5'>NV</b>) <b class='flag-5'>SRAM</b>

    DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

      DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM,按
    发表于 11-07 09:37 782次阅读
    <b class='flag-5'>DS</b>1265W 8Mb非易失(<b class='flag-5'>NV</b>) <b class='flag-5'>SRAM</b>

    DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

      DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每个
    发表于 11-10 09:31 709次阅读
    <b class='flag-5'>DS</b>1270W 16Mb非易失(<b class='flag-5'>NV</b>) <b class='flag-5'>SRAM</b>

    DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

      DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态NV SRAM,按照8位、262,144字排列。每个
    发表于 11-24 09:43 888次阅读
    <b class='flag-5'>DS</b>1249W 2048kb非易失(<b class='flag-5'>NV</b>) <b class='flag-5'>SRAM</b>

    DS1244,DS1244P 256k NV SRAM,带有隐含时钟

    DS1244,DS1244P具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (
    发表于 12-19 11:15 1705次阅读
    <b class='flag-5'>DS</b>1244,<b class='flag-5'>DS</b>1244P 256k <b class='flag-5'>NV</b> <b class='flag-5'>SRAM</b>,带有隐含时钟

    DS1251,DS1251P 4096k NV SRAM

    The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
    发表于 01-04 11:30 18次下载
    <b class='flag-5'>DS</b>1251,<b class='flag-5'>DS</b>1251P 4096k <b class='flag-5'>NV</b> <b class='flag-5'>SRAM</b>

    何用等效密度 NV SRAM 模块替换 DS1213 SmartSocket

    发表于 11-18 23:48 0次下载
    如<b class='flag-5'>何用</b><b class='flag-5'>等效</b><b class='flag-5'>密度</b> <b class='flag-5'>NV</b> <b class='flag-5'>SRAM</b> <b class='flag-5'>模块</b><b class='flag-5'>替换</b> <b class='flag-5'>DS1213</b> SmartSocket