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【芯闻时译】提前临冬的半导体存储行业

半导体芯科技SiSC 来源: 半导体芯科技SiSC 作者: 半导体芯科技Si 2022-10-24 17:13 次阅读
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来源:半导体芯科技编译

最近一月以来,存储芯片价格一路向下持续低迷,导致大多数终端存储器产品价格跌幅较大。据报道2022年第三季度,全球存储IC制造霸主三星电子,自2019年以来利润下滑高达32%,SK海力士和美光利润分别下滑40%和45%。同期来自IC Insight预测,全球存储IC销售排名中,台积电超越三星问鼎,三星和Intel分别位列二三。

这一轮存储芯片跌价,由多方面因素引起。首先,去年“缺芯”涨价厂商抬价囤货,以期牟利;然而今年全球的PC,智能手机等消费类电子产品需求疲软,致使下游客户以倾售库存为主,订单减少使制造端存储芯片产能过剩,进而连锁价格下跌。

储存芯片是各类半导体存储产品的核心,按产品掉电后是否保存数据,通常它分为易失性存储和非易失性存储。易失性存储以RAM(随机读写存储器)为主,包括动态随机存储DRAM、静态随机存储SRAM,DRAM常见于我们的PC内存;非易失性存储以ROM(只读存储器)和Flash(闪存)为主,Flash分为NOR Flash和NAND Flash。NOR Flash容量小成本高;NAND Flash容量大成本低。就全球存储产品需求细分而言,NAND Flash和DRAM需求量最大,其中NAND Flah占比39%;和DRAM占比61%,NOR Flash和ROM等占比3%。

随着大数据时代来临,特别是AIIoT的融合发展,存储需求量快速增加。物联网接入设备的系统与手机、计算机等相比更简单,处理数据更少,对存储空间的要求较少,这使得NOR Flash大有用武之地。此外,存储应用的增长点已经从智能手机、平板计算机等消费类电子扩展到互联网、人工智能云计算、安防领域,技术要求也越来越高。全球范围内,美、韩两国存储器芯片厂商位据头部、技术领先。我们的NOR Flash芯片技术基本成熟,NAND Flash、DRAM芯片领域,我们仍与国际领先水平有代差。

在存储产业链中,设计环节占总成本约30%;制造环节占比40%;封测环节占比30%。除在封装环节我们已经完全实现国产以外,在设计和高端制造方面我们仍需积极追赶。

审核编辑 黄昊宇

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