Wolfspeed SiC TOLL MOSFET荣获2022年全球电子成就奖

Wolfspeed SiC TOLL MOSFET荣获 2022 年全球电子成就奖 由全球电子技术领域知名媒体集团 AspenCore 主办的 2022 全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA）颁奖典礼于近日盛大召开。

Wolfspeed新款 650V 碳化硅（SiC） TOLL 封装 MOSFETC3M0060065L荣获2022 年全球电子成就奖 - 创新产品奖（年度功率半导体/驱动器类别）。 Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 针对高性能电力电子应用优化设计，适合企业 / 服务器 / 通信电源、储能系统、电动汽车充电系统、电池管理系统、光伏逆变器和电机驱动等。Wolfspeed 碳化硅 MOSFET 比之硅基 MOSFET，导通电阻温度依赖性显著更低，从而带来更快的开关速度和更低的导通损耗，这对于实现下一代电源在高功率条件下实现更效率至关重要。

Wolfspeed 新款 650V 碳化硅 MOSFET C3M0060065L，通过工业认证，导通电阻为 60 mΩ，额定电流为 36 A。它采用 TOLL 封装，封装尺寸比之标准 TO-263-7L 封装所小 25%。它背面金属焊盘更大，可降低器件温度，从而进一步降低系统级散热需求。与此同时，它的低引线电感还意味着，在将系统向碳化硅转型时，除了可预期的系统效率优势之外，还将实现更低的开关损耗。TOLL 封装的紧凑尺寸、更低损耗、高功率耗散能力将助力实现高功率设计。

全球电子成就奖旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者，对获奖公司以及个人来说，全球电子成就奖的获得是一项崇高的荣誉，各类奖项获得提名的企业、管理者及产品均为行业领先者，充分体现了其在业界的领先地位与不凡表现。由 AspenCore 全球资深产业分析师组成的评审委员会以及来自亚洲、美洲、欧洲的网站用户群共同评选出得奖者。

审核编辑 ：李倩