0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

NE555驱动场效应管需要增加外围元件吗

姚小熊27 来源:电工之家 作者:电工之家 2020-06-08 17:57 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

对于NE555驱动场效应管,是否需要增加外围元件,主要需要考虑两个问题。

NE555驱动场效应管需要增加外围元件吗

第一个问题:NE555的供电电压

从上图,是用NE555驱动场效应管,控制电机转速的一个电路图。

对于场效应管的栅极(G)来说,得到的驱动电压和电流,取决于NE555的8脚,供电电压。

这是因为,NE555的3脚,高电平时的输出电压,是接近8脚的供电电压的。

第二个问题:场效应管的栅极电压

不同型号的场效应管,栅极(G)的工作电压有一定差别,还有差别的是,栅极的电容量。

因为,场效应管,是电压型驱动元件,它的控制极,栅极的特性是一个电容。

因此,栅极,就存在耐压和电容量两个参量。也可以把栅极看做是一个,有一定耐压的小容量电容。

所以,我们在驱动场效应管的时候,就要考虑栅极的驱动电压,和这个小电容的充放电的电流。

综述

从上面的电路图来看。

场效应管的栅极(G)与NE555的3脚之间,只有一个47欧姆的电阻

这个电阻就是用来控制栅极充放电电流的,如果不加,可能会产生过大的,电压上升预冲尖峰,就存在损坏栅极的风险。

有了47欧姆的限流电阻以后,电压上升的预冲就会小很多。

如果,使用的场效应管的栅极电压很低,不能承受12V的电压,那么,驱动电路,除了这个47欧姆的限流电阻,还需要,串联分压电阻,让NE555的3脚输出的,接近12V的电压,降低到场效应管栅极能够承受的电压。

总之。

在确定了NE555的供电电压,和场效应管的型号以后,要做到可靠驱动,对栅极,要合理限流,控制最高电压,同时配合示波器观察,在高频驱动时,如果有不需要的谐波产生,还需要对栅极的驱动电路,进行合理的滤波,以便达到设计的驱动特性。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 场效应管
    +关注

    关注

    47

    文章

    1294

    浏览量

    71771
  • NE555
    +关注

    关注

    19

    文章

    261

    浏览量

    60819
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    深入解析ON Semiconductor的NDT456P P-Channel场效应管

    深入解析ON Semiconductor的NDT456P P-Channel场效应管 作为电子工程师,在设计电路时,对各种电子元器件的精确了解至关重要。今天我们就来详细探讨一下
    的头像 发表于 04-20 10:10 30次阅读

    场效应管选型指南:从技术演进到应用实践的全景解读

    一、行业背景:功率半导体面临的三重挑战在智能化浪潮推动下,功率半导体元件正经历前所未有的技术变革。从新能源汽车的电驱系统到工业自动化设备的伺服控制,从消费电子的快充方案到数据中心的能效管理,场效应管
    的头像 发表于 03-07 18:06 386次阅读
    <b class='flag-5'>场效应管</b>选型指南:从技术演进到应用实践的全景解读

    德州仪器LMG1205:高频氮化镓场效应管栅极驱动器的卓越之选

    德州仪器LMG1205:高频氮化镓场效应管栅极驱动器的卓越之选 在电子工程领域,高效、高频的功率转换一直是追求的目标。随着氮化镓(GaN)技术的发展,其在功率转换应用中的优势日益凸显。而要充分发挥
    的头像 发表于 01-09 10:00 380次阅读

    中科微电:场效应管领域的创新领航者

    在半导体产业飞速发展的今天,场效应管(MOSFET)作为电子设备的核心功率控制单元,其性能直接决定了终端产品的能效、可靠性与小型化水平。中科微电作为深耕场效应管领域的高新技术企业,自成立以来便以
    的头像 发表于 11-03 16:18 979次阅读
    中科微电:<b class='flag-5'>场效应管</b>领域的创新领航者

    深度解析场效应管ZK60N50T:参数、特性与应用场景

    在电力电子领域,场效应管(MOSFET)作为核心开关器件,其性能直接决定了整机系统的效率、可靠性与成本控制。ZK60N50T作为一款典型的N沟道功率MOSFET,凭借其优异的电气参数与稳定的工作特性
    的头像 发表于 10-27 14:36 890次阅读
    深度解析<b class='flag-5'>场效应管</b>ZK60N50T:参数、特性与应用场景

    中科微电ZK60N20DG场效应管:60V/20A的高效能半导体解决方案

    在电力电子领域,场效应管(MOSFET)作为能量转换与电路控制的核心器件,其性能参数直接决定了整机系统的效率、可靠性与集成度。ZK60N20DG作为一款专注于中低压应用场景的N沟道增强型场效应管
    的头像 发表于 10-23 17:40 828次阅读
    中科微电ZK60N20DG<b class='flag-5'>场效应管</b>:60V/20A的高效能半导体解决方案

    FS8205 20V N 沟道增强型MOS场效应管技术手册

    电子发烧友网站提供《FS8205 20V N 沟道增强型MOS场效应管技术手册.pdf》资料免费下载
    发表于 09-23 15:03 2次下载

    微硕WINSOK高性能场效应管WSP4099,助力汽车仪表盘性能升级

    WINSOK推出的高性能双P沟道场效应管WSP4099凭借卓越的电气特性和紧凑的封装设计,成为提升汽车仪表盘的理想选择。一、市场趋势驱动产品需求市场趋势驱动产品需求截至2
    的头像 发表于 09-12 18:21 1398次阅读
    微硕WINSOK高性能<b class='flag-5'>场效应管</b>WSP4099,助力汽车仪表盘性能升级

    微硕WINSOK场效应管新品 助力户外音响性能升级

    场效应管WSF85P06以P沟道、60V/85A、10mΩ超低导通电阻和TO-252-2L封装,在100-800W户外音响中可同时满足‌高功率输出‌、‌环境适应性
    的头像 发表于 08-22 17:15 1492次阅读
    微硕WINSOK<b class='flag-5'>场效应管</b>新品 助力户外音响性能升级

    合科泰高压场效应管HKTD5N50的核心优势

    在工业自动化的精密控制系统中,变频器作为电机调速的核心部件,其性能直接决定了生产效率与能源消耗。合科泰半导体针对中小功率变频驱动场景,推出HKTD5N50 高压场效应管,以 500V 耐压、低导通损耗及快速开关特性,成为风机、水泵等流体控制设备的理想
    的头像 发表于 08-12 16:57 1476次阅读

    微硕WINSOK高性能场效应管,助力户外储能电源性能升级

    户外储能电源是一种便携式储能设备,能为手机、笔记本、小型家电等提供电力解决方案,广泛应用于户外活动、应急救灾和移动办公等场景。而微硕WINSOK高性能场效应管WSD45P04DN56凭借其优异的散热
    的头像 发表于 08-11 10:52 1164次阅读
    微硕WINSOK高性能<b class='flag-5'>场效应管</b>,助力户外储能电源性能升级

    贴片MOS场效应管型号如何识别?

    贴片MOS场效应管型号的识别需结合命名规则、封装特征及参数查询三方面进行,以下是具体方法: 一、型号命名规则解析 贴片MOS的型号通常由制造商标识、基本型号、功能标识、封装形式及技术参数组成,常见
    的头像 发表于 08-05 14:31 4202次阅读
    贴片MOS<b class='flag-5'>场效应管</b>型号如何识别?

    微硕WINSOK场效应管新品 助力无线充性能升级

    截至2025年,消费电子行业已成为中国无线充电器(以下简称无线充)应用的重要阵地之一。在无线充电技术快速发展的当下,无线充电器的性能和效率成为了众多厂商关注的焦点。而微硕WINSOK场效应管新品
    的头像 发表于 08-04 14:08 1103次阅读
    微硕WINSOK<b class='flag-5'>场效应管</b>新品 助力无线充性能升级

    微硕WINSOK场效应管新品,助力无刷电机性能升级!

    截至2025年,消费电子行业已成为中国无刷电机应用的重要阵地之一。在无刷电机飞速发展的今天,提升可靠性、效率和散热性能成为了场效应管(以下简称MOS)设计的重要方向。DFN5*6封装,以其优异
    的头像 发表于 07-28 15:05 1007次阅读
    微硕WINSOK<b class='flag-5'>场效应管</b>新品,助力无刷电机性能升级!

    无结场效应晶体管详解

    当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成:双极结型晶体(BJT)包含两个背靠背的PN 结,MOSFET也是如此。结型场效应晶体管(JFET) 垂直于沟道方向有一个 PN结,隧道穿透
    的头像 发表于 05-16 17:32 1601次阅读
    无结<b class='flag-5'>场效应晶体管</b>详解