碳化硅和氮化镓技术正在彻底改变汽车、工业、航空航天和国防领域的电源应用

半导体器件的最终应用领域对电源应用的硅替代品的要求越来越高：

硅 Mosfets 的开关电阻太高，无法达到 SiC（碳化硅）提供的 >99% 的转换效率。这允许在电动汽车和所有其他应用中保持电池的自主性，以减少电力电子设备产生的热量和构建的模块的整体尺寸。

由于开关频率较低，使用硅 FET 进行转换所需的磁性变压器的重量和尺寸太高，实际上，在达到并超过 2 Mhz 的 GaN 转换器中，变压器的重量和尺寸减小了许多倍达到两位数……为所有关键任务应用开辟了新的视野。

SiC 和 GaN 器件的供应使 SEMI 世界的多家厂商（意法半导体、英飞凌、Cree、ROHM、ON Semi 等）获得了技术领先和创新发展。

汽车、工业、航空航天和国防终端市场——芯片真正的“增长杠杆”——通过在其电源管理产品中应用 SiC 和 GaN 器件实现了巨大的好处，因此，传统硅 FET 器件的使用正在成为过时的。

此外，按照半导体芯片路线图，分立式 SiC 和 GaN 器件正逐渐集成到复杂的片上系统中。

那些主宰这些技术的人，有可能获得特定的发展，并因此通过这项创新获得强劲的发展！

然而，在使用这些最近推出的技术时，需要处理一些尚未解决的问题，例如高成本，尤其是低可靠性！

Eles是一家意大利公司，在向零缺陷的可靠性改进领域拥有 30 多年的经验，其 RETE（可靠性嵌入式测试工程）能够支持 SiC 和 GaN 参与者，以识别缺陷驱动因素，提出将它们从生产过程中去除的行动，以快速达到 99% 或更高的生产良率，支持降低产品成本并确保所需的可靠性水平，有助于降低终端市场的扩散障碍。

Eles 正在利用 RETE 提供的关于这些设备的资格，试验添加特定测试，能够解决各种可靠性问题并找出最关键的故障，这些故障提供有关缺陷原因的信息，有助于将其移除，保证其生产工艺符合AEC-Q101，产品零缺陷。

“通过我们的产品获得支持 SiC 和 GaN 参与者的机会，这意味着 Eles 能够充分利用该应用领域构成的开发杠杆。Eles 的总裁 Antonio Zaffarami 说：“Eles 不仅与第一批玩家合作，而且正在建立所有参考资料，以便与所有其他 SiC 和 GaN 玩家一起进入大门。”

他表示：“在过去的几年里，我们一直是产品和赛道开放技术（例如支持驾驶和自动驾驶的新型复杂 ADAS 设备）零缺陷认证和可靠性改进的主角，其中 Eles 解决方案现在是最佳实践. 现在我们想成为碳化硅和氮化镓的Qualification和TDBI的参考，所以可以说Eles RETE是以下行业的认证参考解决方案：SoC Smart Power – SoC Micro – ADAS – MEMs – Memory – SiC &氮化镓”。

审核编辑 黄昊宇