一分钟看懂芯片的制作过程

芯片的制作过程是相当复杂的，芯片制造是一层层向上叠加的，最高可达上百次叠加。每一次的叠加，都必须和前一次完美重叠，重叠误差要求是1~2纳米。而晶圆从传送模组放置在晶圆平台上，会产生一定的机械误差，而精密机械的误差是微米等级（1微米=1，000纳米）。每次曝光之前，必须针对每片晶圆做精密的量测，截取到晶圆每一个区块纳米等级的微小误差。在曝光阶段实时校正，达到纳米等级的准度。

DUV是深紫外线，EUV是极深紫外线。从制程工艺来看，DUV只能用于生产7nm及以上制程芯片。而只有EUV能满足7nm晶圆制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。

晶振的制作方法：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了晶振器，常见的有DIP（插脚类）和SMD（插片类）。

光刻机以极高的加速度进行扫描曝光，在不到0.1秒的时间，又要急停并回头往反方向扫描，这么大的力量如果不做控制，会让整机产生振动，是不可能达到完美成像的。ASML光刻机利用所谓的balance mass来吸收平衡晶圆平台所施加于机座的反作用力，使整座机台完全静止。

本文整合自：半导体行业联盟、CSDN

审核编辑：符乾江