0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

以SURGE测试中通讯端口防护器件损坏为例,进行损坏机理等分析说明

电磁兼容EMC 来源:电磁兼容EMC 作者:电磁兼容EMC 2020-10-14 15:51 次阅读

1.引言

独学而无友,则孤陋而寡闻。

本文以SURGE测试中通讯端口防护器件损坏为例,进行损坏机理分析、不同测试方法带来的影响分析、不同应用场景的测试方法选择,以及SURGE防护设计中的注意点等内容进行分析说明。

2.背景介绍

某机车控制器的通讯端口进行±1KV等级的SURGE测试,出现通讯端口防护器件TVS管损坏情况。

3.系统组网

组网:某机车控制器(EUT),通过CAN通讯线与AE设备连接,互连线长度10m;

测试端口:CAN端口,±1KV,阻抗42Ω;

端口防护说明:EUT侧CAN端口TVS管防护①;AE侧CAN端口TVS管防护②;EUT侧15V电源对地跨接电容C和TVS管③;AE侧对地无跨接防护④;

端口注入方法:断开与AE相连的CAN-H和CAN-L,但A-GND保持与AE设备相连。

接地说明:CAN参考地为A-GND,AE设备的通讯参考与电源的参考地为A-GND,AE由EUT的DC15V供电,DC15V的参考地为P-GND。测试组网如图1所示。

图1组网图

实验现象:在多次SURGE测试中发现, EUT端口TVS管被打坏,但并不是每次试验都能复现,试验次数越多,越容易复现。

4.TVS管损坏的机理分析

4.1SURGE干扰的路径分析

CAN电路的参考地为A-GND,AE设备的电源参考地为A-GND ,EUT的15V电源地为P-GND,因EUT的DC15V给AE进行供电,使得A-GND与P-GND进行了互连,且P-GND对PE有跨接TVS管和电容,使得SURGE噪声沿着低阻抗路径流到大地。

SURGE噪声干扰路径:SURGE发生器→CDN的Zin→通讯TVS1管→通讯线地线Zline→电源地线Zline→对PE跨接电容C1和TVS3管→PE,如下图2所示。

图2SURGE噪声回路示意图

4.2SURGE噪声频谱分析

4.2.1SURGE的波形

根据IEC61000-4-5 2019标准中SURGE的典型开路电压波形参数为1.2/50us。参见图3所示:

图3 SURGE发生器开路电压波形

4.2.2SURGE的频谱特性分析

IEC61000-4-5中描述SURGE的BW带宽是指频域波形的下降沿斜率开始达到-60dB/十倍频程时的频率带宽。SURGE电压波形波前时间短,包含的频带较宽,SURGE的BW达到了2MHz,但主要能量集中在频率较低的频段,幅值频谱分析表明SURGE呈现低频特征(50KHz→-40dB),参见图4所示。

图4 Voltage surge (1,2/50 µs): spectral response with ∆f = 3,333 kHz

4.3TVS 管损坏分析

4.3.1TVS管损坏模式

TVS管损坏模式有两种:

(1)单次能量超过额定功率

TVS的标称功率是极短时间内对TVS 施加的单次脉冲能量,施加的噪声波形能量大于额定功率时,会导致TVS管过流烧毁,呈现短路失效模式。

(2)积累的能量超过上限值

实际测试中施加的噪声波形通常是重复地出现,使得短时间积累的能量超过上限值,TVS管就会损坏,呈现短路失效模式。

4.3.2TVS管中的SURGE电流分析

(1)TVS管参数对比

TVS1和TVS2管型号均为PESD1CAN,其Ipp为3A,20uf脉冲功率为200W,50us脉宽功率约为130W;TVS3管的型号为SD05C,其Ipp为24A,20uf脉冲功率为350W,50us的脉冲脉宽功率约为210W。TVS3的功率和通流能力优于TVS1。TVS参数表参见表1。

表1 TVS规格参数表

(2)噪声回路参数

根据图3的路径分析及表1参数表,可计算出回路阻抗参数参见下表2。

表2 回路阻抗参数

符号 参数 线路阻抗
(在TVS1管最大3A下进行计算)
含义
Zin 42Ω 2Ω差模+40Ω共模 信号线注入阻抗
Zline 3.1Ω Zline=10m*1uH/m*2π*50KHz=3.1Ω 线路阻抗1uH/m
Zc1 32Ω Zc1=1/(2π*50KHz*0.1uf=31.8Ω 对地跨接电容C1,噪声频率50KHz
ZTVS1 23.3Ω ZTVS1=70V/3A=23.3Ω,型号PESD1CAN(NXP) CAN电路保护TVS管
ZTVS3 2.7Ω ZTVS3=8V/3A=2.7Ω,型号SD05C 对地跨接TVS

(3) 回路SURGE电流计算:

在TVS1管最大3A阻抗条件下计算分析:

Isurge=Vsurge/(Zin+ZTVS1// ZTVS1+2*Zline+Zc1//ZTVS3)=16A

在TVS1管短路失效条件下计算:

Isurge= Vsurge/(Zin+2*Zline+Zc1//ZTVS3)=19.7A

SURGE噪声在回路中的电流范围在16A~19.7A之间,流过CAN-H和CAN-L的TVS管电流各为8A-9.85A左右,超过了TVS1的最大Ipp(3A),但小于TVS3的Ipp(24A)。从计算分析可知,TVS1承受超额SURGE电流,有较大的损坏风险。

4.4实验验证

4.4.1TVS管阻抗测定

万用表对TVS1和TVS 3管进行实验前后的阻抗测定,参见表3。

在多次实验后,TVS1管的阻抗越来越小,最终失效短路。

表3 TVS管阻抗测定

TVS1 TVS3
试验次数 阻抗值 试验次数 阻抗值
实验前 开路 实验前 开路
一次SURGE实验 65Ω 一次SURGE实验 开路
二次SURGE实验 16Ω 二次SURGE实验 开路
三次SURGE实验 0.1Ω 三次SURGE实验 开路

4.4.2SURGE实验波形抓取

SURGE实测噪声回路电流峰值19.2A,脉宽55.3us,CAN-H和CAN-L的TVS1管个分流9.6A,与理论计算相匹配,验证分析的准确性。实测波形参见图5。

图5 回路噪声电流

4.5TVS管损坏的机理分析小结

(1)15V参考地P-GND与CAN的参考地A-GND连接到一起,使得SURGE噪声可以通过P-GND的对地跨接流到大地;

(2)SURGE的噪声带宽可达到2MHz,但一般能量集中在低频段50KHz左右;

(3)TVS管损损坏模式有两种,超额定或多次能量叠加导致的短路损坏,本文为典型超额定而导致的RVS管损坏。

(4)噪声回路的SURGE电流理论计算与实测相对应,结合理论计算可帮助产品在前期理论模型阶段的防护器件设计选型。

5.从产品端解决方案分析

综合以上分析,从产品端解决CAN通讯口TVS管损坏问题,就是要改变噪声回路阻抗分布。方法有三种,参见表4。

表4 整改设计方法分析表

整改设计方法 可落地措施 备注
提高TVS管的耐流能力 将TVS1管替换成TVS3 结电容变大17pf→350pf,会影响通讯信号质量
提高P-GND与PE的阻抗 去掉对地跨接TVS管
将TVS管变为1MΩ电阻
地电位差防护变差
噪声回路的线路去耦 线路地线去耦 改变通讯地阻抗,有共地阻抗风险

6.从测试端解决方案分析

SURGE测试不同实验方法如下表5所示。

表5不同的测试方法

业界对CAN、485、232等通讯电路是否为平衡线对有不同的看法,导致使用不同的CDN,产生不同的测试结果。

(1)对称线的定义:

差模到共模转换损耗大于20DB的平衡对线,一般由芯片厂家确定。

(2)CND非对称注入:

A-GND进行了去耦,老板标准中为20mH,50KHz阻抗为6.28KΩ,回路SURGE电流为约0.3A,TVS管正常工作。

(3)CND对称注入

标准中没有对A-GND是否连接进行说明,然而一般A-GND实验时时默认连接的,只对对称线线进行注入实验。

A-GND不接:SURGE回路噪声电流为0.15A左右。

A-GND接:与初始测试结果一直,无改善。

(4)组网CAN端口直接注入

通过组网连接,使得AE设备对SURGE噪声电流分流,但每个TVS管子电流约为4.8A,超过最大Ipp,存在损坏风险。

综上对测试方法的说明,解决方案有二:

不接A-GND,进行CDN注入;

按照非对称进行注入;

7.不同测试方法的应用分析

各企业在SURGE的非屏蔽通讯端口测试中,以IEC61000-4-5为基础,进行了各自的适应性测试方法改善。主要有三种方式,参见表6所示。

表6 SURGE 非屏蔽通讯端口测试方法

EMC测试要结合产品的实际应用场景,来定制适合的测试方法,才能真正的在设计端规避产品的使用风险,三种测试方法的应用场景如下:

①利用CDN的共模阻抗,进行非组网的通讯端口注入测试

主要应用在低要求场合,只要防护器件不损坏就可以,如二次供水。

②利用CDN的共模阻抗,进行组网的通讯端口注入测试

主要应用在高要求,考量系统对SURGE的抗扰性,而非单体产品本身,要求通讯不能出错,如生产线。

③按照标准推荐,将CDN串入通讯线中进行测试

将EUT与AE进行隔离,主要为认证测试的应用。

8.思考与启示

(1)TVS管损坏原因为噪声回路阻抗过低,使得SURGE电流过大,TVS管超限值而损坏,可以选用功率大而结电容相对较小的TVS管;

(2)增大对PE的阻抗,可以去掉跨接TVS管,或减小跨接电容,或串跨接电阻等方法,提升阻抗值,使得SURGE电压大部分加在跨接阻抗上;

(3)产品设计要进行噪声路径分析和SURGE电流估算,指导阻抗分配与器件的选型。

需要结合产品的实际应用场景,来选择测试方法,不要完全照搬标准要求,而缺乏系统化分析。

责任编辑:xj

原文标题:浪涌测试中通讯端口TVS管损坏机理分析

文章出处:【微信公众号:电磁兼容EMC】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 通讯
    +关注

    关注

    9

    文章

    840

    浏览量

    34365
  • 端口
    +关注

    关注

    4

    文章

    820

    浏览量

    31588
  • 浪涌测试
    +关注

    关注

    2

    文章

    11

    浏览量

    13785

原文标题:浪涌测试中通讯端口TVS管损坏机理分析

文章出处:【微信号:EMC_EMI,微信公众号:电磁兼容EMC】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    IGBT损坏原因分析

    在高压600V,额定电流10A的压缩机电机控制,IGBT经常烧坏,主要有哪些原因导致它损坏
    发表于 02-22 17:58

    mos管损坏的原因分析

    Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常见的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。然而,在实际应用中,MOS管可能会因为各种原因而损坏。本文将对MOS管损坏的原因
    的头像 发表于 12-28 16:09 673次阅读
    mos管<b class='flag-5'>损坏</b>的原因<b class='flag-5'>分析</b>

    光耦损坏对输出的影响 光耦损坏有哪些现象 怎样测试光耦元件的好坏

    光耦损坏对输出的影响 光耦损坏都有哪些现象 怎样测试光耦元件的好坏? 光耦是一种用于隔离电路的元件,主要用于将输入信号从一个电路传输到另一个电路,同时实现电路之间的电气隔离。光耦损坏
    的头像 发表于 12-25 14:04 827次阅读

    判断同步电机损坏的方法

    电机质量上,我对此提出异议。建议将视线转移到对励磁系统的分析上;事实证明,电机修理厂在电机返修对其重点部位进行了种种加强措施,甚至于提高了绝缘等级,但效果并不显著。损坏事故仍不断出现
    发表于 12-22 06:05

    同步电机损坏的原因分析

    转移到对励磁系统的分析上;事实证明,电机修理厂在电机返修对其重点部位进行了种种加强措施,甚至于提高了绝缘等级,但效果并不显著。损坏事故仍不断出现。
    发表于 12-19 06:39

    损坏器件不要丢,要做失效分析

    损坏器件不要丢,要做失效分析
    的头像 发表于 11-23 09:04 209次阅读
    <b class='flag-5'>损坏</b>的<b class='flag-5'>器件</b>不要丢,要做失效<b class='flag-5'>分析</b>!

    光耦损坏故障原因有哪些 光耦怎么测好坏?

    光耦损坏故障原因有哪些 光耦怎么测好坏? 光耦(Opto-Coupler)是一种将光电设备和电子设备相互隔离或耦合的器件,它通常由发光二极管(LED)和光敏三极管(光电二极管或光敏三极管)组成
    的头像 发表于 11-20 16:16 3314次阅读

    在储存温度下工作器件是否会损坏

    如果器件的最高工作温度85℃,器件的储存温度125℃,请教此器件如果在通电状态下,且温度达到120℃,此时
    发表于 11-17 13:24

    维修静电计6514-模拟端口损坏最新案例

    近日某院校送修吉时利静电计6514,客户反馈静电计单独用6514测量电流电荷显示在电脑软件上都有问题,有一个跟量程一致的偏置,对仪器进行初步检测,测试发现模拟端口损坏,确定与客户描述故
    的头像 发表于 10-26 09:14 240次阅读
    维修静电计6514-模拟<b class='flag-5'>端口</b><b class='flag-5'>损坏</b>最新案例

    是德B1500A半导体器件参数分析仪维修电源损坏无法开机

    近日某院校送修是德半导体器件参数分析仪B1500A,客户反馈半导体器件参数分析仪半导体器件参数分析
    的头像 发表于 09-28 16:33 606次阅读
    是德B1500A半导体<b class='flag-5'>器件</b>参数<b class='flag-5'>分析</b>仪维修电源<b class='flag-5'>损坏</b>无法开机

    元件损坏型故障的原因有哪些?

    ,对设备的可靠性和稳定性产生严重影响。本篇文章将从元器件的内部结构、使用环境等方面,详细分析元件损坏型故障的原因,希望对广大电子工程师有所帮助。 1. 元件内部结构问题 元器件内部由多
    的头像 发表于 08-29 16:46 866次阅读

    器件损坏的原因主要有两个

    器件损坏的原因主要有两个 元器件在电气设备和电子产品中起着关键的作用,但在使用过程中也容易受到损坏,导致设备或产品无法正常工作。元器件
    的头像 发表于 08-29 16:46 1483次阅读

    轴承损坏原因分析

    将针对轴承的损坏原因进行详尽、详实、细致的分析,以期对轴承的维护和修理提供一些帮助。 1. 润滑不良 轴承的润滑是保证其正常运转的重要条件。一旦润滑不良,会使轴承处于干摩擦状态,造成轴承加剧磨损和过早失效。造成轴
    的头像 发表于 08-29 16:46 1967次阅读

    电子元器件损坏的原因有哪些?

    器件损坏的原因是多方面的,下面我们从几个不同的角度来分析电子元器件损坏的原因。 1. 环境因素 环境因素是电子元
    的头像 发表于 08-29 16:29 2221次阅读

    LPCXpresso55S28上虚拟COM端口上的TX数据损坏是什么原因造成的?

    。起初我以为这是我的代码的错误。然而,然后我尝试将单独的 USB 转串口电缆直接连接到 P8,并使用 P1 上的跳线禁用板载接口。数据损坏消失了。 因此,似乎是开发板的 USB 虚拟 COM 端口功能导致了数据
    发表于 06-07 08:30