季丰最新引进GK-HTRB-C16/CH8机台-电子发烧友网

季丰最新引进GK-HTRB-C16/CH8机台

季丰最新引进GK-HTRB-C16/CH8机台，新机台的能力完全满足大部分功率器件HTRB测试的要求，功率可靠性测试的产能将大幅提高，有需要的客户可以联系我们的销售。新引进的设备的适用范围，符合标准，技术特点如下:

适用范围

•系统能满足各种封装形式的Si/SiC/GaN 材料的 IGBT /DIODE /MOSFET /HEMT /BJT /SCR 等器件的HTRB 试验。

符合标准

•试验线路及试验方法满足JESD22-101、MIL-STD-750 Method 1038及AEC-Q101、GJB128A 等试验标准要求。

技术特点

•数据库加载导入，自动完成试验过程，方便操作使用;

•被试器件DUT老化电源采用分区统一供给，程控方式;

•实时监控每个器件的漏电流IR，可输出试验报表并描绘出完整的变化曲线;

•系统具有数据自动备份功能，意外断电数据不会丢失;

•可根据用户的需求，定制各种老化板及测试程序

HTRB：设备能力

HTRB介绍：

HTRB是分立器件可靠性最重要的一个试验项目，其目的是暴露时间、应力相关的缺陷，这些缺陷通常是钝化层的可移动离子或温度驱动的杂质。半导体器件对杂质高度敏感，制造过程中有可能引入杂质。杂质在强电场作用下会呈现加速移动或扩散现象，最终杂质将扩散至半导体内部导致失效。同样的晶片表面钝化层损坏后，杂质可能迁移到晶片内部导致失效，HTRB试验可以使这些失效加速呈现，排查出异常器件。

基本半导体碳化硅二级管的HTRB实验温度为175℃，高于一般测试标准的150℃。器件175℃的环境温箱里被施加80%的反压，会出现漏电现象。如果在1000小时内漏电参数未超出规格底线，且保持稳定不发生变化，说明器件设计和封装组合符合标准。