芯片巨头台积电开始备战1nm技术

在高精度工艺时代，高端EUV***的数量在很大程度上决定着专业晶圆代工厂的产能。因此，台积电、三星等巨头都不惜成本地斥巨资，抢购年产量有限的高端***。

12月29日，中国芯片巨头台积电传来新消息，为了新制程做准备，正在筹集更多的资金，向荷兰***巨头ASML购买更多更先进制程的EUV***。

大量采购EUV***之前，台积电就陆续透露出有关5nm以下先进工艺的研发进度。

据台媒经济日报透露，台积电已经研发出全新的多桥通道场效电晶体架构（MBCFET），该架构会被应用于台积电2nm工艺。

如果在现有传统鳍式场效电晶体（FinFET）架构的基础上，继续提升工艺精度的话，会因为制程的微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。

因此，台积电研发出多桥通道场效电晶体架构，能够更好地增强栅极对沟道的控制能力，有效减少漏电情况。

值得一提的是，台积电还表示，摩尔定律仍将适用于1nm，且该公司已经对1nm工艺展开研究。此外，目前台积电正在为2nm之后的先进制程持续觅地。

不过，虽然台积电利用新材料解决了芯片工艺的摩尔定律延续问题，但目前能够量产的EUV***，却无法与台积电的3nm及以下工艺做到精度匹配。

因此，台积电对ASML的EUV***也提出更高的要求。

既然台积电都做到了延续摩尔定律，作为垄断全球的ASML，自然也能够进一步提升高端***的精度。

据了解，ASML已经联手IMEC公司展开了对下一代高分辨率EUV***技术——高NA EUV***技术的商业化应用。

IMEC透露，ASML方面已经完成了NXE：5000系列高NA EUV曝光系统的基本设计，预计2022年左右就能够实现商业化。

资料显示，这类高NA EUV***，对于2nm及一下超精细工艺的研发相当重要。这显然是台积电、三星的刚需设备。

虽然该设备的商业化时间距离现在为时尚早，但考虑到此类高端设备量产初期，年产量可能极为有限、且三星也在旁虎视眈眈的情况，台积电不得不提前订购。

可见，台积电已经开始备战1nm技术，但台积电对手三星，却还需要为应用全新GAA技术的3nm能否顺利量产而担忧。
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