三星SSD核心部件的技术自主化研发历程

在上篇中，我们探讨了三星以NAND闪存技术为基础，推动了存储介质从HDD到SSD模式的转变。

今天，我们就来了解一下，三星SSD核心部件的技术自主化研发历程，以及三星SSD产品的迭代与创新。

凭借SSD技术的自主化和创新

三星深受SSD市场青睐！

SSD 由 NAND 闪存、DRAM、控制器硬件和驱动该设备的固件（Firmware）组成。如果说，NAND闪存是存放书籍的“图书馆”，那么控制器就是整理书籍的“图书管理员”。

换句话说，NAND闪存通过提高数据集成度来增加SSD的容量，而控制器则是利用控制接口和内存之间的数据传输，并决定读取和写入顺序，以此提高SSD性能。 通过不断创新，三星实现了NAND闪存、控制器、固件等SSD核心部件的技术自主化。

在三星SSD商用化进程中，NAND 闪存的创新发挥了重要作用。2006年，三星研发出了可以突破浮栅（Floating Gate）技术局限的CTF（电荷撷取闪存，Charge Trap Flash） NAND技术，为SSD的发展带来重大成功。基于这项技术，三星将40nm 32Gb NAND闪存应用于SSD，并实现了产品的商用化。

在NAND闪存发展早期，三星就已经开始关注并坚信其即将打开新的应用领域。三星还曾预测，在2010年以后，SSD将超越GB（千兆字节，Gigabyte）时代，TB（太字节，Terabyte）的超容量半导体技术将成为可能。 现在，这种预测已经成为了现实。2010年，三星正式启动了消费级SSD业务。

2011年，推出了20纳米级高速NAND闪存，以及搭载了专用控制器的SSD 830系列产品。并于2012年推出了采用3bit MLC（TLC，TripleLevel Cell）NAND闪存的SSD 840系列产品，打破了过去认为“采用3bit MLC NAND闪存的SSD无法实现高性能、高可靠性运行”的观念。 2013年，三星开始量产3D V-NAND闪存，再一次突破了微技术的瓶颈。且实现了三维集成技术商用化。基于这项技术，三星开始不断拓展大容量SSD市场，并于2014年推出了搭载3D V-NAND的SSD 850系列产品，从此消费级市场也开始转向以V-NAND为基础的产品。

2013年，三星开始量产企业数据中心级1TB SSD，2016年推出15.36TB SSD，并于2018年推出企业数据中心级30.72TB SSD。自2006年32GB SSD亮相以来，仅仅经过12年时间，三星就将其存储容量增加了1000倍，开启了超高容量半导体时代。 目前，三星依然在闪存技术领域和SSD市场上进行创新，不断制造更多新惊喜，让我们一起继续期待吧。

责任编辑：haq