0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

研究机构预计NAND闪存在2021年全年都将持续下滑

璟琰乀 来源:TechWeb.com.cn 作者:海蓝 2020-12-15 18:04 次阅读

据国外媒体报道,从8月份开始,外媒在报道中就多次提到全球范围内NAND闪存供应过剩,价格将下滑,下滑的趋势将持续到明年。

而研究机构在最新的报告中预计,NAND闪存的平均销售价格,在明年一季度将环比下滑10%到15%,在2021年全年都将持续下滑。

从研究机构的报告来看,NAND闪存的平均销售价格在明年一季度环比下滑,很大程度上还是受供过于求影响。研究机构在报告中表示,NAND闪存的产量,在明年一季度将增长6%,市场供应量会更高。

研究机构在报道中表示,三星、SK海力士、英特尔和长江存储,在明年一季度都将会提高NAND闪存的产量,这将加剧整个行业的供给过剩。

与NAND闪存的平均销售价格在明年一季度还将下滑10%-15%、全年将持续下滑不同,研究机构预计另一大存储产品,也就是DRAM的平均销售价格,在明年一季度就将停止下滑,并还有上涨的可能。

DRAM的平均销售价格在明年一季度有可能上涨,是因为研究机构认为市场在过去几周对库存进行了调整,目前买家也有意提高库存水平。

责任编辑:haq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 闪存
    +关注

    关注

    16

    文章

    1688

    浏览量

    114234
  • ANAD
    +关注

    关注

    0

    文章

    2

    浏览量

    13458
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星即将量产290层V-NAND闪存

    据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND(3D NAND闪存芯片。
    的头像 发表于 04-17 15:06 250次阅读

    三星电子即将开启290层V9 NAND芯片量产

    市场研究机构Omdia的最新预测显示,尽管NAND闪存市场在2023年经历了下滑,但预计今年将迎来强劲反弹,增长率高达38.1%。
    的头像 发表于 04-12 15:27 542次阅读

    一文解析NAND闪存接口ONFI

    ONFI 由100多家制造、设计或使用 NAND 闪存的公司组成的行业工作组,其中包括主要成员如 Intel 和镁光。该工作组旨在简化将 NAND 闪存集成到消费电子产品、计算平台以及
    发表于 04-03 12:26 509次阅读
    一文解析<b class='flag-5'>NAND</b>的<b class='flag-5'>闪存</b>接口ONFI

    三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

    三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存
    的头像 发表于 03-14 15:35 283次阅读

    Tech Talk:解读闪存原理与颗粒类型

    NAND闪存作为如今各种电子设备中常见的非易失性存储器,存在于固态硬盘(SSD)、USB闪存驱动器和智能手机存储等器件。而随着电脑终端、企业存储、数据中心、甚至汽车配件等应用场景要求的
    的头像 发表于 02-05 18:01 513次阅读
    Tech Talk:解读<b class='flag-5'>闪存</b>原理与颗粒类型

    机构:汽车销量持续增长,促使中国MEMS传感器加快研发

      【机构:汽车销量持续增长,促使中国MEMS传感器加快研发】 研究机构表示,随着中国汽车销量持续增长,以及汽车智能系统的发展,汽车制造商对MEMS微传感器的要求也在快速增加。这促使中
    的头像 发表于 10-07 09:40 392次阅读

    壁仞科技再次得到全球知名职场文化权威研究机构认可

    继获得“2022年大中华区最佳职场”称号后,壁仞科技凭借其聚焦协作、创新和凝聚力的“工程师职场文化”,获得了“2023年亚洲最佳职场”的称号,再次得到全球知名职场文化权威研究机构认可
    的头像 发表于 09-06 10:12 472次阅读

    三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

    三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-
    发表于 08-21 18:30 321次阅读

    三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

    三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为,三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中
    的头像 发表于 08-16 10:23 457次阅读

    NAND闪存内部结构解析

    NAND闪存是一种电压原件,靠其内存电压来存储数据。
    发表于 07-12 09:43 1552次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>闪存</b>内部结构解析

    三星:2030年3D NAND将进入1000层以上

     三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
    的头像 发表于 07-04 17:03 1860次阅读

    开放NAND闪存接口ONFI介绍

    本文转自公众号,欢迎关注 开放NAND闪存接口ONFI介绍 (qq.com) 一.前言   ONFI即 Open NAND Flash Interface, 开放NAND
    的头像 发表于 06-21 17:36 6735次阅读
    开放<b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>闪存</b>接口ONFI介绍

    NAND闪存特点及决定因素

    内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND
    的头像 发表于 06-10 17:21 2039次阅读

    2023年SiC衬底市场将持续强劲增长

    研究机构TECHCET日前预测,尽管全球经济普遍放缓,但2023年SiC衬底市场将持续强劲增长。
    发表于 06-08 10:12 454次阅读
    2023年SiC衬底市场将<b class='flag-5'>持续</b>强劲增长

    2022营收31.88亿,国产模拟 IC 头部企业持续扩充品类促发展

    全球各下游仍在消化库存,预计 2023 全球 IC 市场规模将同比下滑 5.6%。作为全球 IC 制造和需求的重要地区,中国 IC 市场近年来逐年上涨,每年增速均快于全球增速。 虽然中国是最大的模拟
    发表于 06-02 14:06