0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

关于DDR3和FPGA部分的20个设计规范总结

FPGA之家 来源:ZYNQ公众号 作者:一颗理智松 2021-05-03 11:18 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

DQ0-7 八根线必须连到同一T块(也称为字节组)上,一旦分在一起,这个字节组就不能放地址线和控制线了,只能放数据线。

每组数据线对应的DQS必须连到N6,N7上,也就是QBC或者是DBC上

字节组的N1和N12不能使用作为数据线,并且如果这个字节组放了其他数据线,则N1,N12相当于废掉,地址线和控制线也不能放。

DM信号必须位于与其相对应的DQ所在的字节组的N0引脚上

当然如果禁用DM,N0可以用于其他DQ,但是不能给地址线和控制线,

如果禁用DM,必须将其在PCB上拉低,

x4作为半个字节,必须成对使用,比如半个字节,一个字节,两个字节,四个字节 分别对应DQ0-3 DQ0-7 DQ0-15 DQ0-31

如果是用四片DDR,必然会用到3个bank,三个bank必须连续,地址线控制线bank必须位于中间bank,

地址线和控制线必须位于同一bank中,并且,可以位于那一个字节通道的13个引脚的任何一个。

对于RDIMM和UDIMM的双插槽配置,cs,odt,cke和ck端口宽度加倍。

ck对必须位于地址/控制字节通道中的任何PN对上

RESET_N可以位于任何引脚,且IO标准为SSTL15 复位的时候应该是拉低,加电期间保持高电平。加个4.7K下拉电阻

DDR使用的IObank必须在同一列中,64 65 66这样

支持接口最大是80位宽,五个DDR同时存在 对DIMM无效

不允许跳着bank使用DDR,比如使用64 66bank

并且有一个晶振输出放在地址线控制线bank的GCIO引脚上,而且必须是差分时钟

在UG571中指出,如果某一bank用于连接存储芯片,要将其VREF引脚连接1k电阻再到GND

如果字节组被设置用于存储IO那么不能将系统复位分配给字节N0和N6

给DDR ip核的时钟输入必须是差分时钟。

以上均属于个人拙见,不保证正确,仅供参考。

原文标题:总结了20个DDR3和FPGA部分的设计规范

文章出处:【微信公众号:FPGA之家】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

责任编辑:haq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • FPGA
    +关注

    关注

    1655

    文章

    22282

    浏览量

    630100
  • DDR
    DDR
    +关注

    关注

    11

    文章

    747

    浏览量

    68517

原文标题:总结了20个DDR3和FPGA部分的设计规范

文章出处:【微信号:zhuyandz,微信公众号:FPGA之家】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    HummingBird EV Kit - DDR3 引脚不匹配是怎么回事?

    下面是HummingBird EV Kit给的版图,其中DDR3_D0对应的应该是板子上的FPGA的C2引脚: 不过我在配置MIG的时候,通过读入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引脚
    发表于 11-06 07:57

    DDR3 SDRAM参考设计手册

    电子发烧友网站提供《DDR3 SDRAM参考设计手册.pdf》资料免费下载
    发表于 11-05 17:04 1次下载

    基于DDR200T开发板的e203进行DDR3扩展

    由于e203内部DTCM空间较小,所以本队针对DDR200T开发板进行针对e203的DDR3存储器扩展。 论坛中所给出的e203扩展DDR的方法大致分为两种,一种是直接将DDR存储器的
    发表于 10-21 12:43

    DDR200T中的DDR3的使用配置

    蜂鸟DDR200T中DDR3的ip配置案列,提供DDR3引脚配置。具体参数可更具项目实际更改。 这里选用的axi接口 在赛灵思的IP配置中没有MT41K28M6JT-125K内存的信息,因此选用
    发表于 10-21 11:19

    AD设计DDR3时等长设计技巧

    本文紧接着前一文档《AD设计DDR3时等长设计技巧-数据线等长 》。本文着重讲解DDR地址线、控制信号线等长设计,因为地址线、控制信号线有分支,SOC有可能带有2片DDR或者更多,我
    发表于 07-29 16:14 2次下载

    AD设计DDR3时等长设计技巧

    的讲解数据线等长设计。      在另一文件《AD设计DDR3时等长设计技巧-地址线T型等长》中着重讲解使用AD设计DDR地址线走线T型走线等长处理的方法和技巧。
    发表于 07-28 16:33 4次下载

    【RK3568+PG2L50H开发板实验例程】FPGA部分 | DDR3 读写实验例程

    方式比较灵活,采用软核实现 DDR memory 的控制,有如下特点: 支持 DDR3 支持 x8、x16 Memory Device 最大位宽支持 32 bit 支持精简的 AXI4 总线协议 一
    发表于 07-10 10:46

    在Vivado调用MIG产生DDR3的问题解析

    下面是调用的DDR3模块的,模块的倒数第二行是,模块的时钟输入,时钟源来自PLL产生的系统时钟的倍频。
    的头像 发表于 05-03 10:21 1214次阅读
    在Vivado调用MIG产生<b class='flag-5'>DDR3</b>的问题解析

    TPS51116 完整的DDRDDR2、DDR3DDR3L、LPDDR3DDR4 电源解决方案同步降压控制器数据手册

    TPS51116为 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3
    的头像 发表于 04-29 16:38 907次阅读
    TPS51116 完整的<b class='flag-5'>DDR</b>、<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR3</b>L、LPDDR<b class='flag-5'>3</b> 和 <b class='flag-5'>DDR</b>4 电源解决方案同步降压控制器数据手册

    DDR模块的PCB设计要点

    在高速PCB设计中,DDR模块是绝对绕不过去的一关。无论你用的是DDRDDR2还是DDR3,只要设计不规范,后果就是——信号反射、时序混乱
    的头像 发表于 04-29 13:51 2237次阅读
    <b class='flag-5'>DDR</b>模块的PCB设计要点

    DDR3 SDRAM配置教程

    DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代产品,相较于DDR2,
    的头像 发表于 04-10 09:42 3760次阅读
    <b class='flag-5'>DDR3</b> SDRAM配置教程

    灿芯半导体推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP

    灿芯半导体(上海)股份有限公司(灿芯股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平台的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。该IP具备广泛的协议兼容性,支持DDR3
    的头像 发表于 03-21 16:20 898次阅读

    268条PCB Layout设计规范(免积分下载)

    本文总结了PCB布线与布局和电路设计总共268条设计规范,供大家参考学习。 获取完整资料可下载附件哦!!!!
    发表于 03-05 16:26

    三大内存原厂或将于2025年停产DDR3/DDR4

    据报道,业内人士透露,全球三大DRAM内存制造商——三星电子、SK海力士和美光,有望在2025年内正式停产已有多年历史的DDR3DDR4两代内存。 随着技术的不断进步和消费级平台的更新换代
    的头像 发表于 02-19 11:11 3183次阅读

    中兴通讯的PCB设计规范

    中兴通讯的PCB设计规范
    发表于 02-08 15:31 9次下载