纳维科技将在苏州建设氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地

据苏州工业园区发布消息，1月24日，苏州纳维科技有限公司（以下简称“苏州纳维科技”）在园区举行总部大楼奠基仪式。

该项目位于苏州纳米城，总用地面积14000平方米，总建筑面积约34000平方米，将建设氮化镓（GaN）单晶衬底研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。

资料显示，苏州纳维科技成立于2007年5月，致力于第三代半导体产业核心关键材料氮化镓（GaN）单晶衬底的产业化开发。

据介绍，苏州纳维科技完成了从材料生长设备的自主研发到氮化镓单晶衬底的开发和产业化，率先实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸产品的关键核心技术，能够同时批量提供2英寸高导电、半绝缘氮化镓单晶。

苏州纳维科技董事长徐科表示，此次奠基的总部大楼将重点承担苏州纳维科技在生产、研发等方面的需求，标志着公司在市场、生产、研发等方面全面发力。
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