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ST对电机控制的投入推进了环保革命

STM_IPGChina 来源:意法半导体PDSA 作者:意法半导体PDSA 2022-01-24 16:40 次阅读

ST对电机控制的投入推进了环保革命

在环保革命理念的指引下,电机控制正向着更高效电机和驱 动器的方向快速发展。此外,为了支持新技术的市场占有率,需要以最低成本提高集成度,同时提升安全性和可靠性。ST致力于电机控制方面的研究已有20余年,是最早意识到这些趋势的公司

意法半导体正通过一系列的创新突飞猛进,诸如集成式智能功率模块和系统级封装、单片式电机驱动器、快速高效的功率开关、具有电压瞬态保护功能的可控硅、以及功能强大且安全的微控制器等。无论您使用哪种电机技术(从传统的和坚固的,到最现代的和最高效的),ST都能够提供合适的电子器件和完整的生态系统(包括一系列评估板、参考设计、固件和开发工具),以简化和加速设计流程。

最新版《电机控制参考指南指南》包括:

意法半导体电机控制生态系统

PMSM& BLDC电机

3相感应电机 (ACIM)

步进电机

直流有刷电机

通用电机

开关磁阻电机

微控制器

STM32电机控制生态系统

电机驱动器IC

电源模块

功率MOSFET

IGBT

600-650V IGBT系列

1200V IGBT系列

二极管 & 整流器

晶闸管、双向可控硅和交流开关

保护和滤波器

MOSFET和IGBT栅极驱动器

碳化硅和氮化镓栅极驱动器

电流、速度和位置感应

原文标题:【下载最新版ST电机控制参考指南

文章出处:【微信公众号:意法半导体PDSA】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

审核编辑:汤梓红

原文标题:【下载】最新版ST电机控制参考指南

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    发表于 11-09 12:07 171次 阅读

    STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

    oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm® 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
    发表于 11-06 09:07 361次 阅读

    ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

    oelectronics低静态电流LDO线性稳压器经过优化提供超低静态电流 (I)。I比其供电的平均负载电流低,或者相当。该功能对于电力有限的应用非常有必要,例如电池供电的设备或长时间待机、符合环保标准的设备。这延长了电池寿命,降低了整体功耗。 这些低静态电流LDO稳压器非常适合用于便携式消费类电子设备,例如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和可穿戴设备。工业、智能建筑和智能家居传感器还得益于超低静态电流(工作和禁用(待机) 模式下...
    发表于 11-05 17:07 143次 阅读

    LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

    oelectronics LD56100超低噪声线性稳压器在1.8-5.5V输入电压范围内提供1A电流,典型压差为120mV。LD56100采用DFN8 (1.2x1.6mm) 封装,在最大程度上节约空间。该器件通过输出上的陶瓷电容保持稳定。LD56100适合用于低功耗电池供电应用,具有超低压差、低静态电流、快速瞬态响应和内部软启动电路等功能。 特性 输入电压:1.8V至5.5V 超低压差(120mV典型值,1A负载和VOUT=3.3V时) 非常低的静态电流(无负载时的典型值为100μA,断开模式下典型值为0.03μA) 输出电压容差:±1%(-40°C至+85°C) 超低噪声ʍ...
    发表于 11-05 17:07 200次 阅读

    VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

    半导体 VND70x0 车用高侧驱动器是单或双通道高侧驱动器,采用 ST 专有 VIPower® M0-7 技术制造,并采用 SO-8、PowerSSO-12 和 PowerSSO-16 封装形式。这些器件用于通过 3V 和 5V CMOS 兼容型接口驱动 12V 汽车接地负载。 特性 极低电压操作,用于深冷分级应用 合格汽车 综合的普遍的一般常规 单通道或双通道智能高侧驱动器与多感觉或电流感觉模拟反馈 非常低的待机电流 兼容3V和5VCMOS输出 多感官诊断功能 多路/电流感知模拟反馈:高精度比例电流镜负载电流、VCC电源电压和TCHIP器件温度 过载和短到地面(功率限制)指示 热停机指示 OFF-状态开负载检测 输出短到VCC检测 感觉启用/禁用 贸易保护措施(向歹徒缴纳的)保护费 未压缩关机 高压钳 负载电流限制 快速热瞬变的自限制 具有专用故障复位引脚的超温或功率限制的可配置闭锁 地面损失和VCC损失 带有外部组件的反向电池 静电放电保护 ...
    发表于 10-30 14:06 207次 阅读

    PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

    oelectronics PWD13F60栅极驱动器是一款高密度电源驱动器和高压全桥,带集成栅极驱动器。PWD13F60器件接受电源电压范围广,受低压UVLO检测保护。这些PWD13F60栅极驱动器电源系统级封装和高压功率MOSFET具有低R (320mΩ) 和600V漏源击穿电压。PWD13F60栅极驱动器轻松连接微控制器和DSP单位或霍尔效应传感器,输入引脚范围广。这些PWD13F60栅极驱动器还具有宽驱动器电源电压、内部自举二极管,输出与输入同步,让设计更加灵活、简单和快速。PWD13F60采用10mmx13mmx1.0mm VFQFPN封装。典型应用包括工厂自动化、电机驱动器(用于工业和家用电器)、风扇和泵以及电源装置。 特性 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET 低R DS(开启)=320mΩ BVDSS =600伏 适合用作 全桥 双独立半...
    发表于 10-30 14:06 233次 阅读

    LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

    oelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO的输入电压范围为1.5V至5.5V,250mA负载下的压差极低。LDLN025可延长需要长待机时间应用的电池寿命。该LDO的静态电流非常低,空载时仅12μA。LDLN025提供非常干净的输出,得益于其超低噪声值和高电源抑制比 (PSRR) 特性,非常适合用于超敏感型负载。该LDO采用陶瓷电容器,因此性能稳定。 特性 超低输出噪声:6.5μ VRMS 工作输入电压范围:1.5V至5.5V 输出电流高达250mA 非常低的静态电流:空载时为12μA 超低压差:250mV (250mA) 极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz 线路、负载和温度范围内...
    发表于 10-30 14:06 139次 阅读

    LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

    oelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC可在2.5V至18V输入电压范围内提供最大1.2A电流。LDL212在1.2A电流下的典型压差值为350mV。LDL212适合用于在SMPS中实现直接稳压和在直流-直流转换器中实现二次线性稳压。该 IC 在 120Hz 时具有 87dB 的高电源抑制比,100kHz 时为 40dB。LDL212 采用使能逻辑控制功能实现关断模式,从而降低总电流消耗。该器件还具有限流、SOA和热保护功能。 特性 输入电压范围:1.6V至5.5V 极低压差(1A负载下的典型值为300mV) 低静态电流(无负载时的典型值为35μA,断开模式下的典型值为1μA) 输出电压容差:±2...
    发表于 10-30 11:06 167次 阅读

    LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

    oelectronics LED200x单片步进式DC-DC转换器是850k Hz的转换器,设计成精确的恒流源,可调节的电流能力可达4ADC。 嵌入式PWM调光电路提供LED亮度控制。 由于高开关频率和陶瓷输出电容兼容性,整体应用的尺寸被最小化。 器保护,防止热过热,过流和输出短路。 特性 3V到18V工作输入电压范围 850千赫兹固定开关频率 100mV类型。 电流感电压下降 PWM调光 ± 7% output current accuracy 同步整改 95mΩ HS / 69mΩ LS typical R DS(开启) 峰电流模式架构 嵌入式补偿网络 内部限流 陶瓷输出电容器兼容 热停机 申请 高亮度LED驱动 一般照明 卤素子弹再置术 签名 ...
    发表于 10-30 11:06 151次 阅读

    STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

    oelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器是一款系统级封装器件,提供的集成解决方案适用于使用不同驱动模式驱动三相无刷电机。STSPIN32F0B控制器内置三个半桥栅极驱动器,能够驱动功率MOSFET,电流能力为600mA(拉电流和灌电流)。得益于集成联锁功能,不能同时驱动相同半桥的高侧和低侧开关。 该器件设有内部直流/直流降压转换器,可提供3.3V电压,适合为MCU和外部元件供电。另外,内部LDO线性稳压器可为栅极驱动器提供电源电压。集成运算放大器可用于信号调理,从而在&#...
    发表于 10-30 10:06 343次 阅读

    STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

    oelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC包含高电压双端控制器、高达800V额定电压部分以及监视这三块运行的胶合逻辑。PFC部分采用专有的恒定导通时间控制方法,无需正弦输入参考。这可减少系统成本和外部零部件数量。 特性 一般特性 SO20W封装 800V高压启动,带集成输入电压检测 有源输入滤波电容放电电路,可降低待机功耗,通过IEC 62368-1和UL Demko认证 适用于两款转换器的独立调试模式 PFC控制器特性 增强型恒定导通时间PFCʌ...
    发表于 10-30 10:06 253次 阅读

    LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

    oelectronics LD39100低噪声稳压器最大电流为1A, 输入电压范围为1.5-5.5V,典型压差为200mV。该器件的输入和输出采用陶瓷电容器,具有超低压差、低静态电流和低噪声等特点。这些特性让LD39100非常适合低功率电池供电应用。电源抑制在低频率时为70dB,在10kHz时开始滚降。通过使能逻辑控制功能,LD39100可在消耗总电流低于1μA时处于关断模式。该器件还具有短路恒流限制和热保护功能。LD39100还提供符合AEC-Q100标准的版本,采用侧面可湿的DFN6 (3x3mm) 封装。 特性 符合AEC-Q100标准 输入电压范围:1.5V至5.5V 超低压差(1A负载时的典型值为200mV) 极低静态电流(无负载时的典型值为20μA,1A负载时的典ࣁ...
    发表于 10-30 10:06 250次 阅读

    L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

    oelectronics L6498高压半桥驱动器是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。该驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流,因此L6498特别适合用于中大容量功率MOSFET/IGBT。由于集成联锁功能,所以输出不能同时驱动高位。位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或...
    发表于 10-30 10:06 291次 阅读

    L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

    oelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 该器件是单输入栅极驱动器,具有可编程死区时间,并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流, 位于下、上驱动部分的独立UV...
    发表于 10-29 13:06 168次 阅读