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LED驱动电源设计需要注意的几个问题

454398 来源:罗姆半导体社区 作者:罗姆半导体社区 2023-01-31 17:59 次阅读

来源:罗姆半导体社区

一、LED电流

电流的大小直接影响着LED使用寿命,建议降额使用。特别是LED散热效果不好的话,电流的使用要留有余量。

二、芯片发热

这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压),所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低c、v和f。如果c、v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件(注意不要引入额外的功耗)。


三、功率管发热

功率管的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗。要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损耗要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:

1、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右,2N60的cgs为350pF左右,5N60的cgs为1200pF左右,差别太大了。选择功率管时,够用就可以了。

2、剩下的就是频率和芯片驱动能力了,这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比,所以功率管发热时,首先要想想是不是频率选择的有点高。不过要注意,当频率降低时,为了得到相同的负载能力,峰值电流必然要变大或者电感也变大,这都有可能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流够大,可以考虑将CCM(连续电流模式)改变成DCM(非连续电流模式),这样就需要增加一个负载电容了。


四、工作频率降频
这个也是用户在调试过程中比较常见的现象,降频主要由两个方面导致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。对于前者,注意不要将负载电压设置得太高;虽然负载电压高,效率会高点。对于后者,可以尝试以下几个方面:

1、将最小电流设置的再小点;

2、布线干净点,特别是sense这个关键路径;

3、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感;

4、加RC低通滤波吧,这个影响有点不好,C的一致性不好,偏差有点大。不过对于照明来说应该够了。无论如何降频没有好处,只有坏处,所以一定要解决。


五、电感或者变压器的选择

多用户反映,相同的驱动电路,用a生产的电感没有问题,用b生产的电感电流就变小了。遇到这种情况,要看看电感电流波形。有的工程师没有注意到这个现象,直接调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流,这样做可能会严重影响LED的使用寿命。

所以说,在设计前,合理的计算是必须的。如果理论计算的参数和调试参数差的有点远,要考虑是否降频和变压器是否饱和。变压器饱和时,L会变小,导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升,那么LED的峰值电流也跟着增加。在平均电流不变的前提下,只能看着光衰了。

审核编辑黄宇

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