晶讯自研B41全频段FBAR滤波器推出，采用独家的单晶薄膜电极技术

近日，晶讯聚震科技有限公司（简称：晶讯）在珠海正式发布了其自主研制的B41全频段FBAR滤波器及B40滤波器。据《5G对手机射频前端模组和连接性的影响-2019版》报告预测，移动设备及WiFi连接部分整体射频前端市场规模将从2017年150亿美元增长到2023年350亿美元，年复合增长率达到14%。其中作为射频前端最大市场的滤波器从2017-2023年将增长3倍左右，复合增长率达到19%。而目前射频滤波器芯片市场主要被Broadcom、Skyworks、Qorvo、村田等美日国际巨头垄断，国内自给率较低。

据晶讯介绍，本次推出的FBAR滤波器独创的单晶掺杂压电材料和单晶薄膜电极技术，可重新定义FBAR谐振器和滤波器性能，同时创新性发明一种全新的低成本晶圆级Bump-on-Via WLP封装技术。采用上述技术设计生产的SC-FBAR滤波器在支持高功率的同时可以缩小封装尺寸，拥有行业最薄的WLP封装、大带宽、高带外抑制以及低插损等优异性能。B41、B40滤波器均不需要额外的外部匹配。

此外，晶讯透露将于2020年Q3发布高性能5G n79滤波器、n77+n79同向双工器及一款低成本高性能的B3双工器；于2020年Q4发布B1+B3四工器。

晶讯成立于2017年，由行业领军人卓尔先生（Dror Hurvits）在珠海创立，是国内唯一一家拥有多项美国专利的高性能FBAR滤波器IDM制造商。晶讯已经获得9项美国发明专利授权，另有19项美国及中国专利申请正在审批中；其专利池涵盖滤波器设计、谐振器结构、封装方法及生产制造等环节；在未来的18个月内，晶讯专利数量将增加一倍。5G时代，晶讯可为手机、模组、智能终端及小型基站客户提供世界级的高性能SC-FBAR滤波器、双工器和多工器。

晶讯Dror Hurwitz的FBAR滤波器发明专利

据悉，晶讯在天津用于研发及生产的先进制程中心，是全球唯一拥有外延掺杂压电薄膜和电极薄膜能力的半导体工厂，具备出色的量产Trimming能力。晶讯目前6寸晶圆产能可达到1500片/月，并将于2020年下半年扩展至5000片/月。

值得注意的是，在国产替代大背景下，国内射频前端芯片厂商也迎来良好的发展时机。据晶讯介绍，持续的创新及知识产权积累让晶讯突破了美国和日本公司对于BAW/FBAR滤波器的专利和技术垄断，也获得了国内领先的半导体公司、产业基金和上市公司的投资。

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