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置于材料端,何为MOSFET呢?

今日半导体 来源:今日半导体 作者:今日半导体 2022-05-18 14:04 次阅读

一、置于材料端,何为MOSFET呢?

(一)基础介绍金属-氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路数字电路的场效晶体管,具有导通电阻小,损耗低,驱动电路简单,热阻特性好等优点,特别适合用于电脑、手机、移动电源、车载导航、电动交通工具、UPS电源等电源控制领域。MOSFET是功率半导体的一种,在日常生活中,凡涉及发电、输电、变电、配电、用电、储电等环节的,均离不开功率半导体。功率半导体器件作为不可替代的基础性产品,广泛应用于国民经济建设的各个领域。

(二)产品分类平面N沟道增强型NMOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底,在其面上扩散了两个N型区,再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)绝缘层,最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔,用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极:G(栅极)、S(源极)及D(漏极),如图所示。从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的,D与S之间有两个PN结。一般情况下,衬底与源极在内部连接在一起,这样,相当于D与S之间有一个PN结。主流的MOSFET主要分为三大类:超结MOSFET、中低压屏蔽删MOSFET和超级硅MOSFET。主要对比如下图:

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图一 主流类别MOSFET性能对比图注:图片来源于巨浪资讯

其中,高压超级结 MOSFET,是一种可以广泛应用于模拟与数字电路的基础微电子元器件,具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点;其中,高压MOSFET 功率器件通常指工作电压为 400V 以上的 MOSFET 功率器件。高压 MOSFE功率器件结构通常包括平面型及超级结型。超级结 MOSFET 功率器件通常需要更高的技术设计能力及工艺制造水平,其能够突破平面型器件的性能局限性,具备更好的静态和动态特性,可以工作于更大功率的系统之中。

中低压 MOSFET 功率器件通常指工作电压为 10V-300V 之间的 MOSFET 功率器件,该类器件更加适用于低电压的应用场景,应用于如电动工具、智能机器人、无人机、新能源汽车电机控制、移动电源、适配器、数码类锂电池保护板等产品中。中低压MOSFET 功率器件结构通常包括沟槽栅 VDMOS 及屏蔽栅 MOSFET。相比于普通沟槽栅 VDMOS,屏蔽栅 MOSFET 功率器件结构更复杂,需要更高的技术能力及制造工艺水平,其能够突破普通沟槽栅VDMOS器件的性能瓶颈,具备更好的导通特性,开关损耗更小且功率密度更高。

超级硅 MOSFET 产品,是通过调整器件结构、优化制造工艺,突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈的,在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。相较于氮化镓功率器件产品,超级硅MOSFET产品采用硅基材料,具有工艺成熟度高、工艺成本低及高可靠性等技术特点及竞争优势,特别适用于高密度电源系统,如新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类 PC 适配器等领域。

二、置于半导体产业链中,MOSFET处于何位置呢?

(一)功率半导体产业链半导体分立器件(MOSFET)行业产业链包括芯片设计、芯片制造、封装测试、对外销售等环节。从产业链环节看,分立器件(MOSFET)的设计属于产业链的前端。具体产业链位置见下图:

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图二 功率半导体产业链位置

半导体分立器件行业的上游主要为半导体硅片供应商和其他金属材料制造商,其中,半导体硅片为半导体分立器件行业的主要原材料。目前,高端半导体硅片主要为国外垄断,硅片生产企业在上游产业链中占据较大话语权。功率半导体可以分为功率 IC 和功率分立器件两大类,其中功率分立器件主要包括功率二极管晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT 等产品。在功率半导体发展过程20 世纪 70 年代末,平面型功率MOSFET发展起来。20 世纪80年代后期,沟槽型功率 MOSFET 和 IGBT 逐步面世,半导体功率器件正式进入电子应用时代。20 世纪 90 年代,超级结 MOSFET 逐步出现,打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言,功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化,而功率MOSFET 特别是超级结 MOSFET、IGBT 等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度,还较大程度上依赖进口,未来进口替代空间巨大。其主要的市场分布如下图:

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图三 功率半导体细分市场占比注:图片来源于巨浪资讯

采用新型器件结构的高性能 MOSFET 功率器件可以实现更好的性能,从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进,当采用新技术的高性能 MOSFET 功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时,就会对现有的功率 MOSFET 进行替代。同时,随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升,也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此,高性能 MOSFET 功率器件会不断扩大其应用范围,实现市场的普及。未来的 5 年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言,沟槽 MOSFET将替代部分平面 MOSFET;屏蔽栅 MOSFET 将进一步替代沟槽 MOSFET;超级结MOSFET 将在高压领域替代更多传统的 VDMOS。但是随着碳化硅等新型材料的兴起,碳化硅材料的MOSFET等SiC-MOSFET有平面型与沟槽型,也将成为电力电子应用的主力军。具体硅基与碳化硅基片的MOSFET差别可见下图:

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图四 硅基—碳化硅基MOSFET对比图注:图片来源于巨浪资讯

由于栅极氧化物的沟槽角处的电场拥挤,沟槽型MOSFET 的阻断电压能力可能低于 DMOSFET半导体分立器件行业的下游分布极为广泛,应用市场包括消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。受益于国家经济转型升级和科技进步,半导体分立器件下游产品不断更新换代,新产品相继面世,其应用将更为广泛。

(二)主要竞争格局随着消费电子、汽车电子和工业电子为主的市场销售稳定增长,2016年MOSFET 市场规模持续增长。得益于市场对高效能电子器件的需求增加,预计MOSFET 市场未来将继续稳定增长。2016年,全球MOSFET市场规模达到62亿美元,预计2016年至2022年间 MOSFET 市场的复合年增长率将达到3.4%;预计到2022年,全球MOSFET市场规模将接近75亿美元。在MOSFET大的市场格局中,主要由欧美日企业把控,2020年MOSFET前十大企业分别为英飞凌、Onsemi、ST、Vishay、Renesas、东芝、Alpha and Omega以及被闻泰科技收购的安世半导体,他们大约占据我国高端功率器件约90%的市场份额。而我国功率器件在中低端产品层次竞争较为充分,国产器件在中低端的占比相对较高。不过国内的MOSFET企业这几年已经开始向高端迈进,相信会逐渐占据一席之地。

国际MOSFET市场预测分布柱状图如下:

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图五 国际MOSFET市场预测分布柱状图注:图片来源于东微半导招股书

2019 年全球 MOSFET 器件市场中,英飞凌排名第一,市场占有率达到 24.79%,前十大公司市场占有率达到 74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比 3.93%、3.09%和 1.80%。

国内MOSFET的IDM企业主要有华润微、士兰微、扬杰科技以及吉林华微,MOSFET的Fabless企业主要有新洁能、捷捷微电、富满电子、龙腾半导体、韦尔股份、东微、尚阳通、芯派、芯导科技、诺芯半导体等。

表一 国内MOSFET的IDM企业国内MOS工厂商经营模式MOS型号

华润微IDM670+

士兰微IDM370+

吉林华微IDM240+

捷捷微电FABLESS+封测360+

东微半导体FABLESS490+

扬杰科技IDM、FABLESS210+

新洁能FABLESS、(fab+lite)1300+

富满电子FABLESS+封测60+

龙腾半导体FABLESS500+

韦尔股份FABLESS190+

尚阳通FABLESS250+

芯派科技FABLESS230+

芯导电子FABLESS120+

诺芯半导体FABLESS50+

国内部分MOSFET厂商及其经营模式一览(数据来源:公司官网公开信息)

对于以上FABLESS模式的代工厂,目前国内MOSFET的晶圆代工厂主要有华虹宏力、华润上华、上海先进、中芯集成、四川广义,广州粤芯等。得益于国内 FAB 厂的技术沉淀与发展,结合国内设计公司的设计优势,目前部分国产功率器件的性能基本与国际大厂相当。不少公司的部分MOSFET等功率器件产品在技术上处于国内前列,与国际大厂的技术相当。例如龙腾半导体的650V超结MOSFET 产品的Rsp达到了16.45mΩ*cm2,而英飞凌先进的CoolMOSTM P7系列产品Rsp为8.80mΩ*cm2 。

表二 国内MOSFET的晶圆代工厂晶圆代工厂产线

华虹宏力8、12英寸

华润上华6、8英寸

上海先进5、6、8英寸

中心集成8英寸

四川广义6英寸

广州粤芯12英寸

国内主要纯MOSFET晶圆代工厂(数据来源:公司官网公开信息)

对比于国际市场,在MOSFET高端技术领域,其实国内厂商与国外厂商差距不大,主要是在制造技术上差距比较大,高端的MOSFET我们是有能力设计和制造生产出来的。据徐吉程的观点,与国外厂商比,国内厂商的差距有如下几点:1. 对应用市场理解的深度,2. MOSFET与方案的配合度,方案需要哪些特性的产品很重要,3. 制造工艺的管控度,比如trench的角度和一致性等,4. 封装工艺的管控程度,5. 测试时的严格的程度,6. 先进技术的探索和研发的程度,7.原材料的研究与提升,6. 市场给国内厂商试错的程度,等等。“相比英飞凌和安森美等国际大公司,我们与之的差距正在逐渐缩小,在器件pitch size,工艺技术等方面可以相互媲美,关键的差距在于细节控制,包括细节管控和对高端技术理解的深度。同时还有对终端环境的理解。在终端方案中,一般终端方案在design in时以国外厂商的产品为基础,等国内器件去替代时,就会有难度,因为不可能制造出与国外厂商完全match的产品来,因此在核心参数上,就会有偏差,甚至引起失效,而如果以国内产品直接design in就会好很多。并且产品出问题时,不要一棍子打死,要给国内厂商解决问题的机会,不断改善和优化性能,一定能满足客户要求,同时国内厂商一定要控制好优化和改进的时间,不能拖得太久。”中国MOSFET市场预测图如下:

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图六 中国MOSFET市场预测图注:图片来源于东微半导招股书

2019 年,中国 MOSFET 器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到 24.95%,前十大公司市占率达到 74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比 4.79%、3.34%、3.28%和 2.93%。

三、置于消费端,MOSFET被用作什么呢?

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图七 中低高压MOSFET主要应用图注:图片来源于东微半导招股书

(一)主要应用端之一充电桩充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020 年 5 月两会期间,《政府工作报告》中强调“建设充电桩,推广新能源汽车,激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示,截至 2020 年 6 月新能源汽车保有量有417 万辆,与 2019 年年底相比增加 36 万辆,增长率达到 9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长,新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长,截止 2019 年 12月,全国充电基础设施累计数量为 121.9 万个,其中公共桩 51.6 万个,私人桩 70.3 万个,充电场站建设数量达到 3.6 万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办,服务对象面向所有电动汽车车主。2015 年至 2019 年,全国公共充电桩的数量由 5.8 万个增长至 51.6 万个,复合年增长率达到了72.9%。

(二)主要应端之二5G基站5G 基站建设规模2020 年 12 月 15 日在 2021 中国信通院 ICT+深度观察报告会上,工业和信息化部发言人指出,中国已累计建成 5G 基站 71.8 万个,推动共建共享 5G 基站 33 万个。2020 年 12 月 28 日,工信部部长肖亚庆在 2021 年全国工业和信息化工作会议上表示,2021 年将有序推进 5G 网络建设及应用,加快主要城市 5G 覆盖,推进共建共享,新建5G 基站 60 万个以上。

四、行业护城河深浅如何呢?

(一)技术壁垒半导体分立器件的研发生产过程涉及微电子、半导体物理、材料学、电子线路、机械力学、热力学等诸多学科,需多种学科的交叉融合,行业内企业需要综合掌握外延、微细加工、封装测试等多领域技术或工艺,并加以整合集成。因此,半导体分立器件行业属于技术密集型行业,技术门槛较高。下游产品呈现多功能化、低能耗、体积轻薄等发展趋势以及新技术、新应用领域的大量涌现,对半导体分立器件的研发生产提出了非常高的技术要求。具体看,半导体分立器件中的半导体功率器件属于亚微米级产品,其设计及生产工艺要求极高;半导体功率器件的整体性能不仅与产品本身的研发设计相关,还与芯片代工和封装测试等工艺端紧密关联,是芯片研发设计和工艺实现等多项因素综合作用的结果;研发设计人员不仅需要掌握较强的研发设计能力和丰富的经验,还需要对工艺端具有深刻的理解和把握,在提出设计方案中需要包含工艺实现方案,并且能够就单项工艺问题与代工厂进行沟通确认,共同克服工艺难点。

近年来,半导体分立器件的设计和工艺技术发展突飞猛进。因此,企业研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法,另一方面在芯片设计环节不仅要保持分立器件在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作,还需保持开关损耗、导通损耗、抗冲击能力、耐压效率维持平衡,对每一项结构参数确认均需经过大量的仿真设计和周密研究,包括刻蚀深度、刻蚀角度、沟槽表面光滑度、沟槽深宽比对器件电性能的影响、刻蚀工艺的负载效应以及后道工序中多晶硅的填充能力、掺杂浓度的均匀性、栅氧化层在器件表面均匀性等多个方面。

下游广泛的应用领域对半导体分立器件产品的性能和成本提出了差异化的要求,还对产品在各种应用环境甚至恶劣环境下长久可靠、高质量工作提出较高要求,因此研发设计人员需掌握不同应用领域或环境的特点,如工作电压、极限工作电流、散热环境、工作频率、寄生效应等,从而导致不同产品间的结构仿真设计、版图布局绘制、单项工艺开发以及工艺流程整合差异极大(例如20VMOSFET 器件、200V MOSFET 器件芯片结构与工艺流程差异度达到 70%以上),这些对企业差异化研发能力提出了极高的要求。因此,行业内企业需要拥有丰厚的技术、工艺经验储备并持续技术革新和创新,而且能够在短期内成功开发出多品类、适宜量产的产品,才能在市场上站稳脚步。新进企业很难在短时间内掌握先进技术,亦难以持续保持技术的先进性,这些均构成了较高的技术壁垒。其技术演进路径如下图:

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图八 MOSFET技术演进情况图

(二)人才壁垒半导体分立器件行业是技术密集型行业,行业的高技术门槛同时也造就了该行业的高人才门槛,企业的高素质的经营管理团队和具备持续创新力的研发团队的实力决定了企业的核心竞争力。虽然国内半导体分立器件的研究人员较多,但相当一部分人员往往缺乏对半导体分立器件尤其是先进器件产品的长期实践和经验积累,缺乏成功的实战开发经验,从理论研究到实践操作仍有很大的跨度。而且,行业内企业在产品技术升级、新产品推出、产品的售后服务上,对生产技术工人、研发技术人才和专业的营销人才有一定的依赖性,新进入企业很难在短时间内招募到足够的上述人才,这会对公司的生产效率、产品成本、交货期等产生重大不利影响。因此,半导体分立器件行业需要既懂芯片设计同时又懂生产制造工艺、器件可靠性及应用的高素质人才,这在很大程度上也提高了该行业企业的准入门槛。

(三)资金壁垒半导体分立器件行业亦属于资本密集型行业。从行业投入设备看,外延、光刻、蚀刻、离子注入、扩散等工序所必须的高技术研发、生产加工和测试设备主要依靠向欧美、日韩等进口,价格昂贵。从研发设计看,行业内企业从购买仿真软件和版图绘制软件到光刻版制作、芯片代工到芯片成品封装测试、应用评估、可靠性考核都需要大量资金支持。从日常运营看,行业内企业一方面需要庞大的流动资金来用于芯片代工及芯片封装测试;另一方面,需要有非常齐全的产品品类来满足下游各领域的需求,保持足够的市场占有率和品牌影响力,这就要求企业保持较高的营运资金水平。另外,行业技术更新换代快,产品竞争激烈,对企业的研发投入和人才投入等也有较高的要求。综上,如果行业内新进企业没有持

续性高水平的资金投入,将很难与本行业内的现有企业进行竞争。

(四)客户认证壁垒半导体分立器件很大程度上影响下游产品的质量和性能,因此通过客户严格的认证是进入本行业开展竞争的必要条件。半导体分立器件作为电子信息产业中的一种基础性功能元器件,最终应用于规模化的下游厂商,包括消费电子、汽车电子、工业电子等。为了保证产品品质及性能的稳定性,下游客户通常对供应商有较严格的认证条件,要求供应商除了具备行业内较领先的技术、产品、服务以及稳定的量产能力外,还须通过行业内质量管理体系认证或下游客户严格的采购认证程序,一旦通过则能与客户建立起长期、稳定的合作关系。行业新进入者通过下游客户的认证需要一定的周期以及较高的条件,这对新进入者形成了较高的壁垒。

五、其价格、市场规模等的影响因素是什么呢?

(一)国家产业政策半导体分立器件行业是半导体产业的重要组成部分。发展我国半导体分立器件相关产业,提升国内半导体分立器件研发生产能力是我国成为世界半导体制造强国的必由之路。国家有关部门出台了《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》等多项政策为半导体分立器件行业的发展提供了政策保障,明确了发展方向。此外,《战略性新兴产业重点产品和服务指

导目录》等多项政策亦明确了半导体分立器件的地位和范围,提出了要重点发MOSFET等功率器件的要求。国家相关政策的出台有利于半导体分立器件行业市场规模的增长,并进一步促进了半导体分立器件行业健康、稳定和有序的发展。

半导体是最基础的电子器件,产业的终端应用需求面较广,因而其需求容易受到经济形势的影响。宏观经济的增长放缓或下滑等不利因素将会导致下游行业需求减少,也将导致半导体分立器件企业收入的波动。近几年,全球经济仍处在危机后调整期,地缘政治危机不断扰动全球经济。我国经济亦由高速增长向中高速增长转换,经济的结构性调整特征十分明显,半导体分立器件行业受宏观经济波动影响将日益明显。

(二)市场变动下游应用市场的需求变动对功率半导体行业的发展具有较大的牵引作用。近年来,受汽车电动化、工业自动化及电力清洁化进程的推进,汽车电子、工业电子、可再生能源等领域的稳步增长给功率半导体产品提供了稳定的市场需求。未来,随着国家经济结构转型升级以及 5G、AI、loT 等新兴技术的应用,5G 基站、人工智能、物联网等下游市场将进一步催生出相对可观的增量需求。此外,下游终端产品的更新换代及科技进步引致的新产品问市也为半导体功率器件的需求提供了有力支撑。

(三)产品自身特点

半导体技术最早源于欧美等发达国家,欧美日厂商经过多年发展,凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的积累,形成了巨大的领先优势。公司在高性能功率半导体领域深耕多年,基于多年的技术优势积累、市场推广以及优秀的客户服务能力,已成为国内领先的高性能功率半导体领域的厂商, 是少数在超级结 MOSFET 领域突破海外技术垄断的本土公司之一。借助产品及技术优势,公司的品牌知名度和市场认可度不断提高。同时,公司的下游客户群体持续扩大,其产品已进入华为、英飞源、维谛技术和麦格米特等多个高知名度客户,随着客户群体的不断扩展,公司的销售规模亦不断增长。

除上述因素外,MOSFET企业享受的税收优惠政策、政府补助等因素亦会对MOSFET企业的成本、收入等,从而直接对MOSFET的价格、市场规模等造成影响。

审核编辑 :李倩

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     功率MOSFET在开关过程中,在米勒平台线性区,由于VGS保持不变,相当于使用恒流源进行驱动,其它....
    的头像 要长高 发表于 06-23 14:47 3789次 阅读
    PWM控制芯片的驱动能力及工作可靠性

    LN8362 MOSFET栅极驱动芯片概述、应用及特点

    LN8362 是一款可驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动芯片,可用于同步降压、升降压和....
    的头像 倚栏清风L 发表于 06-23 14:20 187次 阅读
    LN8362 MOSFET栅极驱动芯片概述、应用及特点

    SiC MOSFET中Crosstalk波形错误的原因

    在图1的半桥电路中,动作管为下管S1,施加在上管S2的为关断驱动信号,其体二极管处于续流状态。当S1....
    发表于 06-23 10:57 32次 阅读
    SiC MOSFET中Crosstalk波形错误的原因

    2nm芯片有多强 2nm芯片是极限吗

      在2022年6月16日北美技术论坛会议上,台积电首次宣布将推出下一代先进N2工艺制程,同时也介绍....
    的头像 牵手一起梦 发表于 06-23 09:39 164次 阅读

    IBM的2nm芯片用在哪?

    2nm芯片亮相,对于整个半导体产业都有非常重要的意义。虽然短期内,2nm工艺芯片无法规模量产,但通过....
    的头像 倩倩 发表于 06-23 09:34 157次 阅读

    2nm芯片是哪个国家研制的 2nm芯片什么时候量产

      据相关消息报道,现阶段台积电正在研发更先进的2nm制程工艺,采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术....
    的头像 牵手一起梦 发表于 06-23 09:15 105次 阅读

    设计驱动电路该使用MOS管还是三极管?(文末领BJT和MOSFET对比资料)

    晶体管 BJT 和MOSFET 都适用于放大和开关应用。然而,它们具有显着不同的特征。   双极结型....
    的头像 电子发烧友论坛 发表于 06-22 19:29 460次 阅读

    2nm芯片是哪个国家研制的_2nm芯片是极限吗

    随着自动驾驶、5G及物联网的基础设施建设,芯片的需求也越来越大,应用也愈加广泛,在当今的科技竞争中,....
    的头像 姚小熊27 发表于 06-22 16:09 387次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3446英文手册

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3446英文手册
    发表于 06-22 14:58 11次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3447英文手册

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3447英文手册
    发表于 06-22 14:57 8次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3448英文手册

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3448英文手册
    发表于 06-22 14:56 8次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3450英文手册

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3450英文手册
    发表于 06-22 14:54 10次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3451英文手册

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3451英文手册
    发表于 06-22 14:54 10次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3456英文手册

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3456英文手册
    发表于 06-22 14:53 12次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3457英文手册

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3457英文手册
    发表于 06-22 14:52 11次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3458英文手册

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3458英文手册
    发表于 06-22 14:52 10次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3459英文手册

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3459英文手册
    发表于 06-22 14:51 10次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3460英文手册

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3460英文手册
    发表于 06-22 14:50 10次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3461英文手册

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3461英文手册
    发表于 06-22 14:49 10次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3462英文手册

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3462英文手册
    发表于 06-22 14:49 8次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3465英文手册

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3465英文手册
    发表于 06-22 14:48 8次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2SC3466英文手册

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    发表于 06-22 14:47 10次 阅读

    中国造2nm芯片吗?前景如何?

    在全球芯片先进制程追逐战中,IBM亮处了其生产的全球首款2nm芯片,台积电和三星表示将在2024年左....
    的头像 汽车玩家 发表于 06-22 14:42 313次 阅读

    拓扑声学晶体管为无耗散电子电路指明方向

    但制造声学拓扑晶体管同样不容易。“我们知道,我们的拓扑逻辑方法是可行的,但仍然需要找到切实可行的材料....
    的头像 IEEE电气电子工程师 发表于 06-22 14:23 69次 阅读

    2nm芯片优势是什么 2nm芯片手机有哪些

    2021年5月6日,IBM宣布,该公司已开发出全球首个采用2nm技术的芯片,在半导体设计上实现了突破....
    的头像 科技大小事 发表于 06-22 11:21 394次 阅读

    全球首颗2nm芯片问世时间 2nm芯片是多大

    纳米是计量单位,且1mm=1000000nm。芯片中的纳米主要指的是生产芯片的工艺制程。
    的头像 科技大小事 发表于 06-22 11:00 552次 阅读

    2nm芯片是多少厘米?芯片中的nm代表着什么?

    关于芯片,很多人都不太了解,只是偶尔会看见一些关于台积电、三星2nm芯片的新闻,那么一定有人会好奇,....
    的头像 汽车玩家 发表于 06-22 10:39 263次 阅读

    温度对CoolSiC™ MOSFET的影响

    CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低,它们的效率很高,因此可....
    的头像 科技绿洲 发表于 06-22 10:22 186次 阅读
    温度对CoolSiC™ MOSFET的影响

    2nm芯片问世,可容纳500亿颗晶体管

    今年五月份,IBM成功推出了2nm的测试芯片,可容纳500亿颗晶体管,IBM成功将500亿个晶圆体容....
    的头像 lhl545545 发表于 06-22 09:52 231次 阅读

    2nm芯片材料是什么?

    用一个简单的例子来描述新结构:在最早的Planar工艺下,半导体材料如同一张2D平面的白纸;到了Fi....
    的头像 倩倩 发表于 06-22 09:33 163次 阅读

    2nm芯片是什么概念

    我们说的2nm和3nm,是从芯片的制造工艺方面来定义的。先进的5纳米工艺芯片,每个晶体管只有20个硅....
    的头像 倩倩 发表于 06-22 09:19 566次 阅读

    用于大功率和频率应用的舍入 GaN 基晶体管

    针对可靠的高功率和高频率电子设备,制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理...
    发表于 06-15 11:43 5675次 阅读
    用于大功率和频率应用的舍入 GaN 基晶体管

    这个达林顿晶体管厂家是哪家

    这个达林顿晶体管厂家是哪家
    发表于 05-30 16:36 3657次 阅读
    这个达林顿晶体管厂家是哪家

    这是场效应管还是三极管?

    看标注象是IGBT管,不敢确定。
    发表于 05-26 16:12 6783次 阅读
    这是场效应管还是三极管?

    MOSFET驱动高电平电压波动

    这是MOSFET驱动电压,请大神指点,其中的高电平电压波动原因是什么? ...
    发表于 05-24 09:32 4385次 阅读

    MOS管栅极驱动电流太大,有什么不利影响?

    大功率电源的PFC电路中,根据MOS管的Qg和导通时间计算栅极驱动电流约5A。按照一般的说法,如果驱动电流设计的太大,会引...
    发表于 05-05 23:01 8200次 阅读

    绝缘门/双极性晶体管介绍与特性

    IGBT 是一种功率开关晶体管,它结合了 mosfet 和 bjt 的优点,用于电源和电机控制电路 绝缘栅极双极性晶体管也简称为 I...
    发表于 04-29 10:55 7226次 阅读
    绝缘门/双极性晶体管介绍与特性

    如何使用MOSFET或者IGBT实现高频开关电源?

    生活中有各种各样的电源,其中就有一款叫高频开关电源系统,什么是高频开关电源系统?它有什么作用?高频开关电源(也称为开关...
    发表于 04-27 15:30 2360次 阅读
    如何使用MOSFET或者IGBT实现高频开关电源?

    THAT300series Matched Transistor Arrays

    Array ICS作为 专业级的低噪音,高性能匹配阵列晶体管ICS。低噪音:0.75nV/√HZ 高速度:fT =350MHZ。可以很好的兼...
    发表于 04-26 11:29 6451次 阅读
    THAT300series Matched Transistor Arrays

    ICM-20649 TDKInvenSenseICM206496轴MEMSMotionTracking器件

    venSense ICM-20649 6轴MEMS MotionTracking™器件通过提供撞击前、撞击期间和撞击后的连续运动传感器数据,对接触类运动应用进行精确的分析。这样即可为足球、篮球、高尔夫、网球等运动提供更加精确的反馈。TDK InvenSense ICM-20649采用小型3mm x 3mm x 0.9mm 24引脚QFN封装,可针对陀螺仪实现±4000dps的扩展满量程范围 (FSR),针对加速度计实现±30g的扩展满量程范围。其他主要特性包括片上16位ADC、运行时校准固件、可编程数字滤波器、嵌入式温度传感器和可编程中断。通过高达100kHz(标准模式)或高达400kHz(快速模式)的IC,或者高达7MHz的SPI,可与该器件进行通信。 特性 3轴陀螺仪,可编程FSR为±500dps、±100dps、±2000dps和±4000dps 3轴加速度计,可编程FSR为±4g、±8g、±16g和±30g 启用...
    发表于 11-12 09:07 644次 阅读

    MAX20030BATMA/V+ Maxim Integrated MAX20030/1汽车降压控制器

    Integrated MAX20030和MAX20031汽车降压控制器是2.2MHz双路同步降压控制器,集成了预升压控制器和低I LDO。该预升压控制器支持V和V在冷启动操作期间保持稳压,直至电池输入低至2V。MAX20030和MAX20031设有两个高压同步降压控制器,可在180°异相下工作。这些器件的输入 电压为3.5V至42.0V,可通过97%占空比在低压差条件下运行。这些降压控制器非常适合用于可在宽输入电压范围(如汽车冷启动或发动机停止启动条件)内工作,具有中高功率要求的应用。 MAX20030和MAX20031降压控制器的工作频率高达2.2MHz,支持使用小型外部元件,减少输出纹波,并消除AM频段干扰。开关频率可通过电阻器在220kHz至2200kHz范围内฀...
    发表于 11-10 11:07 298次 阅读

    MAX16926GTP/V+ Maxim Integrated MAX16926汽车显示器电源解决方案

    Integrated MAX16926汽车显示器电源解决方案是一款4通道电源管理IC。MAX16926设计用于安装现代汽车TFT显示器中使用的主电源轨。MAX16926和MAX20069 TFT电源和LED背光驱动器可以为汽车显示器电源要求提供双芯片解决方案。 特性 高度集成 集成式看门狗定时器 高度可靠、低EMI 应用 信息娱乐系统显示屏 中央信息显示屏 仪表盘...
    发表于 11-10 09:07 234次 阅读

    STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

    oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
    发表于 11-09 12:07 213次 阅读

    MAX20766EPE+ Maxim Integrated MAX20766智能从设备IC

    Integrated MAX20766智能从设备IC设计用于用于搭配Maxim第七代控制器使用,实现高密度多相稳压器。多达六个智能从设备集成电路加一个控制器集成电路,组成紧凑的同步降压转换器,它可以通过SMBus/PMBus™实现精确的单独相电流和温度报告。 Maxim MAX20766智能从设备IC为过热、VX短路和所有电源UVLO故障提供多种保护电路。如果检测到故障,则该器件立即关断,并向控制器IC发送信号。 MAX20766采用16引脚FCQFN封装(具有裸露的顶部散热焊盘)。顶部散热改善...
    发表于 11-09 09:07 237次 阅读

    ICS-40730 TDKInvenSenseICS40730低噪声麦克风

    venSense ICS-40730低噪声麦克风是一款差分模拟输出、底部端口式微机电系统 (MEMS) 麦克风。ICS-40730集成有MEMS麦克风元件、阻抗转换器、差分输出放大器和增强型射频封装。该款低噪声麦克风具有高达74dBA的SNR、-32dBV差分灵敏度、-38dBV单端灵敏度、124dB SPL声学过载点以及±2dB灵敏度容差。典型应用包括智能家居设备、智能手机、电话会议系统、安防、监控、麦克风阵列、语音控制和激活。 特性 74dBA超高SNR 灵敏度: -32dBV差分灵敏度 -38dBV单端灵敏度 ±2dB灵敏度容差 非反相信号输出 25Hz至20kHz扩展频率响应 增强的射频性能 285µA电流消耗 124dB SPL...
    发表于 11-09 09:07 418次 阅读

    MAX22025AWA+ Maxim Integrated MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器

    Integrated MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器可在器件的电缆侧(RS-485/RS-422驱动器/接收器侧)和UART侧之间提供3.5kVRMS数字电流隔离。当两个端口之间存在较大的接地电位差时,隔离通过中断接地环路来改善通信,并降低噪声。这些器件允许高达0.5Mbps或16Mbps的稳健通信。 MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器具有Maxim专有的AutoDirection控制功能,因此非常适合用于隔离式RS-485端口等应用,其中驱动器输入与驱动器使能信号搭配使用以驱动差分总线。 MAX22025、MAX22027、MAX22025F和MAX22027F具有较低压&#...
    发表于 11-09 09:07 378次 阅读

    ICS-40212 TDKInvenSenseICS40212模拟麦克风

    venSense ICS-40212模拟麦克风是一款微机电系统 (MEMS) 麦克风,具有极高动态范围和低功耗常开模式。该麦克风包含MEMS麦克风元件、阻抗转换器和输出放大器。ICS-40212在电源电压低于2V且工作电流为55μA时,采用低功耗工作模式。 ICS-40212麦克风具有128dB声压级 (SPL) 声学过载点(高性能模式下)、±1dB的严密灵敏度容差以及35Hz至20kHz扩展频率响应。该麦克风采用底部端口表面贴装封装,尺寸为3.5mm x 2.65mm x 0.98mm。典型应用包括智能手机、照相机和摄像机...
    发表于 11-09 09:07 661次 阅读

    ICS-40638 TDKInvenSenseICS40638AOP模拟MEMS麦克风

    venSense ICS-40638高声学过载点 (AOP) 模拟MEMS麦克风(带差分输出)具有极高的动态范围,工作温度高达105°C。ICS-40638包括一个MEMS麦克风元件、一个阻抗转换器和一个差分输出放大器。该麦克风具有138dB声压级 (SPL) 声学过载点、±1dB小灵敏度容差以及对辐射和传导射频干扰的增强抗扰度。该系列具有35Hz至20kHz扩展频率响应,采用紧凑型3.50mm × 2.65mm × 0.98 mm底部端口表面贴装封装。TDK InvenSense ICS-40638 AOP模拟MEMS麦克风应用包括汽车、相机和摄像机以及物联网 (IoT) 设备。 特性 差分非反向模拟输出 灵敏度:-43dBV(差分) 灵敏度容差:±1dB 35Hz至20kHz扩展频率响应 增强的射频抗扰度 PSRR:−81dB 3.50...
    发表于 11-06 09:07 462次 阅读

    DK-42688-P TDKInvenSenseDK42688P评估板

    venSense DK-42688-P评估板是用于ICM-42688-P高性能6轴运动传感器的全面开发平台。该评估板设有用于编程和调试的板载嵌入式调试器和用于主机接口的USB连接器,可支持软件调试和传感器数据记录。DK-42688-P平台设计采用Microchip G55 MCU,可用于快速评估和开发基于ICM-42688-P的解决方案。TDK InvenSense DK-42688-P评估板配有必要的软件,包括基于GUI的开发工具InvenSense Motion Link,以及用于ICM-42688-P的嵌入式运动驱动器。 特性 用于ICM-42688-P 6轴运动传感器 带512KB闪存的Microchip G55 MCU 用于编程和调试的板载嵌入式调试器 用于主机接口的USB连接器 通过USB连接的电路板电源 ...
    发表于 11-06 09:07 338次 阅读

    STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

    oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm® 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
    发表于 11-06 09:07 373次 阅读

    ICS-52000 TDKInvenSenseICS52000带TDM数字输出的低噪声麦克风

    venSense ICS‐52000是一款低噪声数字TDM输出底部端口麦克风,采用4mm × 3mm × 1mm小尺寸表面贴装封装。  该器件由MEMS传感器、信号调理、模数转换器、抽取和抗混叠滤波器、电源管理以及行业标准的24位TDM接口组成。 借助TDM接口,包括多达16个ICS‐52000麦克风的阵列可直接连接诸如DSP和微控制器等数字处理器,无需在系统中采用音频编解码器。 阵列中的所有麦克风都同步对其声信号进行采样,从而实现精确的阵列处理。 ICS‐52000具有65dBA的高SNR和宽带频率响应。 灵敏度容差为±1dB,可实现无需进行系统校准的高性能麦克风阵列。 ICS-52000具有两种电源状态:正常运行和待机模式。 该麦克风具有软取消静音功能,可防止上电时发出声音。 从ICS-52000开始输出数据时开始,音量将在256WS时钟周期内上升到满量程输出电平。 采样率为48kHz,该取消静音序列大约需要5.3ms。 The ICS‐52000 features a high SNR of 65dBA and a wideband frequency response. The sensitivity tolerance is ±1dB enabling high‐performance micropho...
    发表于 11-05 17:07 225次 阅读

    IAM-20380 TDKInvenSenseIAM20380高性能陀螺仪

    venSense IAM-20380高性能陀螺仪具有0.5VDD至4V电压范围、400kHz时钟频率以及-40°C至+85°C工作温度范围。IAM-20380具有3轴集成,因此制造商无需对分立器件进行昂贵且复杂的系统级集成。TDK InvenSense IAM-20380高性能陀螺仪非常适合用于汽车报警器、远程信息处理和保险车辆追踪应用。 特性 数字输出X、Y和Z轴角速率传感器(陀螺仪) 用户可编程满量程范围为±250dps、±500dps、±1000dps和±2000dps 集成16位ADC 用户可编程数字滤波器,用于陀螺仪和温度传感器 按照AEC-Q100执行&...
    发表于 11-03 10:07 300次 阅读

    MPF5024AMMA0ES NXP Semiconductors PF502x电源管理集成电路

    502x电源管理集成电路 (PMIC) 在一个器件中集成了多个高性能降压稳压器。PF502x PMIC既可用作独立的负载点稳压器IC,也可用作较大PMIC的配套芯片。 NXP PF502x电源管理集成电路 (PMIC) 具有用于关键启动配置的内置一次性可编程 (OTP) 存储器存储。借助该OTP特性,可减少通常用于设置输出电压和稳压器序列的外部元件数量,从而打造时尚器件。启动后,稳压器参数可通过高速I2C进行&#...
    发表于 11-02 12:06 421次 阅读

    T3902 TDKInvenSenseT3902低功耗多模麦克风

    vensense T3902低功耗多模麦克风具有185µA至650µA电流范围、36Hz至>20kHz额定频率以及3.5mm × 2.65mm × 0.98mm表面贴装封装。T3902麦克风由一个MEMS麦克风元件和一个阻抗转换器放大器,以及之后的一个四阶调制器组成。T3902系列具有高性能、低功耗、标准和睡眠等工作模式。TDK Invensense T3902低功耗多模麦克风非常适合用于智能手机、相机、平板电脑以及安全和监控应用。 特性 3.5mm × 2.65mm × 0.98mm表面贴装封装 低功耗模式:185µA 扩展频率响应:36Hz至>20kHz 睡眠模式电流:12µA 高电源抑制 (PSR):-97dB FS 四阶∑-Δ调制器 数字脉冲密度调制 (PDM) 输...
    发表于 10-30 11:06 345次 阅读

    ICS-40740 TDKInvenSenseICS40740超低噪声麦克风

    venSense ICS-40740超低噪声麦克风具有超低噪声、高动态范围、差分模拟输出和1个底部端口。TDK InvenSense ICS-40740器件采用MEMS麦克风元件、阻抗转换器、差分输出放大器和增强型射频封装。ICS-40740器件具有70dB SNR和±1dB灵敏度容差,因此非常适合用于麦克风阵列和远场语音控制应用。 特性 70d BA信噪比 -37.5dBV灵敏度 ±1dB灵敏度容差 4mm x 3mm x 1.2mm表面贴装封装 80Hz至20kHz扩展频率响应 165µA电流消耗 132.5dB SPL声学过载点 -87d BV PSR 兼容无锡/铅和无铅焊接工艺 符合RoHS指令/WEEE标准 ...
    发表于 10-30 10:06 455次 阅读

    IAM-20680 TDKIAM20680 MEMSMotion Tracking器件

    venSense IAM-20680 6轴MotionTracking器件在3mm x 3mm x 0.75mm的小尺寸封装中集成了3轴陀螺仪和3轴加速度计。IAM-50680器件具有片上16位ADC、可编程数字滤波器、嵌入式温度传感器和可编程中断。TDK InvenSense IAM-20680 6轴MotionTracking器件非常适合用于360°视角相机稳定、汽车报警器和远程信息处理应用。 特性 数字输出X、Y和Z轴角速率传感器(陀螺仪) 用户可编程满量程范围为±250dps、±500dps、±1000dps和±2000dps,集成16位ADC 数字输出X、Y和Z轴加速度计,具有±2g、±4g、±8g和±16g的可编程满量程范围,集成16位ADC 用户可编程数字滤波器,用于陀螺仪、加速度计和温度传感器 自检功能 唤醒运动中断,用于应用处理器的低功耗运行 按照AEC-Q100执行的可靠性测试 按要求提供PPAP和认证数据 应用 导航系统航位推算辅助功能 ...
    发表于 10-29 13:06 968次 阅读
    IAM-20680 TDKIAM20680 MEMSMotion Tracking器件

    MAXM17720AMB+ Maxim Integrated MAXM17712/20/24 PMIC

    Integrated MAXM17712/20/24电源管理专用IC (PMIC) 是喜马拉雅微型系统级IC (µSLIC) 电源模块,可实现散热更好、尺寸更小、更加简单的电源解决方案。这些IC将高效率150 mA同步降压直流-直流转换器和高PSRR、低噪声、50mA线性稳压器集成到µSLIC™电源模块中。该PMIC在4V至60V宽输入电压范围内工作。该降压转换器和线性稳压器可提供高达150mA和50mA输出电流。 直流-直流转换器的输出用作线性稳压器的输入。这些线性稳压器在不同模块中提供1.2V至3.3V固定输出电压。MAXM17712/20/24模块采用薄型设计,采用2.6mmx3mmx1.5mm µSLIC封装。典型应用包括工业传感器、暖通空调和楼宇控制、电池供电设备以及LDO替代品。 特性 易于使用: 4V至60V宽输入降压转换器 可调节及固定的输出电压模块 内部电感器和补偿 降压转换器输出电流高达150mA 线性稳压器输出的精度为±1.3%,FB精度为±2% 全陶瓷电容器、紧凑布局 ...
    发表于 10-29 13:06 229次 阅读
    MAXM17720AMB+ Maxim Integrated MAXM17712/20/24 PMIC

    MAX40027ATC/VY+ Maxim Integrated MAX40027双路高速比较器

    MAX40027双路高速比较器具有280ps典型传播延迟。这些比较器具有极低过驱分散(25ps,典型值),因此非常适合用于飞行时间、距离测量应用。该器件的输入共模范围为1.5V至V+ 0.1V,与MAX40658、MAX40660和MAX40661等多个广泛使用的高速跨阻放大器的输出摆幅兼容。输出级为LVDS(低压差分信号),有助于最大限度地降低功耗,直接与诸多FPGA和CPU连接。互补输出有助于抑制每个输出线上的共模噪声。MAX40027采用小型、节省空间的3mm x 2mm、12引脚TDFN封装,带侧面可湿性侧翼,符合AEC-Q100汽车级认证要求。MAX40027的工作温度范围为-40°C至+125°C,可在2.7V至3.6V电源电压下工作。 特性 快速传播延迟:280ps(典型值) 低过驱色散:25ps(VOD=10mV至1V)  电源电压:2.7V至3.6V 2.7V电源时45.9mw(每个比较器) 节能型LVDS输出 温度范围:-40°C至+125°C 符合汽车类AEC-Q100标准 小型3mm x 2mm TDFN封装,带可湿性侧翼 ...
    发表于 10-29 13:06 216次 阅读
    MAX40027ATC/VY+ Maxim Integrated MAX40027双路高速比较器

    LPC55S66JBD64K NXP Semiconductors LPC55S6x Arm® Cortex®-M33微控制器

    miconductors LPC55S6x Arm Cortex-M33微控制器 (MCU) 采用Arm双核和Arm TrustZone 技术,适用于工业、楼宇自动化、物联网 (IoT) 边缘计算、诊断设备和消费电子应用。这些器件基于Armv8-M架构,采用低功耗40nm嵌入式闪存工艺,具有先进的安全特性。 LPC55S6x微控制器具有一套独特的安全模块,可为嵌入式系统提供层保护,同时保护最终产品在整个生命周期内免受未知或意外的威胁。这些块包括基于可信根和配置的SRAM PUF、来自加密图像的实时执行&...
    发表于 10-29 13:06 319次 阅读