Snapdragon的875将采用5纳米节点的制造
高通技术峰会计划于12月1日开始，该公司将发布其下一代旗舰智能手机芯片组-高通Snapdragon875。现在，在正式宣布发布的几周前，即将发布的SoC的详细信息已在网上泄露。
一个新的报告来自中国声称，Snapdragon的875将采用5纳米节点的制造。值得注意的是，这不是新信息，因为它早些时候已经被揭示出来。此外，由于已经发布了Apple A14 Bionic和华为HiSilicon Kirin 9000，因此它将不是第一个使用5nm工艺制造的芯片组。
报告显示，即将推出的八核芯片组将配备一个时钟频率为2.84GHz的超大内核，三个时钟频率为2.42GHz的Cortex-A78内核以及四个时钟频率为1.8GHz的Cortex-A55内核。据说还包装了Adreno 660 GPU，以增强图形性能。
以前，有报道称，对于SD875芯片组，高通公司选择了“超大尺寸”内核，即Cortex-X1，据称其性能比Cortex-A78提高了23%。
至于连通性支持，预计SoC将与Snapdragon X60 5G调制解调器一起提供，但是该公司是否选择使其成为集成调制解调器（与之前的产品类似）还有待观察。
就在几天前，在AnTuTu基准测试平台上发现了由Qualcomm SD875 SoC驱动的原型设备，该芯片组获得899，401分，CPU得分333，246分，GPU得分342，225分。
责任编辑：lq
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