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行芯科技亮相2025世界半导体博览会

行芯PHLEXING 来源:行芯PHLEXING 2025-06-26 15:05 次阅读
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此前,2025年6月20日-22日,全球半导体行业盛会——世界半导体博览会在南京国际博览中心盛大开幕。行芯科技受邀参与EDA/IP核产业发展高峰论坛,面对摩尔定律破局关键的3DIC技术,作为“守门员”的签核技术也迎来新的挑战与机遇,会议上市场代表发表《面向3DIC的Signoff挑战与行芯创新策略》主题演讲,展示自研3DIC Signoff全流程解决方案,引起行业高度关注。

直击3DIC Signoff行业痛点

面对Face-to-Face堆叠技术带来的指数级设计复杂度,传统签核工具难以应对耦合RC、信号完整性(SI)、电源完整性(PI)及热电应力等多物理场耦合挑战。行芯科技市场代表在演讲中指出:“3DIC签核已升级为多维度协同验证的系统工程,这要求EDA工具必须具备跨域协同能力。”

全链路自主方案破解困局

行芯科技突破三大核心壁垒:

多Die并行提取引擎——业内首个支持Face-to-Face晶圆堆叠的寄生参数解决方案,实现跨层电容高精度建模

多物理场联合签核平台——融合SI/PI分析、功耗验证与热力仿真,构建闭环验证体系

践行Shift Left设计方法论——将电源网络优化与功耗分析前置设计阶段,减少迭代周期

目前该方案已成功应用于国内Top设计公司先进工艺合作项目,助力客户实现首次3DIC芯片流片即签核通过。在EDA国产化攻坚的关键时期,行芯科技将持续深化与产业链伙伴协作,以扎实的技术积累推动半导体自主可控进程。

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原文标题:行芯科技WSCE亮剑:破局3DIC Signoff新挑战

文章出处:【微信号:Phlexing,微信公众号:行芯PHLEXING】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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