近日,DigiTimes在一份报告中称,三星3nm工艺量产时间可能已经延期至2022年。
三星原计划2021年初量产3nm,但受疫情影响,三星预期时间可能已经延期至2022年,业内消息人士指出,这并非工艺制造上的延迟,而是因为EUV光刻机等关键设备在物流上的延迟所致。
三星早在去年就宣布了3nm GAE工艺,将在3nm节点放弃FinFET晶体管,转向GAA环绕栅极晶体管工艺,比7nm工艺,3nm GAE工艺号称可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%。
而三星最大对手台积电也因为疫情原因半导体装备及安装人员都无法按期完成,原计划在6月份风险试产的3nm FinFET工艺,试产时间将延期到10月份。
相应地,台积电南科18厂的3nm生产线也会顺延一个季度,原本在10月份安装设备,现在也要到2021年初了。
责任编辑:wv
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
三星电子
+关注
关注
34文章
15891浏览量
182876 -
台积电
+关注
关注
44文章
5787浏览量
174778
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
全球首款2nm芯片被曝准备量产 三星Exynos 2600
据外媒韩国媒体 ETNews 在9 月 2 日发文报道称全球首款2nm芯片被曝准备量产;三星公司已确认 Exynos 2600 将成为全球首款采用 2nm
曝三星S26拿到全球2nm芯片首发权 三星获特斯拉千亿芯片代工大单
Performance Body-bias)方案的验证。Exynos 2600是全球首款2nm手机芯片。 如果三星Exynos 2600芯片测试进展顺利,三星将立即启动量产,
三星代工大变革:2nm全力冲刺,1.4nm量产延迟至2029年
在全球半导体代工领域的激烈竞争中,三星电子的战略动向一直备受瞩目。近期,有消息传出,三星代工业务在制程技术推进方面做出重大调整,原本计划于2027年量产的1.4nm制程
回收三星S21指纹排线 适用于三星系列指纹模组
深圳帝欧电子回收三星S21指纹排线,收购适用于三星S21指纹模组。回收三星指纹排线,收购三星指纹排线,全国高价回收三星指纹排线,专业求购指纹
发表于 05-19 10:05
三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率
似乎遇到了一些问题 。
另一家韩媒《DealSite》当地时间17日报道称,自 1z nm 时期开始出现的电容漏电问题正对三星 1c nm DRAM 的开发量产造成明显影响。
发表于 04-18 10:52
千亿美元打水漂,传三星取消1.4nm晶圆代工工艺
在先进制程领域目前面临重重困难。三星 3nm(SF3)GAA 工艺自 2023 年量产以来,由于良率未达预期,至今尚未
千亿美元打水漂,传三星取消1.4nm晶圆代工工艺
在先进制程领域目前面临重重困难。三星 3nm(SF3)GAA 工艺自 2023 年量产以来,由于良率未达预期,至今尚未获得大客户订单。
台积电加大亚利桑那州厂投资,筹备量产3nm/2nm芯片
据最新消息,台积电正计划加大对美国亚利桑那州工厂的投资力度,旨在推广“美国制造”理念并扩展其生产计划。据悉,此次投资将着重于扩大生产线规模,为未来的3nm和2nm等先进工艺做准备。
三星2025年晶圆代工投资减半
工厂和华城S3工厂。尽管投资规模有所缩减,但三星在这两大工厂的项目推进上并未止步。 平泽P2工厂方面,三星计划将部分3nm生产线转换到更为先进的2n
三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟
据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以达到结束开发工作、顺利进入
三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期
。然而,尽管三星在去年底已经成功制得1c nm DRAM的良品晶粒,但整体良率并未达到预期要求,导致原定的量产计划受阻。 此次良率里程碑的延期,反映出
三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战
近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm
消息称台积电3nm、5nm和CoWoS工艺涨价,即日起效!
)计划从2025年1月起对3nm、5nm先进制程和CoWoS封装工艺进行价格调整。 先进制程2025年喊涨,最高涨幅20% 其中,对3nm、5nm

受疫情影响 三星3nm工艺量产或延期
评论