2021世界半导体大会暨南京国际半导体博览会

国家十四五规划明确了大力发第三代半导体，第三代半导体产业获得国家层面的大力扶持，进入发展快车道。同时，第三代半导体能够满足新基建中多个领域的需求，2021年国家、各省市发力新基建的强劲态势，再一次将第三代半导体推到风口浪尖。

受市场与国家政策层面的驱动，2021年6月11日，2021世界半导体大会暨南京国际半导体博览会——第二届国际第三代半导体产业发展高峰论坛在南京国际博览中心成功召开。国内首家6英寸化合物半导体企业——成都海威华芯科技有限公司应邀出席。

本次高峰论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、赛迪顾问股份有限公司共同主办。来自产业界的多位重磅嘉宾坐镇，会场座无虚席，论坛人气持续火爆，研讨交流气氛浓烈。

论坛上，成都海威华芯科技有限公司的副总经理黎明博士作题为《第三代半导体在新基建中的应用》的发言，从技术及市场层面介绍了第三代半导体在新基建中的广泛应用，分析了SiC、GaN芯片在5G基站、新能源电子、大数据中心等领域的应用场景及技术指标，介绍了海威华芯在第三代化合物半导体的产业布局、制程能力及行业地位，同时向产业界表达了海威华芯协同创新、合作共赢的发展理念。

黎明博士指出随着新基建产业的全面推进，核心芯片已由传统的Si逐步转向第三代半导体（GaN、SiC）芯片，海威华芯定位于化合物半导体芯片制造领域，在全产业链中处于核心环节，是连接芯片设计企业与整机供应商的纽带。根据国外知名调研机构Yole的调研报告，海威华芯在全球化合物半导体工业占据一席之地，是全球5G通讯射频芯片的制造厂商。

图片来源：Yole Development 2021

海威华芯自2011年成立以来，历经多年磨砺，持续发力化合物半导体芯片制造：2016年GaAs芯片实现量产；2017年，海威华芯产出了国内第一片6英寸SiC基GaN射频晶圆；2019年包括Si基GaN功率芯片等多款产品实现量产；2020年5G基站GaN射频芯片面向全球发布，SiC功率电子芯片进入小批量试产，不断的推动国内的第三代半导体芯片产业的发展。

“拥有开放的产线、成熟可靠的PDK以及六英寸晶圆制程等领先优势，海威华芯成为当前芯片短缺大潮下的稀缺资源”，黎明博士补充道。

从黎明博士的介绍可以看到，海威华芯拥有近多项化合物半导体相关专利，在第三代半导体核心工艺上拥有优秀的竞争力，能够为5G基站建设、新能源充电桩、大数据中心供电等领域提供“芯”支持。

海威华芯核心专利上榜知名统计机构 来源：Yole,Knowmade

在本次论坛上，黎明博士还向产业界重点推介了海威华芯在5G基站用功放芯片，新能源充电桩用功率芯片方向的热点产品，受到了产业界人士的一致好评及重点关注。

报告结束后，众多与会者与黎明博士就第三代半导体技术、市场、资本和应用前景等领域进行了深度交流与探讨。与会嘉宾对海威华芯的现有制造能力、未来研发路线表示了肯定，强烈表达出与海威华芯在SiC、GaN芯片产业上的合作意向与期盼。

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