功率MOSFET重要参数

在进行功率MOSFET电路设计时需要注意的重要参数是电流、电压、功耗和热。功耗和热通常相互关联。

电流：

电流可以是rms或dc或脉冲或峰值漏极电流。RMS代表均方根，分别用在不同的场合。简单来说，如果电路中的电流不是一条直线，则使用rms值来计算功耗。但是，如果电路中的电流是直线保持不变，则使用直流值作为参考。MOS管的漏极电流也非常重要。峰值漏极电流是通常在单个脉冲或几个脉冲中指定的额定值，这与短路等瞬态条件有关。

电压：

我们这里所说的电压是指MOSFET处于关闭状态时的漏源电压电平，MOSFET对此电压电平非常敏感。

功耗：

功耗是器件的实际功耗，这是传导损耗或静态损耗与开关损耗或动态损耗的总和。规格书一般会提供了最大功耗限制。

热：

热在电路设计中非常重要，设备不能太热以免损坏它，规格书有规定的温度限制。

审核编辑：汤梓红