MOSFET重要参数及等级1-3

1、直流参数不用讲非常重要：

1.1耐压BVDSS(给流测压，一般是250uA或1mA各测试一次，这样2次差值就可以看到一个耐压比率)，

1.2IDSS(是给额定电压测试漏电流，一般测试2次，第一次给额定耐压值测电流，最后再测0.8倍额定值，再测1次电流，这2次值差值也可以看出一个漏电比率），

1.3GS极之间耐压IGSS（也是给压测流，一般是nA级别，如果带ESD保护就是uA级别漏电），

1.4开启电压VTH（是给电流测电压，一般也是250uA和1mA这2个条件下，如果有并联使用注意此参数误差不要太大），

1.5导通阻抗RDSON（是让DS极导通测试DS极间电阻，一般测试2个开启电压值时候阻抗，一般VGS=10V或VGS=4.5V时候，这两个值差值可以看出这个MOS管导通线性情况），

1.6反方向二极VFSD值（体二级管，制造时候寄生产生），

1.7跨导GFS（DS导通能电流变化能力）。

2、动态参数：

2.1雪崩EAS（主要看元件对抗感性环境能力冲击一般档位是mJ,豪焦，这个电感是是变动的，电感越小 电流越大)，

2.2 G极等效电阻和电容RG/CISS（这个参数影响MOS管开关速度，有多管匹配时候开启一致性，由次参数影响），

2.3TON/TOFF（开关时间，这个参数多MOS匹配使用时候也要注意），

2.4栅极充电电荷QG（G极电荷驱动能力），

2.5热阻DVDS封装可靠性检查（主要是利用MOS管寄生体二极管过大电流后发热，由于不同散热条件影响VF值变化，差异判断）。

3、HBV全塑封的漏电。

审核编辑 黄昊宇