小米真自研澎湃P1，120W单电芯快充电荷泵芯片，合作企业力挺！

电子发烧友网报道（文/李诚）2月8日，有网友晒出了一张关于小米澎湃P1电荷泵芯片与南芯SC8571的晶圆丝印对比图，该图片的曝光让众多网友对小米澎湃P1一直声称自研的真实性产生了质疑，并一度登上了微博热搜。

上图为小米澎湃P1和南芯SC8571的芯片内部结构和晶圆丝印对比图，通过对比发现两款芯片的整体结构以及晶圆丝印编号上都存在着相似性，就连芯片上的电路连接部分也存在着很高的一致性。

在芯片性能方面，小米澎湃P1和南芯SC8571同属于手机端应用的电荷泵芯片，同样具备120W的超高功率快充能力。只不过小米澎湃P1支持120W的单电芯充电架构，而南芯SC8571仅支持120W的双电芯充电架构。

2月8日下午，就小米澎湃P1芯片自研真实性的问题，合作企业上海南芯半导体科技股份有限公司在官方微博上为其发声，就不实传言进行辟谣。

图源：南芯半导体

声明中明确指出，南芯半导体仅仅只是负责代工部分，小米澎湃P1芯片由小米设计完成，并不存在与网上相关的不实行为。

 
左图：澎湃P1电路拓扑 右图：南芯SC8571电路拓扑

并且，南芯半导体还在说明中明确指出了小米澎湃P1和SC8571在电路拓扑结构、功能、芯片细节以及芯片定位等多个方面所存在的差异，以此证明这是两款不同的充电芯片。其中在电路拓扑上的差异最为明显，小米澎湃P1采用的是单电芯的拓扑架构，支持1:1、2:1和4:1三种转换模式；而南芯SC857采用的是双电芯的拓扑架构，支持4:2和2:2两种模式。

谈完芯片的区别，我们再来谈谈能力，在芯片自研的赛道上，小米在芯片制造方面完全不输其他手机厂商。虽然小米第一款自研芯片反响平平，但小米积累了充足的芯片设计经验，并在近两年调整了芯片开发的方向，由手机外围轻量级的芯片入手，于去年3月成功自研的ISP芯片小米澎湃C1，并在量产机型中得到了应用。该芯片的批量上机，进一步为小米铺平了未来芯片发展的道路。

同时，小米在手机快充领域，一直都是标杆级的存在，无论是在有线充电领域还是无线充电领域。其中，澎湃P1是业界首颗实现120W单电芯快充的电荷泵芯片，单电芯的拓扑架构进一步提升了手机内部空间的利用率，提高了电能的转换效率，减少了3%~4%的电量损失，在充电效率与功率密度方面也有不小的提升，填补了行业内120W单电芯快充的空白。

无线充方面，小米10Pro的30W无线充电功能，在2020年获得了泰尔实验室颁发国内首张快速无线充电能力五星证书。截至目前，小米的无线充电功率最高已提升到了100W，一度领先过国内外一众企业。


结语

回顾小米手机近年来在快充领域的发展，可以小米手机发展得还是相当迅速的。从2016年开始，小米手机开始进入18W快充时代，4年后实现100W的突破，并成为了业界内首个量产120W快充的手机品牌，还是有理由相信小米在快充电源领域的实力。