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PWM控制芯片的驱动能力及工作可靠性

要长高 来源:松哥电源 作者:刘松 2022-06-23 14:47 次阅读

MOSFET应用于不同的开关电源以及电力电子系统,除了部分的应用使用专门的驱动芯片、光耦驱动器或变压器驱动器,大量的应用通常使用PWM IC或其它控制芯片直接驱动。在论述功率MOSFET的开关损耗之前,先讨论一下控制芯片的驱动能力,因为控制芯片的驱动能力直接影响功率MOSFET的开关特性,开关损耗以及工作的可靠性。

1、控制芯片内部Totem图腾柱驱动器

在PWM控制芯片及其它电源控制器的内部,集成了用于驱动功率MOSFET的Totem图腾柱驱动器,最简单的图腾柱驱动器如图1所示,由一个NPN三极管和一个PNP三极管对管组成,有时候也会用一个N沟道MOSFET的一个P沟道MOSFET对管组成,工作原理相同。

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(a) 图腾柱驱动器

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(b) 图腾柱的等效电路

图1: 图腾柱驱动器及等效电路

图1(a)的图腾柱驱动器,当输入信号为高电平时上管导通,其输出为高电平,上管通过电源提供输出电流,通常称为Source电流(源电流),由于上管导通时有导通压降,在一定的电流下对应着一定的电阻,因此这个电阻通常称为上拉电阻Rup。

当图腾柱驱动器的输入信号为低电平时下管导通,将MOSFET的G极(栅极)拉到低电位,此时下管灌入电流,通常称为Sink电流(灌电流),下管导通时有导通压降,在一定的电流下对应着一定的电阻,因此这个电阻通常称为下拉电阻Rdown。

等效的简化电路如图1(b)所示,包括一个上拉电阻Rup和一个下拉电阻Rdown。在实际的应用中,不同的控制芯片内部图腾柱驱动器可能采用不同的形式,如图2所示。UC3842采用二个NPN三极管组成,L6561采用一个NPN三极管和一个N沟道的MOSFET组成。

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(a) UC3842图腾柱驱动器

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(b) L6561图腾柱驱动器

图2:控制芯片图腾柱驱动器结构

2、控制芯片图腾柱驱动能力

通常控制芯片的驱动能力用源电流或灌电流的大小来表示,那么在这里先提出一个问题:表征驱动能力的源电流或灌电流,到底是连续电流还是脉冲电流?

Intersil的驱动器EL7104

EL7104的数据表中标称的驱动能力为:Source 4A/Sink 4A,给出了在100mA测试条件下驱动器的上拉、下拉的电阻值(典型值和最大值),同时也给出了最小的连续驱动电流值200mA,因此可以得出:4A的驱动电流能力应该为脉冲电流值。后面的峰值电流和电源电压的关系图也说明了这一点。

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EL7104的数据表容性负载的驱动特性:延时参数

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IR的驱动器IR2110

IR2110数据表中的驱动能力:源电流和灌电流都为2A,测试条件为:Vo=15V,脉冲宽度《10us,后面还给出了驱动电流随温度、驱动电压的变化曲线,但是没有内部压降随驱动电流变化的数据。

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TI的PWM控制器UC3842

UC3842分别给出了在20mA、200mA测试条件下驱动器的上拉、下拉的电阻上的压降,有典型值和最小值或最大值。后面的图表列出了在脉冲电流和连续电流条件下,输出电流和压降的关系,数据最全。

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凌利尔特PWM控制器LTC3850/LT1619

LTC3850电流模式双路PWM控制器,给了驱动器的上拉、下拉的电阻值(典型值),没有列出测试的条件。

LT1619电流模式PWM控制器,分别给出了在20mA、200mA测试条件下驱动器的上拉、下拉的电阻上的压降,有典型值和最小值或最大值。

测试电流有20mA时,VRup=0.35V,Rup=17.5Ohm;VRdown=0.1V,Rdown =5Ohm。

测试电流有200mA时,VRup=1.2V,Rup=6Ohm;VRdown=0.5V,Rdown =2.5Ohm。

从计算的结果可以得到:测试的电流越大,压降也越大,但压降和电流并不是线性的关系,这也容易理解:因为上拉和下拉电阻是等效的驱动器上管和下管的导通压降,其电流和导通压降并不是线性关系。

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安森美PFC控制器NCP1602/ NCP1608

NCP1602的驱动器,数据表中的驱动特性为:Source 500mA/Sink 800mA,测试的条件为200mA。

NCP1608的驱动器,数据表中的驱动特性为:Source 500mA/Sink 800mA,测试的条件为100mA。

二个芯片的测试条件不同,那么,NCP1608和NCP1602,哪一个的驱动能力更强呢?

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3、理解控制的驱动能力

虽然许多驱动器给出了一定的容性负载条件下的上升、下降延时时间,在实际的应用中,MOSFET具有内部的栅极电阻或外部串联栅极电阻,同时MSOFET在开关过程中不完全是一个理想的电容,会经过米勒平台区域,因此,实际的延时时间将会产生非常大的差异,数据表中的延时值只具有相当有限的参考意义。

功率MOSFET在开关过程中,在米勒平台线性区,由于VGS保持不变,相当于使用恒流源进行驱动,其它的时间段,使用恒压源进行驱动。VGS电压变化时,和时间成指数关系改变。

在VGS电压和时间成指数关系变化的时间段,控制芯片驱动器的电流并不是恒流源,那么对应的上拉、下拉电阻也随着电流的变化而变化,上拉、下拉电阻不固定,就不容易计算相应的时间以及相应的开关损耗。很多文献使用数据表中推荐的上拉、下拉电阻的典型值来计算开关损耗,从上面的分析过程可以知道:不同的芯片、不同的公司,所用的测试条件并不相同,使用数据表中推荐的上拉、下拉电阻的典型值,并不满足实际应用的条件。

建议根据实际应用过程中米勒平台的驱动电流值,选择或计算出相应的上拉、下拉电阻值作为计算开关损耗的基准,使用典型值。因为在开关过程中米勒平台的时间占主导,使用这个基准所产生的误差并不大。然后再用比例系数校核在最大的上拉、下拉电阻值时最大的开关损耗,这样就可以知道开关损耗波动的范围,从而保证系统的效率和MOSFET的温升在设计要求的规范内。

许多公司新一代的芯片有时候并没有标出上述驱动器的参数,这是因为相比于上一代,为了降低成本,必须降低器件的硅片的面积。在PWM及电源控制器中,相关的数字逻辑、基准运放所占的硅片的面积为必须功能,流过它们的电流也比较小,因此减小硅片面积的空间不大。内部的图腾驱动器由于流过较大电流,要占用较大的硅片面积,这一部分对芯片的功能影响不明显,因此降低成本最直接的方法就是减小内部图腾驱动器的硅片面积,也就是降低驱动能力,这样导致上拉、下拉的电阻增加,相应的压降也会增加。

因此对于没有标出内部驱动器的驱动参数的芯片,使用时要根据外面驱动的功率MOSFET的特性校核开关过程,要特别小心,必要的时候,使用对管组成外部的图腾驱动器,以增强驱动的能力。

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    L99MOD53XPTR STMicroelectronics L99MOD53XP 多输出驱动器

    oelectronics L99MOD53XP多输出驱动器是一款微控制器驱动型多功能执行器驱动器,用于汽车应用。使用5个半桥和3个高侧驱动器可以驱动多达3个直流电机和3个接地电阻性负载。集成SPI可控制所有工作模式(正向、反向、制动和高阻抗)。此外,所有诊断信息均可通过SPI读取获得。 特性 符合AEC-Q100标准 三个半桥,用于0.75A负载 (RDSon = 1600mΩ) 两个可配置的高侧驱动器,用于高达1.5A负载 (RDSon = 500mΩ) 或0.35A负载 (RDSon = 1800mΩ) 一个全桥,用于6A负载 (RDSon = 150mΩ) 一个高侧驱动器,用于6A负载 (RDSon = 100mΩ) 借助可编程软启动功能驱动负载,具有较高浪涌电流(即电流> 6A、> 1.5A) 待机模式下非常低的电流消耗(IS < 6μA(典型值);Tj ≤85°C) 对所有输出进行短路保护 针对高侧OUT1、OUT4、OUT5和OUT8的电流监控器输出 对所有输出进行过温保护 针对所有输出的开...
    发表于 10-29 15:06 232次 阅读
    L99MOD53XPTR STMicroelectronics L99MOD53XP 多输出驱动器

    LED1202JR STMicroelectronics LED1202 12通道LED驱动器

    oelectronics LED1202 12通道LED驱动器可确保5V输出能力,各通道能够提供高达20mA的电流。8位模拟和12位数字调光控制通过输出电流分别调节每个通道。通过较长的开启和关闭时间改善了系统的低噪声发生性能。另外,相移功能有助于降低浪涌电流。内部寄存器可以存储8种模式,用于自动排序且无需MCU干预。 LED1202驱动器支持的模式序列还可针对持续时间和重复次数进行配置。该器件还为多器件应用中的共享定时同步提供了一个公共时钟域。LED1202的其他特性还包括热关断和LED开路检测。 LED1202 I²C...
    发表于 10-29 12:28 217次 阅读

    L99MOD50XPTR STMicroelectronics L99MOD50XP多输出驱动器

    oelectronics L99MOD50XP多输出驱动器是一款微控制器驱动型多功能执行器驱动器,用于汽车应用。使用6个半桥和5个高侧驱动器可以驱动多达5个直流电机和5个接地电阻性负载。集成SPI可控制所有工作模式(正向、反向、制动和高阻抗)。此外,所有诊断信息均可通过SPI读取获得。 特性 符合AEC-Q100标准 两个半桥,用于6A负载 (RDSon = 150mΩ) 两个半桥,用于3A负载 (RDSon = 300mΩ) 两个半桥,用于0.75A负载 (RDSon = 1600mΩ) 一个高侧驱动器,用于6A负载 (RDSon = 90mΩ) 两个可配置的高侧驱动器,用于高达1.5A负载 (RDSon = 500mΩ) 或0.4A负载 (RDSon = 1800mΩ) 两个高侧驱动器,用于0.5A负载 (RDSon = 1600mΩ) 借助可编程软启动功能驱动负载,用较高浪涌电流作为电流限制值 待机模式下电流消耗极低(IS < 6μA(典型值);Tj ≤85°C;ICC < 5μA(典型值);Tj ≤85°C) ...
    发表于 10-29 12:06 163次 阅读
    L99MOD50XPTR STMicroelectronics L99MOD50XP多输出驱动器

    MAX25610AAUE+ Maxim Integrated MAX25610x降压和降压升压LED驱动器

    Integrated MAX25610x同步降压和降压-升压LED驱动器可提供恒定输出电流,以驱动大功率发光二极管。该驱动器适用于需要高压输入的汽车和工业照明应用。这些驱动器集成了两个60mΩ功率MOSFET,可实现同步操作,从而最大限度减少了外部元件数量。该器件的灵活配置支持降压、反相降压-升压和升压转换。这些LED驱动器采用电流模式控制,可提供快速瞬态响应,并轻松实现环路稳定。Maxim MAX25610x驱动器还可以用作直流-直流转换器,使用FB输入作为输出分压器的反馈。 特性 符合汽车类AEC-Q100标准 高度集成,最大限度减少了物料需求 输入电压范围:5V至36V 工作频率:400kHz 开关频率选项:2.2MHz 内部电流检测选项 集成高侧和低侧开关MOSFET 带模拟控制电压的脉冲宽度调制 (PVM) 调光 降压LED驱动器,用于1至2个LED 反相降压-升压LED驱动器,用于3至5个LED 工作温度范围:-40°C至+125°C 短路、过压和热保...
    发表于 10-28 15:05 209次 阅读
    MAX25610AAUE+ Maxim Integrated MAX25610x降压和降压升压LED驱动器

    led灯驱动器输出电压

    半导体 L99LD01 高效恒流 LED 驱动器是一款完整的恒流直流-直流转换器 LED 驱动器,适用于汽车应用。它采用 BCD5S 70V 技术制造,并以 LQFP32 封装形式组装。L99LD01 用于升压、降压-升压和反激式转换器拓扑。一个内部随机抖动振荡器在低频模式下工作,扩大了开关频率的射频频谱,从而降低 EMC。 该装置包括内部低跌落电压调节器,可用于提供微控制器和复位引脚,用于在启动时和每次被调节的输出电压降到既定电压阈值以下时重置微控制器。 特性 合格汽车 [医]恒流操作 电流LED可由外部传感电阻器设置,并可通过SPI调节 转换器开关频率可调节的外部电阻(RSF) 内部扩频抖动振荡器的EMC降低 低频率PWM调光操作。 当前最大输入限制 最大开关占空比限制器 由外部电阻(R9)调节的斜率补偿) 电池过电压关闭保护(EXT。 需要R3,R4电阻) 链式OV检测(R5,R6外) 用于监测和控制LED温度(需要外部NTC电阻)、L...
    发表于 10-28 14:58 190次 阅读
    led灯驱动器输出电压

    MAX25612BATP/VY+ MaximIntegrated MAX25612高压LED控制器

    MAX25612高压LED控制器是一款单通道高亮度LED (HB LED) 驱动器,适用于汽车前灯应用。这些应用包括远光灯、近光灯、日间行车灯 (DRL)、转向指示灯、雾灯和其他LED灯。该器件的输入电压范围为5V至48V,可以驱动一个LED灯串,最大输出电压为65V。MAX25612是完全同步型器件,适合需要同步整流的升压和降压-升压应用,可提供大于90%的效率。 MAX25612可检测LED灯串高侧的输出电流。需要进行高侧电流检测,以防止输出端到接地或电池输入端发生短路。该器件也是用于驱动LED的最灵活方案,支持升压、高侧降压或降压-升压模式配置。PWM输入提供高达5000:1的LED调光比,ICTRL输入在MAX25612中提供额外的模拟调光功能。MAX25612还包括一个FLT标志,用于指示灯串开路、灯串短路和热关断。MAX25612还支持内置扩频调制,以提高电磁兼容性能。 特性 集成度高,可最大限度地减少BOM、降低成本 +5.0V至+48V的宽输入电压范围和+65V的最大升压输出 集成pMOS调光FET驱动器 用于模拟调光的ICT...
    发表于 10-28 14:57 247次 阅读
    MAX25612BATP/VY+ MaximIntegrated MAX25612高压LED控制器

    ALED1642GWXTTR STMicroelectronics ALED1642GW LED 显示驱动器

    oelectronics ALED1642GW LED 显示驱动器是单片低压低电流 16 位移位寄存器,用于 LED 面板显示屏。ALED1642GW 可确保 20V 的输出驱动能力,用户可以以串联方式连接若干个 LED。在输出阶段,16 个稳压电流源提供从 3mA 到 40mA 的恒定电流以驱动 LED。电流通过外部电阻器进行设定,并可以由一个 7 位电流增益寄存器在两个子范围间进行调整。各通道亮度可通过 12/16 位灰阶控制分别进行调整。可编程的开关时间(有四个不同值可用)改善了系统低噪声发生性能。 特性 16个恒定电流输出通道 输出电流3mA至40mA 电流可编程通过外部电阻 两个范围内的7位全局电流增益调整 12/16位PWM灰度亮度控制 可编程输出开启/关闭时间 错误检测模式(打开和短路-LED) 可编程短路LED检测阈值 自动节电/自动唤醒 可选择的SDO同步在CLK下降边缘 拉杜尔输出延迟(可选) 3V到5.5V供电电压 热停机和超温报警 高达30MH...
    发表于 10-28 09:26 284次 阅读
    ALED1642GWXTTR STMicroelectronics ALED1642GW LED 显示驱动器

    LED8102SXTTR STMicroelectronics LED8102S LED阵列驱动器

    oelectronics ALED8102S LED阵列驱动器是一款单片、低电压、led驱动器,具有8个低侧通道。ALED8102S设计用于提供高达20V输出驱动能力,支持连接多个串联LED。八个稳压电流源提供5mA至100mA恒定电流来驱动LED。通过一个外部电阻器设置电流。 LED8102S具有热管理功能,可强制关断以保护器件(通常在+170°C时关断,15°C滞后重启)。热保护开关仅关闭输出通道。 工作电源电压范围为3.0V至5.5V。输出控制由四个开关输入提供,实现开/关切换操作。在所有有源输出LED上,可通过应用到输出使能引脚 (OE) 上的全局PWM信号调整亮度。输出可并联,或者不使用时不连接。 LED8102S LED驱动器采用14引脚高热效率薄型微缩小外形封装 (HTTSSOP)。 特性 8个恒定电流输出通道,由4个开关输入控制 输出电流:5mA至100mA 电流可通过外部电阻器编程 电源电压:3.0V至5.5V 20V电流发生器额定电压 热关断 工作结温范围:-40°C至+150°C ...
    发表于 10-21 10:45 251次 阅读
    LED8102SXTTR STMicroelectronics LED8102S LED阵列驱动器

    STSPIN32F0251TR STMicroelectronics STSPIN32F025x250V三相控制器

    oelectronics STSPIN32F025x 250V三相控制器是高度集成的解决方案,用于驱动三相应用。由于集成度高,因此有助于设计人员减少PCB占位和总体物料清单。STSPIN32F025x内置STM32F031x6x7 MCU(采用Arm® 32位Cortex®-M0 CPU)和250V三路半桥栅极驱动器。半桥栅极驱动器可驱动N通道功率MOSFET或IGBT。该器件集成了具有高级smartSD功能的比较器,可确保快速有效地防止过载和过流。下部和上部驱动部分还集成了高压自举二极管,以及防交叉传导、死区时间和UVLO保护。这些特性可防止电源开关在低效率或危险条件下运行。低侧和高侧部分之间的匹配延迟可确保无周期失真。集成的MCU可以执行FOC、6步无传感器以及其他高级驱动算法(包括速度控制回路)。 特性 三相栅极驱动器 高达250V高压轨 驱动器电流能力 200mA/350mA拉/灌电流 (STSPIN32F0251) 1.0A/0.85A拉/灌电流 (STSPIN32F0252) dV/dt瞬态抑制:±50V/ns ...
    发表于 10-21 10:41 222次 阅读
    STSPIN32F0251TR STMicroelectronics STSPIN32F025x250V三相控制器

    STGAP2HSMTR STMicroelectronics STGAP2HS4A 单通道栅极驱动器

    oelectronics STGAP2HS 4A单通道栅极驱动器在栅极驱动通道、低电压控制和接口电路之间提供电流隔离。STGAP2HS适合用于中等功率和大功率应用,例如工业应用中的电源转换和电机驱动器逆变器,具有4A能力和轨到轨输出。 STM STGAP2HS单通道栅极驱动器有两种不同配置,一种具有独立的输出引脚,另一种具有单输出引脚和米勒钳位功能。借助独立输出引脚的配置,可通过专用栅极电阻分别优化导通和关断。单输出引脚和米勒钳位功能配置可防止半桥拓扑中快速换向时的栅极尖峰。两种配置均为外部元件提供较高的灵活性,降低物料清单成本。 STGAP2HS集成UVLO和热关断保护功能,可简化高可靠性系统的设计。双输入引脚支持选择信号极性控制和实施HW互锁保护,可在控制器发生故障时避免交叉传导。 STGAP2HS 4A单通道栅极驱动器采用宽体SO-8W封装。 特性 高达1200V高压轨 驱动器电流能力:4A拉电流/灌电流(25°C时) dV/dt瞬变抗扰性:±100V/ns,全温度范围内 整体输入-输出传播延迟:75ns ...
    发表于 10-21 10:30 201次 阅读

    STEVAL-LLL004V1 STMicroelectronics STEVALLLL004V1 LED驱动器

    oelectronics STEVAL-LLL004V1 LED驱动器是一款数控恒流LED驱动器。PFC级和两个直流-直流转换器设计用于在转换模式下工作以优化效率。该LED驱动器可提供75W的输出功率。 通过模拟和数字方法,该驱动器可以将LED调暗至最高亮度水平的0.5%。通过任何一种调光技术,该操作在整个调光范围内均无闪烁。该电路板具有高效率,功率因数几乎等于1,并且在宽输入电压和负载条件下具有低THD百分比。这得益于高性能ST电源产品,以及在32位STM32F0微控制器上运行的高级算法。 特性 宽输入电压范围:85VAC至265VAC 转换模式PFC 两个基于不同拓扑、在转换模式下工作的恒流输出: 降压拓扑 反向降压拓扑 输出电流:500mA ±2.5% 输出端连接的LED数量:16至24个白光LED(每个3.3V) 满负载时,PFC > 0.97,THD < 20%(85VAC至265VAC输入电压范围) 最大负载时峰值效率≅ 90% ...
    发表于 10-21 10:06 185次 阅读

    STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

    部为0.8V±1%的电压基准 2.7 V至5.5 V输入电压范围 快速响应,恒定频率,电流模式控制 三个独立,可调节, SMPS对于DDR2 / 3(VDDQ)和芯片组供应 S3-S5状态兼容DDR2 / 3部分 有源软端所有输出 为VDDQ可选跟踪放电 独立的电源良好信号 脉冲在轻负载跳过 可编程电流限制和软启动所有输出 锁存OVP,UVP保护 热保护 参考和终止电压(VTTREF和VTT )±2的.apk LDO为DDR2 / 3端点(VTT)与折返 远程VTT输出感测 在S3高阻VTT输出 ±15 mA低噪声DDR2 / 3缓冲基准(VTTREF) 在STEVAL-ISA050V1演示板是基于PM6641,这是一个单片电压调节器模块,具有内部功率MOSFET,专门设计来提供DDR2 /在超移动PC和房地产便携式系统3内存和芯片组。它集成了三个独立的,可调节的,恒定频率的降压转换器,一个±2的.apk低压降(LDO)线性调节器和±15 mA低噪声缓冲基准。每个调节器提供基本电压下(UV)和过电压(OV)的保护,可编程软启动和电流限制,有源软端的和跳脉冲在轻负载。...
    发表于 05-21 05:05 234次 阅读

    AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

    用于汽车应用L99SM81V可编程步进电机驱动器板的功能: 具有微步进和保持功能 BEMF监测失速检测 经由SPI可编程配置 5V内部线性电压调节器(输出上板连接器可用) 板反向电池保护用STD95N4F3 MOSFET,其可以具有两个被取代可选地安装二极管和一个跨接 输入工作电压范围从6 V至28 V 输出电流至1.35A 板尺寸:65毫米长×81毫米宽×11毫米最大元件高度 WEEE和RoHS标准 所有ST组分是合格汽车级 的AutoDevKit部分™主动 应用:汽车双极步进电动机 在AEK-MOT-SM81M1评估板设计用于驱动在微步进模式中的双极步进电机,与COI升电压监测失速检测。...
    发表于 05-20 18:05 313次 阅读

    ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

    或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
    发表于 05-20 17:05 325次 阅读

    RH-OSC04 RH-OSC04抗辐射 晶体振荡器驱动器和分频器

    发表于 05-20 17:05 238次 阅读

    STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

    805的PoE-PD接口的 特点: 系统在封装中集成一个双活性桥,热插拔MOSFET和PoE的PD 支持传统高功率,4对应用 100伏与0.2Ω总路径电阻N沟道MOSFET,以每个有源桥 标识哪些种PSE(标准或传统)它被连接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分类指示为T0,T1和T2信号的组合(漏极开路) 通过STBY,仿和RAUX控制信号智能操作模式选择的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封装43个管脚和6个露出垫 特点: PWM峰值电流模式控制器 输入操作电压高达75伏 内部高电压启动调节器与20毫安能力 可编程固定频率高达1MHz 可设置的时间 软关闭(任选地禁用) 双1A PK ,低侧互补栅极驱动器 GATE2可以被关闭以降低功耗 80 %的最大占空比与内部斜率补偿 QFN 16 3x3mm的封装,带有裸垫 此参考设计表示3.3 V,20 A转换器解决方案非常适合各种应用,包括无线接入点,具有的PoE-PD接口和一个DC-DC有源钳位正激变换器提供。...
    发表于 05-20 12:05 167次 阅读

    STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

    LLC谐振变换器的同步整流器,具有自适应的导通和关断 V CC 范围:4.5 V至32 V 最大频率:500kHz的 对于N沟道MOSFET双栅驱动器(STRD级驱动程序) SR MOSFET类型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是产品评估电路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特异于在使用的变压器与绕组的全波整流中间抽头次级LLC谐振转换器的次级侧同步整流。它提供了两个高电流栅极驱动输出(用于驱动N沟道功率MOSFET)。每个栅极驱动器被单独地控制和联锁逻辑电路防止两个同步整流器(SR)MOSFET同时导通。装置的操作是基于两者的导通和关断的同步整流MOSFET的自适应算法。在快速的负载转变或上述谐振操作期间,另外的关断机构设置的基础上,比较器ZCD_OFF触发非常快的MOSFET关断栅极驱动电路。该板包括两个SR的MOSFET(在一个TO-220封装),并且可以在一个现有的转换器,作为整流二极管的替代很容易地实现。...
    发表于 05-20 12:05 176次 阅读

    EVL6562A-LED EVL6562A-LED恒流逆降压LED驱动器使用L6562A

    发表于 05-20 12:05 275次 阅读

    STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

    电压:125 - 400 VDC 额定功率:高达1500W的 允许的最大功率是关系到应用条件和冷却系统 额定电流:最多6 A 均方根 输入辅助电压:高达20 V DC 单或用于电流检测的三分流电阻(与感测网络) 电流检测两个选项:专用的运算放大器或通过MCU 过电流保护硬件 IPM的温度监测和保护 在STEVAL-IPMM15B是配备有SLLIMM(小低损耗智能模制模块)第二串联模块的小型电动机驱动电源板第二系列n沟道超结的MDmesh™DM2快速恢复二极管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一种用于驱动高功率电机,用于宽范围的应用,如白色家电,空调机,压缩机,电动风扇,高端电动工具,并且通常为电机驱动器3相逆变器的负担得起的,易于使用的解决方案。...
    发表于 05-20 10:05 242次 阅读

    NCP3030 同步PWM控制器

    0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
    发表于 07-29 17:02 446次 阅读
    NCP3030 同步PWM控制器