0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

微光刻胶技术在全球范围内为纳米压印光刻量身定制了光刻胶配方

lhl545545 来源:MEMS 作者:MEMS 2020-06-17 14:27 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

据麦姆斯咨询报道,近日,SUSS MicroTec和micro resist technology GmbH(以下简称为MRT)宣布成立合资公司,进一步推动未来新兴应用中的纳米压印光刻技术(Nanoimprint Lithography,NIL)发展。此项合作将依托SUSS Imprint Excellence Center中心逐步开展起来。

半导体领域设备和工艺解决方案供应商SUSS MicroTec,以及开发和生产创新型光刻胶和先进纳米压印材料公司MRT,近日宣布了两方在纳米压印光刻技术(NIL)方面的合作。纳米压印光刻技术是通过高保真图案转移,实现增材制造革命的关键推动力。越来越多的光子学新兴应用都在开始采用紫外纳米压印技术(UV-NIL),例如3D人脸识别和增强现实(AR)眼镜中的衍射光学元件(DOE)和其它微纳米结构,以及光学传感器、激光纳米PSS(Patterned Sapphire Substrate,图形化蓝宝石衬底)结构等。

采用紫外纳米压印技术的光学3D图案化

纳米压印光刻技术及其应用的需求正在不断变化。因此,此次合作的基本目标是了解市场最新需求,进而通过双方在工艺和材料方面的优势,合力开发出相应的解决方案,从而应对该行业不断出现的严峻挑战。

高质量压印技术基于三大核心:设备、工艺和材料。前两大核心(设备和制造工艺专业知识)目前可通过SUSS Imprint Excellence Center中心(SUSS MicroTec Lithography GmbH和SUSS MicroOptics SA联合成立)得到解决。第三大核心的加入,即纳米压印材料供应商MRT的专业化学知识,可谓是强强联合。这三大核心的结合,更好地满足了行业的高要求,同时满足了其对纳米结构复制提出的更具挑战性的需求。

“SUSS Imprint Excellence Center中心在压印设备领域以及在大规模生产环境中进行工业级工艺开发具备数十年的经验。”SUSS MicroTec首席执行官Franz Richter说道,“必须通过与光刻胶供应商和经验丰富的材料供应商建立强有力的合作关系,进一步巩固这一组合,以实现完美的纳米压印解决方案。”

参与此次合作的公司致力于以共同的目标深化合作,推动现有应用和新兴应用朝着高性能、大规模生产的方向发展。

“二十多年来,微光刻胶技术在全球范围内为纳米压印光刻量身定制了光刻胶配方。”MRT首席执行官兼创始人Gabi Grützner女士说道,“我们在聚合物化学和纳米复制工艺方面的专业知识使我们能够提供最先进的材料解决方案,解决日益增长的工业用例,其中纳米复制技术现已用于制造消费类产品。我们很高兴与联盟内的合作伙伴进行合作,因为当材料和设备完美匹配时,可以大大提高客户在工业化应用中纳米压印工艺的良率。SUSS Imprint Excellence Center中心为该技术的推广提供了绝佳机会,目前此技术组合已交付给SUSS Imprint Excellence Center中心,纳米压印光刻技术将普及给更多的工业用户使用。”
责任编辑:pj

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    336

    文章

    29977

    浏览量

    258224
  • 3D
    3D
    +关注

    关注

    9

    文章

    2990

    浏览量

    113826
  • 纳米
    +关注

    关注

    2

    文章

    723

    浏览量

    41523
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    中国打造自己的EUV光刻胶标准!

    其他工艺器件的参与才能保障芯片的高良率。   以光刻胶例,这是决定芯片 图案能否被精准 刻下来的“感光神经膜”。并且随着芯片步入 7nm及以下先进制程芯片 时代,不仅需要EUV光刻机,更需要EUV
    的头像 发表于 10-28 08:53 5834次阅读

    光刻胶剥离工艺

    光刻胶剥离工艺是半导体制造和微纳加工中的关键步骤,其核心目标是高效、精准地去除光刻胶而不损伤基底材料或已形成的结构。以下是该工艺的主要类型及实施要点:湿法剥离技术有机溶剂溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的头像 发表于 09-17 11:01 988次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离工艺

    光刻胶旋涂的重要性及厚度监测方法

    芯片制造领域的光刻工艺中,光刻胶旋涂是不可或缺的基石环节,而保障光刻胶旋涂的厚度是电路图案精度的前提。优可测薄膜厚度测量仪AF系列凭借高精度、高速度的特点,
    的头像 发表于 08-22 17:52 1387次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>旋涂的重要性及厚度监测方法

    国产光刻胶突围,日企垄断终松动

    量产到ArF浸没式验证,从树脂国产化到EUV原料突破,一场静默却浩荡的技术突围战已进入深水区。   例如在248nm波长的KrF光刻胶武汉太紫微的T150A
    的头像 发表于 07-13 07:22 5666次阅读

    行业案例|膜厚仪应用测量之光刻胶厚度测量

    光刻胶生产技术复杂、品种规格多样,电子工业集成电路制造中,对其有着极为严格的要求,而保证光刻胶产品的厚度便是其中至关重要的一环。 项目需求  本次项目旨在测量
    的头像 发表于 07-11 15:53 358次阅读
    行业案例|膜厚仪应用测量之<b class='flag-5'>光刻胶</b>厚度测量

    针对晶圆上芯片工艺的光刻胶剥离方法及白光干涉仪光刻图形的测量

    引言 晶圆上芯片制造工艺中,光刻胶剥离是承上启下的关键环节,其效果直接影响芯片性能与良率。同时,光刻图形的精确测量是保障工艺精度的重要手段。本文将介绍适用于晶圆芯片工艺的光刻胶剥离方
    的头像 发表于 06-25 10:19 726次阅读
    针对晶圆上芯片工艺的<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离方法及白光干涉仪<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    金属低蚀刻率光刻胶剥离液组合物应用及白光干涉仪光刻图形的测量

    物的应用,并探讨白光干涉仪光刻图形测量中的作用。 金属低蚀刻率光刻胶剥离液组合物 配方组成 金属低蚀刻率光刻胶剥离液组合物主要由有机溶剂、
    的头像 发表于 06-24 10:58 491次阅读
    金属低蚀刻率<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液组合物应用及白光干涉仪<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    用于 ARRAY 制程工艺的低铜腐蚀光刻胶剥离液及白光干涉仪光刻图形的测量

    至关重要。本文将介绍用于 ARRAY 制程工艺的低铜腐蚀光刻胶剥离液,并探讨白光干涉仪光刻图形测量中的应用。 用于 ARRAY 制程工艺的低铜腐蚀光刻胶剥离液
    的头像 发表于 06-18 09:56 611次阅读
    用于 ARRAY 制程工艺的低铜腐蚀<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液及白光干涉仪<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    低含量 NMF 光刻胶剥离液和制备方法及白光干涉仪光刻图形的测量

    测量对工艺优化和产品质量控制至关重要。本文将探讨低含量 NMF 光刻胶剥离液及其制备方法,并介绍白光干涉仪光刻图形测量中的应用。 低含量 NMF 光刻胶剥离液及制备方法
    的头像 发表于 06-17 10:01 597次阅读
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液和制备方法及白光干涉仪<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用及白光干涉仪光刻图形的测量

    介绍白光干涉仪光刻图形测量中的作用。 金属低刻蚀的光刻胶剥离液 配方设计 金属低刻蚀光刻胶剥离液需平衡
    的头像 发表于 06-16 09:31 515次阅读
    金属低刻蚀的<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液及其应用及白光干涉仪<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法及白光干涉仪光刻图形的测量

        引言   半导体制造领域,光刻胶剥离工艺是关键环节,但其可能对器件性能产生负面影响。同时,光刻图形的精确测量对于保证芯片制造质量至关重要。本文将探讨减少光刻胶剥离工艺影响的方
    的头像 发表于 06-14 09:42 656次阅读
    减少<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离工艺对器件性能影响的方法及白光干涉仪<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    光刻胶剥离液及其制备方法及白光干涉仪光刻图形的测量

    引言 半导体制造与微纳加工领域,光刻胶剥离液是光刻胶剥离环节的核心材料,其性能优劣直接影响光刻胶去除效果与基片质量。同时,精准测量光刻图形
    的头像 发表于 05-29 09:38 980次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液及其制备方法及白光干涉仪<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    光刻胶的类型及特性

    光刻胶类型及特性光刻胶(Photoresist),又称光致抗蚀剂,是芯片制造中光刻工艺的核心材料。其性能直接影响芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介绍
    的头像 发表于 04-29 13:59 6924次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>的类型及特性

    晶圆表面光刻胶的涂覆与刮边工艺的研究

    随着半导体器件的应用范围越来越广,晶圆制造技术也得到了快速发展。其中,光刻技术晶圆制造过程中的地位尤为重要。
    的头像 发表于 01-03 16:22 1129次阅读

    光刻胶成为半导体产业的关键材料

    光刻胶是半导体制造等领域的一种重要材料,整个电子元器件加工产业有着举足轻重的地位。 它主要由感光树脂、增感剂和溶剂等成分组成。其中,感光树脂决定光刻胶的感光度和分辨率等关键性能,增
    的头像 发表于 12-19 13:57 1788次阅读