一文详解MOSFET和BJT的区别

当今最常见的三端半导体中的两种是MOSFET和BJT。MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管。它是FET的变体。另一方面，BJT是双极结型晶体管。

1.MOSFET和BJT的应用

MOSFET和BJT都适合用作电子开关。它们都可用作继电器驱动器、信号逆变器、电源开关等等。 两者在信号放大器中也很有名。但是，与MOSFET相比，BJT电路要求和分析更容易，MOSFET被广泛用作开关。 一些MOSFET应用像如何使用MOSFET作为电池反向保护或者如何用MOSFET驱动继电器。

2. MOSFET和BJT的结构比较

在结构方面，MOSFET和BJT比较有很大不同。 MOSFET是耗尽型或增强型。增强型是最主要的。 MOSFET也是N沟道 (NMOS) 或P沟道 (PMOS)。这与主要的电荷载流子有关。NMOS通常用作低侧驱动器，而PMOS通常用于高侧驱动。 MOSFET是一种三端半导体器件。它具有栅极 (G)、漏极 (D) 和源极 (S)。以下是 MOSFET 的电路符号。

就主要电荷载流子而言，BJT是NPN或PNP。NPN在低侧驱动中很常见，而PNP主要是高侧驱动。BJT与MOSFET一样具有三个端子。它具有基极 (B)、集电极 (C) 和发射极 (E)。以下是 NPN（左）和 PNP（右）版本的电子符号。

审核编辑：汤梓红