Redmi Note 9全系列首发UFS 2.2高速闪存
Redmi Note 9系列于11月26日晚正式发布。
作为Redmi Note系列新成员，Redmi Note 9系列除了首发一亿像素三星HM2、高通骁龙750G处理器之外，还全系首发了UFS 2.2闪存。
今天，小米集团中国区总裁、Redmi品牌总经理表示，千元价位产品多采用UFS 2.1闪存，顺序写速度约为250MB/s。
而Redmi Note 9全系首发UFS 2.2高速闪存，支持Write Turbo，顺序写入可达500+MB/s，速度翻倍，UFS 2.2将是中端手机性能的又一分水岭。
我们用Redmi Note 9 Pro和Redmi Note 8 Pro做了一个10GB大文件拷贝对比，如图所示使用UFS 2.2闪存的Redmi Note 9 Pro仅用时26秒就拷贝完毕，而Redmi Note 8 Pro用了79秒，前者速度是后者的3倍。
目前Redmi Note 9系列已经开启预售，5G标准版6GB+128GB售价1299元，8GB+128GB版售价1499元，8GB+256GB版售价1699元。
Redmi Note 9 Pro 6GB+128GB版售价1599元，8GB+128GB版售价1799元，8GB+256GB版售价1999元。
责任编辑:pj
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
处理器
+关注
关注
68文章
20333浏览量
255024 -
三星电子
+关注
关注
34文章
15896浏览量
183226 -
Redmi
+关注
关注
2文章
622浏览量
27399
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
探索COP8CBR9/COP8CCR9/COP8CDR9 8位CMOS闪存微控制器
™特性核心设备，具备32k闪存存储器以及一系列先进特性，如虚拟EEPROM、A/D转换器、高速定时器、USART和掉电复位等。这款单芯片CMOS设备适用于需要全功能、可在系统内重新编程
攻克UFS 4.1高速烧录核心，抢占AI与高端存储赛道
本文聚焦Hilomax禾洛半导体UFS 4.1高速烧录核心技术突破，详解其在物理层、协议层的技术创新，核心亮点为64GB芯片21秒烧录、3000MB/s UFS烧录速度及160万颗月产能，分析
CFMS | MemoryS 2026峰会：闪迪展出UFS4.1新品及全场景闪存解决方案
先进闪存存储技术加速AI从云到端的全面应用 2026年3月27日，上海 – 全球闪存及先进存储技术的创新企业Sandisk闪迪公司（Nasdaq：SNDK）于今日携旗下全面的闪存解决方案，包括其首款
闪迪携UFS4.1新品及全场景闪存解决方案亮相CFMS | MemoryS 2026
先进闪存存储技术加速AI从云到端的全面应用 2026年3月27日，上海 – 全球闪存及先进存储技术的创新企业Sandisk闪迪公司（Nasdaq：SNDK）于今日携旗下全面的闪存解决方案，包括其
Infinix正式发布全新年度旗舰NOTE 60系列
近日，Infinix正式发布全新年度旗舰NOTE 60系列，包括NOTE 60 Pro与NOTE 60，开启为全球用户打造高端科技体验的新篇章。作为Infinix旗舰征程中的重要里程碑
铠侠UFS 5.0嵌入式闪存出样
2月24日，铠侠于官网宣布为下一代移动应用提供UFS 5.0嵌入式闪存样品。 评估样品基于公司为UFS 5.0自主研发的主控和铠侠第八代BiCS FLASH™闪存，容量可选512GB和
UFS 5.0存储标准即将完成！
，同时保持与UFS 4.x硬件的兼容性。 UFS提供高性能、低功耗的嵌入式存储，非常适合在需要提高功耗的应用中使用。这包括计算和移动系统，如智能手机和可穿戴设备，以及在汽车应用边缘计算和游戏控制台中日益扩大的角色。其高速串行
双UFS4.1 4Lane，速度可达8.6GB/s，大型文件读写速率提升达70%+
电子发烧友网综合报道，日前，vivo产品经理韩伯啸曝光vivo X300 Pro硬件相关细节。信息显示，全新的vivo X300 Pro顶配版本全球首发双UFS4.1 4Lane，速度可达8.6GB
江波龙自研UFS4.1主控芯片，顺序读取速率高达4350MB/s，性能对标主流产品
Controller WM6000，UFS2.2 Controller WM7200，UFS3.1 Controller WM7300以及UFS4.1 Controller WM7400等。 目前江波龙各
MediaTek芯片助力REDMI Note 15 Pro性能升级
REDMI Note15 Pro新一代小金刚震撼来袭！真抗摔、真防水、长续航，旗舰体验全配齐，为你刷新体验天花板。
Kioxia推出UFS 4.1版本嵌入式闪存设备样品
全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布，已开始提供全新的通用闪存存储(2) (UFS) 4.1版本嵌入式存储设备样品，进一步巩固其在高性能存储领域的领先地位。这些新设
紫光闪芯邀您相约2025全球闪存峰会
2025年7月9日，FMW2025全球闪存峰会即将在南京上演！紫光闪芯C9展位将携企业级、消费级SSD及全系列闪存产品亮相，硬核科技直接拉满
SK海力士UFS 4.1来了，基于321层1Tb TLC 4D NAND闪存
电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1
评论