0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

中国电科碳化硅材料产业基地举行投产仪式 预计形成产值100亿元

半导体动态 来源:全球半导体观察 作者:全球半导体观察 2020-03-02 11:49 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

2月28日,中国电科(山西)碳化硅材料产业基地举行投产仪式。

中国电科党组书记、董事长熊群力指出,中国电科(山西)电子信息科技创新产业园是中国电科围绕半导体材料、装备制造产业领域在晋的战略布局。

中国电科(山西)电子信息科技创新产业园项目包括“一个中心、三个基地”。“一个中心”即中国电科(山西)三代半导体技术创新中心、“三个基地”即中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科(山西)能源产业基地。

项目达产后,预计形成产值100亿元。通过吸引上游企业,形成产业聚集效应,打造电子装备制造、三代半导体产业生态链,建成国内最大的碳化硅材料供应基地,积极推动山西经济的转型升级。

其中,本次投产的中国电科(山西)碳化硅材料产业基地将建成国内最大的碳化硅(SiC)材料供应基地。中国电科(山西)碳化硅产业基地一期项目于2019年4月1日开工建设,同年9月26日封顶。

据此前山西综改示范区消息,一期项目建筑面积2.7万平方米,能容纳600台碳化硅单晶生产炉和18万片N型晶片的加工检测能力,可形成7.5万片的碳化硅晶片产能,将彻底解决国外对我国碳化硅封锁的局面,实现完全自主可供。项目投产后将成为中国前三、世界前十的碳化硅生产企业,可实现年产值10亿元。
责任编辑:wv

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    26

    文章

    3593

    浏览量

    52785
  • 中国电科
    +关注

    关注

    0

    文章

    27

    浏览量

    10206
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    为什么说碳化硅替换硅器件正当时

    碳化硅替换传统硅基功率器件,已经不是一种趋势,而是正在发生的事实。碳化硅不仅在汽车驱动、光伏储能等高压要求领域应用,还有充电桩、PD快充适配器也已经渗透很多,超出了预期。合泰不仅深耕功率器件多年
    的头像 发表于 05-26 09:36 350次阅读
    为什么说<b class='flag-5'>碳化硅</b>替换硅器件正当时

    《氧化铝、碳化硅、氮化硅,谁才是工业陶瓷老大?》

    浪潮和产业风头来看,碳化硅无疑是时下最当红的“霸主”。它在半导体设备和新能源产业中扮演着关键角色,势头迅猛,市场规模正在快速超越。而如果从综合力学性能和应用潜力来看,氮化硅才是真正站在
    发表于 04-29 07:23

    一文看懂 | 中国华北、华东地区SiC功率器件厂商2026年最新动态【上】

    领域市占率全国第一。 2025 年 11 月,完成 B + 轮融资超 2 亿元,用于西安第二总部建设、SiC 研发及丽水封测基地扩产。 21 苏州锴威特 2026 年 3 月,申请碳化硅超结
    发表于 03-24 13:48

    技术突围与市场破局:碳化硅焚烧炉内胆的氮化硅陶瓷升级路径

    耐火材料与纯碳化硅材料面临极限挑战时,氮化硅陶瓷的技术指标为这一领域提供了更具针对性的升级方案。 一、产品细节:氮化硅陶瓷的技术优势 针对
    发表于 03-20 11:23

    总投资6亿元!气体传感器龙头四方光电建设高端传感器产业基地项目

    10月9日晚,四方光电(688665.SH)发布公告,根据公司的发展战略规划,为进一步完善公司产业布局,公司拟在武汉东湖新技术开发区光谷光电子信息产业园投资建设高端传感器产业基地,并与武汉光谷光电子信息
    的头像 发表于 10-10 19:02 1600次阅读
    总投资6<b class='flag-5'>亿元</b>!气体传感器龙头四方光电建设高端传感器<b class='flag-5'>产业基地</b>项目

    [新启航]碳化硅 TTV 厚度测量技术的未来发展趋势与创新方向

    一、引言 碳化硅(SiC)作为宽禁带半导体材料的代表,在功率器件、射频器件等领域发挥着关键作用。总厚度偏差(TTV)是衡量碳化硅衬底及外延片质量的重要指标,其精确测量对保障碳化硅器件性
    的头像 发表于 09-22 09:53 2110次阅读
    [新启航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度测量技术的未来发展趋势与创新方向

    Wolfspeed 200mm碳化硅材料产品组合开启大规模商用

    全球碳化硅 (SiC) 技术引领者 Wolfspeed 公司(美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料产品开启大规模商用。这一重要里程碑标志着 Wolfspeed 加速行业从硅向
    的头像 发表于 09-11 09:12 1859次阅读

    从衬底到外延:碳化硅材料的层级跃迁与功能分化

    碳化硅衬底和外延片是半导体产业链中的两个关键组件,尽管两者均由碳化硅材料构成,但在功能定位、制备工艺及应用场景等方面存在显著差异。以下是具体分析:定义与基础作用不同
    的头像 发表于 09-03 10:01 2648次阅读
    从衬底到外延:<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>材料</b>的层级跃迁与功能分化

    碳化硅器件的应用优势

    碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳
    的头像 发表于 08-27 16:17 2193次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的应用优势

    国内最大!长飞先进武汉基地投产,明治传感助力半导体智造升级

    近日,总投资超200亿元的长飞先进半导体基地项目正式运营投产。该项目是目前国内规模最大的碳化硅半导体基地,年产36万片6英寸
    的头像 发表于 07-22 07:33 1535次阅读
    国内最大!长飞先进武汉<b class='flag-5'>基地</b><b class='flag-5'>投产</b>,明治传感助力半导体智造升级

    碳化硅晶圆特性及切割要点

    01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以碳化硅粉末为主要原材料
    的头像 发表于 07-15 15:00 1585次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆特性及切割要点

    SiC碳化硅第三代半导体材料 | 耐高温绝缘材料应用方案

    碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷2大类,无论是作为单晶还是陶瓷,碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大千亿赛道的关键材料之一。图片来
    的头像 发表于 06-15 07:30 1916次阅读
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>第三代半导体<b class='flag-5'>材料</b> |  耐高温绝缘<b class='flag-5'>材料</b>应用方案

    碳化硅衬底厚度测量探头温漂与材料各向异性的耦合影响研究

    碳化硅衬底厚度测量中,探头温漂与材料各向异性均会影响测量精度,且二者相互作用形成耦合效应。深入研究这种耦合影响,有助于揭示测量误差根源,为优化测量探头性能提供理论支撑。 耦合影响机制分析
    的头像 发表于 06-11 09:57 968次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>衬底厚度测量探头温漂与<b class='flag-5'>材料</b>各向异性的耦合影响研究

    国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

    到IDM模式的战略转型 国产SiC碳化硅功率半导体企业发展历程诠释了中国半导体产业的转型升级路径。国产SiC碳化硅功率半导体企业创立初期采用Fabless模式,专注于 芯片设计与市场开
    的头像 发表于 06-07 06:17 1911次阅读