持续研发投入，陕西源杰科技助力光芯片国产化替代

为加快光芯片的国产化进程，近年来我国发布了一系列政策扶持光芯片行业发展。在此背景下，陕西源杰半导体科技股份有限公司（公司简称：源杰科技）等业内企业迎来广阔的发展空间。

目前，2.5G、10G激光器芯片市场国产化程度较高，但不同波段产品应用场景不同，工艺难度差异大，源杰科技凭借长期技术积累实现激光器光源发散角更小、抗反射光能力更强等差异化特性，为光模块厂商提供全波段、多品类产品，同时提供更低成本的集成方案，实现差异化竞争。

25G及更高速率激光器芯片市场国产化率低，源杰科技凭借核心技术及IDM模式，率先攻克技术难关、打破国外垄断，并实现25G激光器芯片系列产品的大批量供货。

纵观源杰科技的发展历程，不难发现其发展壮大的基本逻辑在于对技术研发的持续投入。2019年－2021年，源杰科技研发费用分别为1,161.92万元、1,570.47万元及1,849.39万元，持续的研发投入使得公司积累了相当丰富的核心技术并建立起全流程的业务体系。

目前，源杰科技已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。

在此基础上，源杰科技形成了“掩埋型激光器芯片制造平台”、“脊波导型激光器芯片制造平台”两大平台，积累了“高速调制激光器芯片技术”、“异质化合物半导体材料对接生长技术”、“小发散角技术”等八大技术。

两大平台积累了大量光芯片工艺制程技术和生产经验，是源杰科技已有产品生产的保障、未来产品升级及品类拓展的基础。同时，源杰科技突破技术壁垒，积累八大技术，实现激光器芯片的性能优化及成本降低。其中，优化产品性能方面，可实现激光器芯片的高速调制、高可靠性、高信噪比、高电光转换、高耦合效率、抗反射等；降低产品成本方面，可提高激光器芯片的良率，并可简化激光器芯片封装过程中对其他器件的需求，降低产品单位生产成本、下游封装环节的复杂度及对进口组件的依赖，有助于解决大规模光网络部署的供应链安全。

可以看到，源杰科技已经构建起较强的市场竞争壁垒，在未来的发展中将持续受益于行业的迅速发展，实现企业的可持续高质量发展。

审核编辑 黄昊宇