串联的电阻R1到底是放在靠近IC端还是靠近MOS端？

前一段时间有个兄弟问了个问题，把我问住了，问题是这个：

如上图，串联的电阻R1到底是放在靠近IC端，还是靠近MOS端？（注意，图中的L1是走线寄生电感，并不是这里放了个电感器件）

我们具体沟通的情况是这样的：

这位兄弟说大部分工程师和IC原厂都是这么做的，但是没有说为什么，我当时也不清楚。但是这个问题确实是个好问题，现实中的确存在。

任何一个问题都是提升技术的机会，所以，我记了下来，然后花时间看了看。

在这之前，为了让所有兄弟都能跟上节奏，那必须先得搞清楚这个串联的电阻是干什么用的。

简单说，这个串联的电阻就是抑制振荡用的，具体怎么回事，我以前专门写过文章，不知道的可以去瞅瞅——“LC串联谐振的意义-MOS管栅极电阻”

真实情况如何

首先，这位兄弟说大部分都是放靠近MOS端。关于这一点，我先去求证了下，看实际情况是否真是如此？

一般这种驱动MOS的电路，开关电源和电机驱动居多，因此，我就去找了这两类IC的厂商，去看看它们的demo板是怎么Layout的。

1、TI的无刷电机驱动芯片DRV8300的demo板

Demo板硬件设计可以直接在Ti官网下载，如下图，可以看到，串联电阻是放置在MOS管端的。

2、Ti的POE方案TPS23753A的Demo板

原理图如下：

PCB如下图，串联电阻也是放置在靠近MOS管端。

3、 MPS的无刷电机驱动芯片MP6535。

如下图，6个MOS的栅极串联电阻R18，R19，R20，R21，R22，R23放置在中间。

从走线长度看，Q1，Q2，Q3串联的电阻离MOS较近，离驱动IC较远。Q4，Q5，Q6串联的电阻在MOS和驱动IC中间。

就上面3个例子来说，兄弟说的“大部分情况栅极串联电阻靠近MOS管放置”确实是属实的。

那我聊天记录里面说的“放源端比较好，就像高速信号的阻抗匹配放源端”，这一点又是考虑了什么呢？

是否需要考虑阻抗匹配

考虑到阻抗匹配，那就是将信号看作是高速信号，那么到底栅极驱动信号是不是高速信号呢？

一般来说，高速信号的认定规则是这样的：信号的上升沿小于6倍的传输延时。那我们大致算一下就知道是不是高速信号了。

PCB上信号传输速度为6inch/ns，也就是0.1524m/ns

以DRV8300为例子，可以从手册中看到栅极驱动信号波形，如下图的GHA就是：

上升沿大概是400ns，如果要将其看成是高速信号，那么需要满足公式：

400ns<6*L/(0.1524m)

算得L>10.16m

显然，我们的栅极走线远小于10m，所以栅极走线不用看成是高速信号线，也就说不用考虑阻抗匹配的问题，用集总参数模型分析即可。

一般情况下，我们的栅极走线长度不会超过10cm。那么当走线是10cm时，如果要将其看成是高速信号，那么对应的Tr<3.9ns。

我印象中，MOS管驱动电路，上升时间都不会这么小，所以，都是不用将其考虑成高速信号的了，也就是说从这个维度考虑，这个电阻不必放置到靠近源端IC。

放置到靠近MOS端有什么好处

既然不必放到靠近IC，那么放到靠近MOS有什么好处呢？

其实从上面两个模型看来， 对于MOS栅极来说，它们收到的信号没有任何的差别。

为什么这么说呢？因为电感和电阻始终是串联的，如果把它们看成一个整体，阻抗就是R+jwL，对于整个电路来说完全是相同的，等效为下面这个:

所以，我不觉得串联电阻靠近MOS放置有什么特别的作用。

小结

以上就是，我目前对于MOS管栅极串联电阻放在哪儿的看法。

我觉得放在哪里无所谓，靠近MOS，靠近驱动IC都行，放中间也行，重要的总的走线长度要短（这一点在很多手册中都有提到，主要为了降低走线寄生电感）。

审核编辑：刘清