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如何寻找合适的运算放大器的移动应用程序

星星科技指导员 来源:意法半导体 作者:意法半导体 2022-05-18 10:50 次阅读

ST 运算放大器(适用于iOSAndroid)是第一个指导工程师寻找合适的运算放大器 (op amp)的移动应用程序,同时还提供交叉参考功能以找到 ST 竞争设备的替代品。运算放大器是模拟电路的基本组成部分之一,因为它们放大信号而不会因严重干扰而影响信号。因此,我们在许多不同的设置中发现它们,例如用于算术计算(加法、减法等)的硬件单元或保证主机微控制器 (MCU) 可以处理来自低功耗传感器的数据。尽管有时会被忽视,但运算放大器在设计性能和选择正确的组件(如例如,最精确的纳米功率运算放大器 TSU111 会对最终产品的电池寿命产生巨大影响。

因此,ST 运算放大器不仅仅是一个简单的应用程序编目设备,而是一种让工程师和爱好者了解最新开发和发布的方式,这要归功于其新闻部分可直接从其主屏幕访问。此外,该应用程序还会在首次启动后将其内容下载到移动设备上,因此用户无论何时何地需要对完成设计至关重要的特定信息,仍然可以离线欣赏它。事实上,ST 运算放大器是一个很好的伴侣。它的“产品选择器”、“原理图”、“技术信息”和“交叉参考”功能非常强大, 虽然无法详细解释这个丰富的应用程序提供的所有内容,但让我们看看它的原因远不止于此只是一个运算放大器应用程序。

原因 1:它也是一个策展人和灵活的搜索引擎

ST 运算放大器应用程序的优势之一是其“产品选择器”认识到工程师可能实际上不需要运算放大器本身,而是其架构的衍生产品,这就是用户首先获得类别列表的 原因(参见右边的截图)。因此,希望将电压与特定阈值进行比较(出于保护考虑,例如过热或欠压检测)的设计人员将在“比较器”类别中找到他们需要的东西。同样,构建必须测量电流电路的团队不需要滚动数百个选项,因为他们可以直接进入“电流检测”部分。最终,ST 策划了这些经验,以指导工程师为他们的设计找到最佳解决方案。

需要典型运算放大器的爱好者仍然需要对近三百个设备进行分类,这可能会令人生畏。因此,ST 运算放大器还为此类应用提供了最全面的参数搜索引擎之一,具有多达 18 种不同的滤波器。自然地,工程师在搜索组件时不会把它们都填满,但是这种大量的选择使应用程序保持灵活。例如,一家汽车制造商的工程师正在研究将传感器信号传输到主机 MCU 的电路,如果他们无法选择“Autograde”,那么他们会感到不知所措,然后选择了一个小的 V IO值以保证真正的高精度。通过提供如此广泛的参数选择,我们计划了大量的场景,确保我们的应用程序保持相关性,并且大多数工程师可以找到他们用例所需的少数过滤器。

原因2:它也是一种交流和教学工具

ST 运算放大器的结构也使其成为一种出色的沟通工具,因此工程团队可以与可能并不总是对特定设计的所有技术细节有深入了解的决策​​者建立联系。因此,“产品选择器”的主要类别充当了破冰船,可以将对话引导到更合适的解决方案。同样,有这么多参数,人们可以用通俗的话表达他们在寻找什么,设计师可以将其转化为规范,以确保每个人都知道他们得到了什么以及期望什么。

此外,那些希望更深入了解设备技术方面的人可以直接从应用程序下载其数据表。但是,我们必须注意,这种类型的文档不是离线内容的一部分,需要 Internet 连接。但是,一旦下载,该应用程序会将其存储在设备上,以便离线和轻松检索。希望释放空间的用户可以转到“设置”并单击“释放内存”。

ST 运算放大器还凭借其宝贵的“原理图”类别与工程师交流,该类别充当计算器和查找工具,用于计算运算放大器设计时所需的最常见电路和数学公式。同样,“技术信息”类别提供了重要的提示、定义和提醒,以帮助爱好者或学生。因此,该应用程序是一种教学工具,也是一种根据特定应用程序选择运算放大器的方法。例如,在“原理图”中,用户选择一种电路,输入其基本值,应用程序不仅可以处理主要计算,还可以建议相关设备。

原因3:这也是一条通往卓越的道路

事实上,ST 运算放大器应用程序最出人意料的是其“交叉参考”部分,因为此功能使用户能够检查组件的主要替代品,而无需考虑制造商。事实上,由于非常不寻常而经常被忽视的特性是基本的,因为工程师并不总是质疑他们在运算放大器中的选择,通常依赖于过去的解决方案。但是,如果他们搜索竞争设备,“交叉参考”功能将自动显示 ST 的替代解决方案,并通过表格比较其重要规格。因此,团队要么相信他们做出了正确的选择,要么会看到如何改进他们的设计。最终,该应用程序不仅仅是帮助我们推动产品发展的一种方式,而是支持工程和爱好者社区的工具。

如果用户选择使用 ST 组件,每个产品页面底部的一个名为“Sample and Buy”的栏将引导他们在领先的渠道合作伙伴处购买设备,以便他们可以快速开始使用它。 毕竟,运算放大器很容易因为其商品化而被忽视。然而,正如我们发现的那样,正确的可以推动性能,反之,错误的会产生灾难性的结果。这就是为什么ST op-amps 应用程序试图降低进入门槛,并将人们聚集在一起讨论最适合设计的运算放大器所以每个人都可以为他们建造的东西感到自豪,一直到最后的细节。请在下方的评论部分告诉我们您对 ST 运算放大器的看法以及您希望看到的功能。

审核编辑:郭婷

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    oelectronics LDK220 低压差稳压器以 2.5V 到 13.2V 范围的输入电压,提供 最大为 200mA 的输出电流 ,而典型压差仅为 100mV。它通过 输出上的陶瓷电容保持稳定。启用逻辑控制功能 可将 LDK220 置于关闭模式,从而实现 低于 1μA 的总电流消耗。该器件还包含短路恒定 电流限制和热保护。 LDK220 极低的压降、低静态电流和低噪声的特性,使其非常适合电池供电应用。 特性 输入电压从2.5到13.2V 非常低的下降电压(100米V型。 @100米负荷) Low quiescent current (typ. 40μA, 1μA in off mode) 低噪音 Output voltage tolerance: ±2.0% @ 25°C 保证输出电流200mA 可根据要求提供宽范围的输出电压:从1.2V固定到12V,有100MV的步进和可调 逻辑控制的电子关机 Compatible with ceramic capacitor COUT = 1μF 内部电流和热极限 可在SOT23-5L、SOT323-5L和DFN6-1.2x1.3包中使用 Temperature range: -40°C to 125°C ...
    发表于 11-09 12:07 267次 阅读

    STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

    oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
    发表于 11-09 12:07 213次 阅读

    PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

    oelectronics PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装 (SiP) 中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET,采用双半桥配置。集成式功率MOSFET的漏源导通电阻或RDS (ON) 为1.38Ω,漏源击穿电压为600V。嵌入式栅极驱动器的高侧可方便地通过集成自举二极管供电。PWD5F60功率驱动器的集成度高,因此能在空间受限的应用中高效地驱动负载。 PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻&...
    发表于 11-09 12:07 175次 阅读

    STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

    oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm® 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
    发表于 11-06 09:07 375次 阅读

    ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

    oelectronics低静态电流LDO线性稳压器经过优化提供超低静态电流 (I)。I比其供电的平均负载电流低,或者相当。该功能对于电力有限的应用非常有必要,例如电池供电的设备或长时间待机、符合环保标准的设备。这延长了电池寿命,降低了整体功耗。 这些低静态电流LDO稳压器非常适合用于便携式消费类电子设备,例如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和可穿戴设备。工业、智能建筑和智能家居传感器还得益于超低静态电流(工作和禁用(待机) 模式下...
    发表于 11-05 17:07 149次 阅读

    LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

    oelectronics LD56100超低噪声线性稳压器在1.8-5.5V输入电压范围内提供1A电流,典型压差为120mV。LD56100采用DFN8 (1.2x1.6mm) 封装,在最大程度上节约空间。该器件通过输出上的陶瓷电容保持稳定。LD56100适合用于低功耗电池供电应用,具有超低压差、低静态电流、快速瞬态响应和内部软启动电路等功能。 特性 输入电压:1.8V至5.5V 超低压差(120mV典型值,1A负载和VOUT=3.3V时) 非常低的静态电流(无负载时的典型值为100μA,断开模式下典型值为0.03μA) 输出电压容差:±1%(-40°C至+85°C) 超低噪声ʍ...
    发表于 11-05 17:07 204次 阅读

    VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

    半导体 VND70x0 车用高侧驱动器是单或双通道高侧驱动器,采用 ST 专有 VIPower® M0-7 技术制造,并采用 SO-8、PowerSSO-12 和 PowerSSO-16 封装形式。这些器件用于通过 3V 和 5V CMOS 兼容型接口驱动 12V 汽车接地负载。 特性 极低电压操作,用于深冷分级应用 合格汽车 综合的普遍的一般常规 单通道或双通道智能高侧驱动器与多感觉或电流感觉模拟反馈 非常低的待机电流 兼容3V和5VCMOS输出 多感官诊断功能 多路/电流感知模拟反馈:高精度比例电流镜负载电流、VCC电源电压和TCHIP器件温度 过载和短到地面(功率限制)指示 热停机指示 OFF-状态开负载检测 输出短到VCC检测 感觉启用/禁用 贸易保护措施(向歹徒缴纳的)保护费 未压缩关机 高压钳 负载电流限制 快速热瞬变的自限制 具有专用故障复位引脚的超温或功率限制的可配置闭锁 地面损失和VCC损失 带有外部组件的反向电池 静电放电保护 ...
    发表于 10-30 14:06 217次 阅读

    PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

    oelectronics PWD13F60栅极驱动器是一款高密度电源驱动器和高压全桥,带集成栅极驱动器。PWD13F60器件接受电源电压范围广,受低压UVLO检测保护。这些PWD13F60栅极驱动器电源系统级封装和高压功率MOSFET具有低R (320mΩ) 和600V漏源击穿电压。PWD13F60栅极驱动器轻松连接微控制器和DSP单位或霍尔效应传感器,输入引脚范围广。这些PWD13F60栅极驱动器还具有宽驱动器电源电压、内部自举二极管,输出与输入同步,让设计更加灵活、简单和快速。PWD13F60采用10mmx13mmx1.0mm VFQFPN封装。典型应用包括工厂自动化、电机驱动器(用于工业和家用电器)、风扇和泵以及电源装置。 特性 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET 低R DS(开启)=320mΩ BVDSS =600伏 适合用作 全桥 双独立半...
    发表于 10-30 14:06 247次 阅读

    LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

    oelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO的输入电压范围为1.5V至5.5V,250mA负载下的压差极低。LDLN025可延长需要长待机时间应用的电池寿命。该LDO的静态电流非常低,空载时仅12μA。LDLN025提供非常干净的输出,得益于其超低噪声值和高电源抑制比 (PSRR) 特性,非常适合用于超敏感型负载。该LDO采用陶瓷电容器,因此性能稳定。 特性 超低输出噪声:6.5μ VRMS 工作输入电压范围:1.5V至5.5V 输出电流高达250mA 非常低的静态电流:空载时为12μA 超低压差:250mV (250mA) 极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz 线路、负载和温度范围内...
    发表于 10-30 14:06 143次 阅读

    LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

    oelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC可在2.5V至18V输入电压范围内提供最大1.2A电流。LDL212在1.2A电流下的典型压差值为350mV。LDL212适合用于在SMPS中实现直接稳压和在直流-直流转换器中实现二次线性稳压。该 IC 在 120Hz 时具有 87dB 的高电源抑制比,100kHz 时为 40dB。LDL212 采用使能逻辑控制功能实现关断模式,从而降低总电流消耗。该器件还具有限流、SOA和热保护功能。 特性 输入电压范围:1.6V至5.5V 极低压差(1A负载下的典型值为300mV) 低静态电流(无负载时的典型值为35μA,断开模式下的典型值为1μA) 输出电压容差:±2...
    发表于 10-30 11:06 173次 阅读

    LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

    oelectronics LED200x单片步进式DC-DC转换器是850k Hz的转换器,设计成精确的恒流源,可调节的电流能力可达4ADC。 嵌入式PWM调光电路提供LED亮度控制。 由于高开关频率和陶瓷输出电容兼容性,整体应用的尺寸被最小化。 器保护,防止热过热,过流和输出短路。 特性 3V到18V工作输入电压范围 850千赫兹固定开关频率 100mV类型。 电流感电压下降 PWM调光 ± 7% output current accuracy 同步整改 95mΩ HS / 69mΩ LS typical R DS(开启) 峰电流模式架构 嵌入式补偿网络 内部限流 陶瓷输出电容器兼容 热停机 申请 高亮度LED驱动 一般照明 卤素子弹再置术 签名 ...
    发表于 10-30 11:06 161次 阅读

    STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

    oelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器是一款系统级封装器件,提供的集成解决方案适用于使用不同驱动模式驱动三相无刷电机。STSPIN32F0B控制器内置三个半桥栅极驱动器,能够驱动功率MOSFET,电流能力为600mA(拉电流和灌电流)。得益于集成联锁功能,不能同时驱动相同半桥的高侧和低侧开关。 该器件设有内部直流/直流降压转换器,可提供3.3V电压,适合为MCU和外部元件供电。另外,内部LDO线性稳压器可为栅极驱动器提供电源电压。集成运算放大器可用于信号调理,从而在&#...
    发表于 10-30 10:06 358次 阅读

    STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

    oelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC包含高电压双端控制器、高达800V额定电压部分以及监视这三块运行的胶合逻辑。PFC部分采用专有的恒定导通时间控制方法,无需正弦输入参考。这可减少系统成本和外部零部件数量。 特性 一般特性 SO20W封装 800V高压启动,带集成输入电压检测 有源输入滤波电容放电电路,可降低待机功耗,通过IEC 62368-1和UL Demko认证 适用于两款转换器的独立调试模式 PFC控制器特性 增强型恒定导通时间PFCʌ...
    发表于 10-30 10:06 275次 阅读

    LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

    oelectronics LD39100低噪声稳压器最大电流为1A, 输入电压范围为1.5-5.5V,典型压差为200mV。该器件的输入和输出采用陶瓷电容器,具有超低压差、低静态电流和低噪声等特点。这些特性让LD39100非常适合低功率电池供电应用。电源抑制在低频率时为70dB,在10kHz时开始滚降。通过使能逻辑控制功能,LD39100可在消耗总电流低于1μA时处于关断模式。该器件还具有短路恒流限制和热保护功能。LD39100还提供符合AEC-Q100标准的版本,采用侧面可湿的DFN6 (3x3mm) 封装。 特性 符合AEC-Q100标准 输入电压范围:1.5V至5.5V 超低压差(1A负载时的典型值为200mV) 极低静态电流(无负载时的典型值为20μA,1A负载时的典ࣁ...
    发表于 10-30 10:06 268次 阅读

    L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

    oelectronics L6498高压半桥驱动器是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。该驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流,因此L6498特别适合用于中大容量功率MOSFET/IGBT。由于集成联锁功能,所以输出不能同时驱动高位。位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或...
    发表于 10-30 10:06 310次 阅读

    L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

    oelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 该器件是单输入栅极驱动器,具有可编程死区时间,并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流, 位于下、上驱动部分的独立UV...
    发表于 10-29 13:06 192次 阅读