0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

五校联合团队意外发现了单分子驻极体操控,实现了一个类铁电存储器

电子工程师 来源:芯片揭秘 作者:芯片揭秘 2020-10-25 10:09 次阅读

本期为大家介绍的是南京大学、厦门大学、中国人民大学、耶鲁大学、伦斯勒理工学院五校联合课题组制备得到的单原子存储器,课题组最初以单自旋存储为实验目标,然而未能观察到磁性存储的迹象,却意外的看到了单分子驻极体操控,实现了一个类铁电存储器。

研究背景

摩尔定律指出:每18个月,集成电路上的晶体管密度可翻一倍。这几十年来,半导体产业发展一直沿这一定律前行,这也使得最新电子设备要比之前的体积更小,性能更强。

当前微电子工艺特征尺度已经走入5nm,不久的将来必然进入原子尺度。在这一背景下,以单个原子为信息单元的存储、逻辑器件的设计就成为未来原子集成电路的关键研发内容。来自南京大学、厦门大学、中国人民大学、耶鲁大学、伦斯勒理工学院的五校联合团队近期发布了一个三端子的新原理Gd@C82单原子存储器。这是一个以单个Gd原子在C82原子笼中的位置作为信息的存储方案。

本研究工作历时四年,在本月以“A Gd@C82 single-molecule electret”( 碳82笼中钆原子的单分子驻极体)为题发表在《自然-纳米技术》(Nature Nanotechnology),南京大学张康康、张敏中、白占斌以及中国人民大学王聪为论文的共同第一作者, 来自五校的宋凤麒、季威、谢素原、史夙飞、Mark A. Reed五位教授为论文通讯作者。

基本特性

研究团队通过理论计算和实验测量发现了世界上首个单分子驻极体(electret)——Gd@C82,在驻极体被人类合成100年后将其物理尺寸压缩到极致的单分子水平(~1 nm,十亿分之一米),这是目前人类所知最小的驻极体。在过去的研究工作中,各研究团队对于单分子驻极体的研究探索一直在进行,但由于单个分子的电偶极稳定性差,这些驻极体的存在一直存在争议。

论文中报告了对Gd@C82的两个相邻电子态之间栅控切换的观测,被包围的Gd原子形成了一个电荷中心,它建立了两个单电子传输通道。在栅电压为±11V时,通过类铁电电滞回线将系统切换到两个传输通道之间。利用密度泛函理论,这两种电子态被分配给两个不同的永久电偶极方向,这些电偶极方向是由被困在C82笼内两个不同位置的Gd原子产生的。由于Gd@C82分子的正负电荷中心并不重合,使得分子中存在一个电偶极距,Gd原子位置的改变同时也是分子电偶极距的改变,类似一个单分子水平的铁电体,这也是电滞回线出现的原因。

原理与测试

在实验中,研究人员在1.6 K(约-271.55℃)的超低温下,利用电致迁移纳米间隙法,在一条约50nm宽的金属导线上制造出了一道1nm左右的间隙,并成功构造了多个Gd@C82单分子器件。

Gd@C82单分子器件结构示意图;图(a) 典型的反馈控制电迁移过程,图(b)为金电极被破坏前的SEM电镜图;图(c)电迁移后不同栅极电压Vg下的I-V曲线;图(d)微分电导dI/dV与偏置电压Vds和栅极电压Vg关系。

实验发现,该单分子器件呈现出了两套库仑振荡峰位,并且可以通过施加较大栅极电压可控的将器件调至某一套振荡峰位,即说明可以通过栅极调控分子的结构。通过这个过程可以总结得到一个类似铁电电滞回线的结果,其矫顽场大约在1 V/nm的水平。以往这一分子已经被发现存在偶极矩,所以这一单分子水平的电滞回线和矫顽场给出了单分子“铁电”物理的关键证据。

图为基于单分子器件开关的二进制存储状态模拟:图(a)中底部图为栅电压随时间的变化,上部图是沟道电流在2mV偏置电下与随时间的变化;图(b)以60s、10s和1s的时间步长表征两种分子状态的切换,这两种状态可通过控制栅压改变。

以密度泛函理论计算表征单分子驻极体:图(a)以Gd-IV和Gd-I之间的转换表示开关;图(b)-图(c)以微分电导表示零偏置电压下的有效分子轨道栅控电压;图(b)-图(d)构型 Gd-IV和Gd-I在费米能级(−5.09 eV和−5.10 eV)附近的占据态的理论密度;图(g)在不同电场作用下两种构型的跃迁路径和对应能垒。

前景展望

这是首次在单分子水平上证明了单分子驻极体的存在,并实现了存储功能的验证,也是当前已知报告中的最小驻极体。本研究以两个不同的原子位置可以用来编码信息,为未来存储器件小型化提供一种方案,展现出作为一个新兴研究方向的潜力。国内的科研团队能够主导和参与如此前沿的工作中,令人感到振奋,当然,从产业化角度而言,小编认为,存储器相对逻辑电路进程进展要更为缓慢,以先进制程必要的EUV光刻机为例,尚未在存储器产线上全面应用,因此本研究成果要在产业中发挥作用还需要等待一段时间,到实际产品还需要领域内的团队持续突破难题,为成果的产业化铺平道路。

论文全文链接:

https://www.nature.com/articles/s41565-020-00778-z

责任编辑:xj

原文标题:科研前线 | 五校联合团队发现首个单分子驻极体,在单原子存储器研究领域获突破

文章出处:【微信公众号:芯片揭秘】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 存储器
    +关注

    关注

    38

    文章

    7154

    浏览量

    162040
  • 分子
    +关注

    关注

    0

    文章

    24

    浏览量

    12438
  • 驻极体
    +关注

    关注

    0

    文章

    12

    浏览量

    12824

原文标题:科研前线 | 五校联合团队发现首个单分子驻极体,在单原子存储器研究领域获突破

文章出处:【微信号:ICxpjm,微信公众号:芯片揭秘】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    STM32F103DMA模块存储器存储器可以实现循环吗?

    STM32F103 参考手册中循环模式部分描述:DMA模块存储器存储器不能与循环模式同时使用。但是经过实际测试,是可以实现循环的,请问怎么理解这句话呢?
    发表于 04-02 06:23

    如何设置STM32G070在工作电源降低到2.7V以下就复位停机?

    我有应用设计,MCU用的是STM32G070rbt6芯片,外扩存储器FRAM。STM
    发表于 03-13 08:04

    如何使用SCR XRAM作为程序存储器和数据存储器

    1) 允许物理内存(即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问 如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据
    发表于 01-30 08:18

    解决柜空调出风口漏水的小技巧分享

    ,可能会造成柜内电器件的损坏。 这不昨天在更换一个进口线柜内西门子控制主板时,打开柜门发现了
    发表于 11-09 07:09

    单片机的存储器从物理上可划分为4存储空间,其存储器的空间范围是多少?

    单片机的存储器从物理上可划分为4存储空间,其存储器的空间范围是多少?
    发表于 11-01 06:20

    AT89C52怎么选择外部存储器

    大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器,我之前用的是P89V51,选择外部存储器是定义AUXR=0x02;,但是现在想用AT89C52单片,程序该怎么改了啊??AT89C52手​​册上找不到怎么选择外部
    发表于 10-26 06:11

    怎么使用AT32 MCU的SPIM作为外部存储器的扩展功能

    AT32 SPIM Application Note描述怎么使用AT32 MCU的SPIM作为外部存储器的扩展功能。
    发表于 10-24 08:03

    如何挂载RK3568的SPI FRAM存储芯片

    对于做快速存储采集数据类产品的用户来说,在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失,这种情况下有很多种解决方案,存储器(FRAM) 就是
    发表于 10-19 09:28

    STM32H7系列内部存储器保护的纠错码(ECC)管理

    本文档介绍 STM32H7 系列微控制上纠错码(ECC)的管理和实现。本应用笔记针对保护内部存储器内容的 ECC 机制,描述与之相关的
    发表于 09-08 07:31

    AXI内部存储器接口的功能

    库的慢-慢工艺点对块进行合成,以200 MHz的目标速度确认时序特性。 接口存储器端口上的信号符合RAM编译为TSMC CL013G工艺技术生产的端口同步存储器组件所要求的时序要求
    发表于 08-21 06:55

    PrimeCell AHB SRAM/NOR存储器控制(PL241)技术参考手册

    可访问外部存储器的AHB端口。AHB端口具有到内存控制的桥接接口。有单独的AHB端口用于配置内存控制。SMC的特定配置被实例化以针对
    发表于 08-02 07:14

    PrimeCell AHB SDR和NAND存储器控制(PL242)技术参考手册

    (SMC)。AHB MC有四可访问外部存储器的AHB端口。每个AHB端口都有到内存控制的桥接接口。有
    发表于 08-02 06:26

    吡啶环分子器件电子输运特性研究

    利用分子器件实现传统电子元件的基本功能已被认为是分子电子学的研究目标,因而该研究领域备受关注,并发现了许多有趣的物理特性,如分子整流、
    的头像 发表于 06-05 16:16 468次阅读
    吡啶环<b class='flag-5'>分子</b>器件电子输运特性研究

    单板硬件设计:存储器( NAND FLASH)

    EEPROM的变种,变成了一类存储器的统称。 狭义的EEPROM: 这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的种EEPROM,掉电
    发表于 05-19 15:59

    WeMos mini在意外短路后死机怎么解决?

    出了点小意外,使 WeMos 上的 5v 端子短路。希望有保险丝,但没有这样的运气。我确实发现了烧毁的开路内联二极管。用 1n4001 替换它,
    发表于 05-10 09:48