2纳米即将进入下世代的埃米（angstorm）时代布局

2 纳米成为半导体先进制程的决战点，台积电、三星、英特尔相继喊出量产时程，也持续往再下世代的埃米 （angstorm） 时代布局，High-NA（高数值孔径） EUV 则为延续摩尔定律的关键，台积电除先前传出取得 High-NA 研发型 EUV 曝光机外，也首度谈及引进量产型机台时程，持续掌握埃米时代话语权。

目前 ASML 推出的三代 EUV 曝光设备，生产芯片精度最多 2 纳米，一旦进入 2 纳米以下的埃米时代，就得以更高精准度曝光设备生产，透过最先进的 High-NA EUV 微影设备，才能推进半导体技术下个重大创新，成为先进制程决胜关键。

英特尔今年初宣布已率先向 ASML 购买业界首台 High-NA 量产型 EUV 设备 EXE:5200，其为首款具备 High-NA 的 EUV 大量生产系统，每小时晶圆曝光产能超过 200 片，英特尔并宣布将于 2025 年开始以 High-NA EUV 进行生产。

由于英特尔为当时首家宣布取得 High-NA 量产型 EUV 设备的半导体厂，格外引发市场关注，甚至有研调机构分析师认为，若英特尔可抢先采用该设备，在摩尔定律竞赛中，有机会超车台积电。

不过，台积电在日前的北美技术论坛上，首度谈及引进相关设备时程，宣布将于 2024 年引入 EXE:5200，以满足客户需求并推动创新，但并未透露该设备大规模量产时间点，仅表示 2024 年还不准备用新的 High-NA EUV 设备生产，主要用于与合作伙伴的研究。

然而，在英特尔下订业界首台 High-NA 量产型 EUV 设备 EXE:5200 前，业界就传出台积电早已向 ASML 采购 High-NA 研发型 EUV 曝光机 EXE： 5000，除抢下大部分机台外，相关设备今年就能开始供货，且每小时生产的晶圆片数为 182 片，与量产型机台差异不大。

也因此，业界认为，即便英特尔率先取得量产型机台 EXE：5200，但对产能帮助可能有限，要在埃米时代拿下市场霸主地位，恐怕还是充满挑战。