晶合集成发布110nm-LP MCU工艺平台

2020年12月，合肥晶合集成电路股份有限公司（以下简称“晶合集成”）与矽成积体电路股份有限公司（以下简称“ISSI”）、成都锐成芯微科技股份有限公司（以下简称“锐成芯微”）联合推出110nm-AL MCU 全平台解决方案（图1）。该平台为晶合集成“显像微电”（显示器驱动、图像传感、微控制器、电源管理）四大特色工艺中重要的“微”一环。

嵌入式闪存（110LP-eFlash）：基于110nm LP 1.5V/5V 低功耗逻辑工艺的嵌入式闪存平台。面向容量介于16KB/32KB-256KB，擦写次数大于100K次的MCU应用。采用ISSI第二代架构 2T-pFlash （pFusion®） 的记忆体模块，搭配锐成芯微的全套低功耗模拟IP方案：

1）NVM IP：ISSI pFusion® 第二代架构。在第一代架构低功耗、高速度、高抗干扰能力及高可靠性的基础上，显著提升可靠性的工艺窗口（图2），特别适用于高可靠性需求的工规及车规应用；客制化的pFusion®模块允许同时存在不同大小的擦除区块，提升系统配置弹性，满足客戶多种应用场景需求。

2）模拟IP：锐成芯微的全套低功耗模拟IP方案具有卓越的静态功耗（nA级），极大降低了芯片在待机模式下的整体功耗。在功耗、性能和成本上实现极佳平衡，可以广泛应用於MCU、IoT， smart card，wireless、power meters以及车规系统。2020年晶合集成成功导入多家嵌入式闪存客户产品验证并于12月进入投片量产。

MTP（110LP-MTP）：基于110nm LP 1.5V/5V 低功耗逻辑工艺的MTP（Multiple-Time Programming）平台。面向容量1KB-16KB/32KB，擦写次数介于10次-10K次的MCU应用。锐成芯微的LogicFlash® IP 提供业界最小的MTP IP。具有擦写次数大于10K次， 高温数据保存大于10年，高速读写及低芯片测试成本等优势，满足低成本高性能MCU的应用需求，可广泛应用于工业和家电类产品，例如锂电池供电的物联网、智能家居、智能穿戴类应用。目前已经成功导入客户并进入投片量产。

晶合集成的110nm全铝后段12寸生产线可为客户在MCU及低功耗SOC产品提供更具市场竞争力的代工业务和更优质的技术服务。为了更好满足客户产品日益增长的更新迭代需求，到2022年，晶合集成还将在55nm逻辑工艺基础上推出55nm嵌入式闪存工艺平台，进一步为客户提供128KB-1MB高性能MCU平台解决方案。

关于合肥晶合集成电路股份有限公司

合肥晶合集成电路股份有限公司（简称“晶合集成”）成立于2015年5月，专注于半导体晶圆生产代工服务。截至2020年11月产能突破3万片/月，实现了在手机面板驱动芯片代工领域领先的目标。晶合集成初期的主要产品为面板驱动芯片，后续将以客户需求为导向，结合平板显示、汽车电子、家用电器、工业控制、人工智能、物联网等产业发展趋势，进一步拓展微控制器（MCU）、CMOS图像传感器（CIS）、电源管理（PMIC） 、人工智能物联网（AIoT）等不同应用领域芯片代工，矢志成为中国最卓越的集成电路专业制造公司之一。

关于矽成积体电路股份有限公司

矽成积体电路股份有限公司（简称“ISSI”）成立于1988年，是一家技术领先的集成电路设计企业。公司专注于汽车电子、网络通信、工控医疗及数字消费电子四个领域，为此设计开发高性能IC芯片，主要产品包括DRAM、SRAM、FLASH及混合模拟信号产品。除此之外，矽成也拥有独立自主研发的embedded flash（pFusion）智财权（IP），透过技术授权于各大芯片代工厂及设计公司，量产工艺从180nm到55nm，累计的出货片数远大于一百万片晶圆；以第三方的e-flash IP 来说，目前是属于世界领先的供应商之一。

关于成都锐成芯微科技股份有限公司

锐成芯微成立于2011年，是一家专注于集成电路IP核技术研发及服务的国家高新技术企业，总部位于成都，在国内多地设有分支机构。锐成芯微是国内领先的同时拥有超低功耗模拟IP技术、高可靠性嵌入式存储IP技术、高性能RF技术和高速数据传输IP技术的企业，目前已与国内外20多家晶圆代工厂开展合作，产品覆盖从14/16nm到180nm的CMOS， BiCMOS， BCD， SiGe， HV，FinFET，FD-SOI等几十个工艺制程，累计开发IP 500多项，国内外申请专利超200件，服务全球300多家集成电路设计企业，产品广 泛应用于物联网、智能家居、汽车电子、智慧电源、可穿戴、医疗电子、工业控制等领域。
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