台积电推出最新先进的逻辑制程CMOS影像感测器

8月25日，台积电总裁魏哲家在台积电技术研讨会上谈到了台积电未来的4nm工艺、3nm工艺以及全新的N12e特殊制程。

魏哲家指出，N5的升级版工艺N5P将于2021年量产。正如基于N7工艺发展出N6工艺一样，台积电还基于N5工艺发展出了N4工艺，满足下游广泛的产品需求。

据魏哲家介绍，N4在速度、功耗和密度上有所提升，并且与N5有100%的IP相容性，因而能够沿用N5既有的设计基础架构，加速产品创新，N4将于2021年第四季度开始试产。

另外，魏哲家还报告了N3工艺的进展情况。他表示，N3技术具备创新的微缩特征，与N5相比，速度可以提升15%、功率降低30%、逻辑密度增加70%，N3预计于2021年进行试产，并于2022年下半年进入量产。

魏哲家还透露，台积电正在与客户密切合作，定义N3之后的下一节点规格与进度。

值得一提的是，除了先进的逻辑制程，台积电还拥有完整的特殊制程技术，包括MEMS、CMOS影像感测器、Non-Volatile Memory （NVM）、射频、BCD power等。魏哲家表示，特殊制程在实现人机互动、人类感知和动作能力方面扮演关键角色，也因为上述能力的拓展，让各种联网设备对半导体的需求大增。如今，随身携带的边缘设备除了联网之外，还必须有更多的智慧处理大量数据，而这些联网的边缘设备所用到的半导体技术都对低功耗提出了巨大需求。

针对以上提到的低功耗需求，台积电最新推出了N12e技术，在没有牺牲速度和逻辑密度的前提下，进一步提升了电源效率。据魏哲家介绍，N12e支持超低漏电设备和超低VDD的设计，可低至0.4V以下。N12e将在智慧物联、移动设备和其他产品应用方面带来更多正面改变。
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