Rohm将 EV 用碳化硅功率半导体产能扩增至现行的 5 倍

电子零件厂加快对 EV 相关零件进行增产投资

随着电动车（EV）需求上升，也让日本各家电子零件厂增产 EV 零件抢攻 EV 商机，其中罗姆（Rohm）传出计划将 EV 用碳化硅（SiC）功率半导体产能扩增至现行的 5 倍。

日经新闻 15 日报导，日本各家电子零件厂加快对 EV 相关零件进行增产投资，其中 Rohm 计划在今后 5 年内投资 600 亿日圆，将使用于 EV 的 SiC 功率半导体产能扩增至现行的 5 倍。

富士电机（Fuji Electric）将投资约 1,200 亿日圆扩增日本国内外工厂产能、增产功率半导体；东芝（Toshiba）计划在 2023 年度结束前投资约 800 亿日圆，将功率半导体产能提高 3 成；日本电产（Nidec）将砸下 2,000 亿日圆在欧洲兴建 EV 用驱动马达新工厂。

报导指出，Rohm 在碳化硅（SiC）功率半导体的研发上居领先，于全球 SiC 功率半导体市场握有 2 成市占率，和英飞凌（Infineon）、STMicroelectronics 并列为全球主要供应商之一，而其产能扩增至 5 倍后、全球市占率有望提高至 3 成。Rohm 生产的半导体材料也以经由汽车零件厂的形式、使用于特斯拉（Tesla）的 EV 逆变器（inverter）上。

据报导，日厂增产 EV 相关零件，主要是因为全球各国推出减碳政策，推升 EV 需求。根据波士顿顾问集团（Boston Consulting Group，BCG）的试算，2025 年 EV 等电动化车款占全球新车销售量比重有望自 2020 年的 10% 扬升至 31% 水平。

日本市调机构富士经济（Fuji Keizai）2020 年 6 月 5 日公布调查报告指出，2030 年全球功率半导体市场规模预估将扩增至 4 兆 2,652 亿日圆，将较 2019 年（2 兆 9,141 亿日圆）大增 46.4%。

其中，2030 年碳化硅（SiC）制功率半导体全球市场规模预估将扩增至 2,009 亿日圆，将达 2019 年（436 亿日圆）的 4.6 倍；氮化镓（GaN）产品市场规模预估为 232 亿日圆，将达 2019 年（19 亿日圆）的 12.2 倍。

中国SIC汽车市场

来自ev sales的数据显示，2019年全球新能源汽车销量为215万辆，中国市场销量达到116万辆，占全球比重达54%。

据统计，2020年、2023年、2025年，中国新能源汽车产量分别为160万辆、320万辆、480万辆。2020-2022年，只有少部分B级及以上车型采用SiC基MOSFET，其他车型采用硅基IGBT，预计2023年是8英寸SiC衬底技术商业化初步成熟之年，届时，相当数量的B级及以上车型将采用SiC基MOSFET，A级及以下车型仍使用硅基IGBT。SiC基 MOSFET成本每年降低2%。

据中信建投证券估计，到2025年，中国新能源汽车用功率器件市场规模在100亿元以上，其中硅基IGBT逾70亿元，SiC基MOSFET近40亿元。

受益于混动和新能源汽车销量快速增长，以及新能源双积分政策推动，国内汽车功率半导体将保持旺盛的市场需求。中长期来看，SiC基MOSFET发展潜力巨大，值得期待。

本文由电子发烧友综合报道，内容参考自rohm、IT之家，转载请注明以上来源。