0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

MOS管的发热如何解决

h1654155282.3538 来源:今日头条 作者:玩转嵌入式 2020-02-12 14:16 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

功率MOS管在过较大的电流时会有发热现象,电子元器件对温度比较敏感,长期工作在高温状态下,会缩短使用寿命,所以要加快热量的散发。针对MOS管的发热情况可以考虑三个方面去解决。

1、加装散热片,扩大散热面积

功率电子元器件过大电流发热比较严重,为了提高散热效率,需要加装散热片,将热量尽快散掉。在设计之初会,结构工程师根据过电流情况,估算发热情况,并结算使用多大的散热片。以BLDC为例,所用的6个MOS管都是加装散热片的,甚至将整个外壳做成铝壳,将MOS管固定在外壳上加快散热。

2、选用导通内阻较小、过电流大的MOS管

MOS管的源极S和漏极D导通后,会有一个导通电阻Rds(ON),这个导通电阻差异较大,从几mΩ到几百mΩ不等。在设计选型时,要根据电路情况选择过电流较大、导通电阻较小的MOS管。例如,工作电流为1A,则尽量选择过电流能力大于5A的MOS管,在设计上留够余量。

3、尽量选用NMOS,而不是PMOS

从生产工艺上来讲,NMOS比PMOS更占优势,因为同规格的NMOS和PMOS而言,NMOS能做到更小的内阻,且价格略便宜。也正是因为这个原因,NMOS比PMOS使用更加广泛。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOS管
    +关注

    关注

    111

    文章

    2813

    浏览量

    77870
  • 功率MOS管
    +关注

    关注

    3

    文章

    14

    浏览量

    6975
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    高可靠性 MOS 应用案例与选型要点

    应用。主板与工控板供电应用应用场景:CPU供电、内存供电、接口降压电路工作方式:作为高频开关,配合PWM控制实现稳定调压案例价值:低导通内阻MOS可降低发热、提升转
    的头像 发表于 04-14 11:55 113次阅读
    高可靠性 <b class='flag-5'>MOS</b> <b class='flag-5'>管</b>应用案例与选型要点

    MOS在24V无刷电机风扇应用参数详解与选型指南

    ):高侧+低侧均用N,效率高、发热低,需自举电路。2.N+P混方案(3P+3N):高侧P-MOS+低侧N-MOS,无自举、外围少、成本更
    发表于 03-30 16:29 1次下载

    N沟道MOS和 P沟道MOS怎么选?区别是什么?

    刚接触硬件设计、画PCB板的朋友,几乎都会被一个问题难住:电路里的MOS,N沟道和P沟道到底有啥区别?我该选哪个?选错MOS,轻则出现电路发热
    的头像 发表于 03-12 14:42 1150次阅读
    N沟道<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>和 P沟道<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>怎么选?区别是什么?

    MOS加下拉电阻的原因是什么?

    ​ 在电子电路设计中,MOS(金属-氧化物-半导体场效应晶体)作为核心的开关与放大器件,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换、微控制器外围电路等诸多场景。不少初学者在设计MOS
    的头像 发表于 02-27 09:37 419次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>加下拉电阻的原因是什么?

    简单讲透MOS的导通损耗

    周五技术咖时间到!对于电力电子工程师来说,MOS的导通损耗是绕不开的核心问题 —— 它直接影响设备的效率、散热设计甚至使用寿命。很多工程师在选型或电路设计时,因忽略导通损耗的细节,导致产品出现发热严重、能效不达标等问题,反
    的头像 发表于 01-16 09:07 710次阅读

    增强型MOS和耗尽型MOS之间的区别

    MOS,全称‌金属-氧化物-半导体场效应晶体‌(MOSFET),是一种通过栅极电压控制源极与漏极之间电流的半导体器件。它属于电压控制型器件,输入阻抗极高(可达10¹²Ω以上),具有低噪声、低功耗
    的头像 发表于 01-05 11:42 1233次阅读
    增强型<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>和耗尽型<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>之间的区别

    五家国产MOS

    在功率器件国产化浪潮之下,MOS(MOSFET)作为能量转化的“核心开关”,其自主可控与性能提升尤为重要。随着电动汽车、工业4.0、光伏储能及高端消费电子的飞速发展,市场对于高可靠性、高效率
    的头像 发表于 12-27 10:33 1556次阅读
    五家国产<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>

    MOS驱动电路的发热原因和解决办法

    如上图,MOS的工作状态有4种情况,分别是开通过程,导通过程,关断过程和截止过程。
    的头像 发表于 11-26 14:34 3490次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>驱动电路的<b class='flag-5'>发热</b>原因和解决办法

    合科泰如何解MOS发热问题

    MOS作为开关电源、智能家电、通信设备等高频电路中的核心器件,其工作状态直接影响系统的可靠性与寿命。在导通与关断的瞬间,MOS常经历短暂的电压与电流交叠过程,这一过程产生的开关损耗
    的头像 发表于 11-04 15:29 920次阅读

    一个经典的pwm驱动mos开关电路 #MOS #驱动 #开关 #nmos

    MOS
    微碧半导体VBsemi
    发布于 :2025年07月18日 16:42:48

    劣质 MOS 如何引爆充电宝风险? #MOS #充电宝 #安全 #召回 #电芯

    MOS
    微碧半导体VBsemi
    发布于 :2025年07月09日 17:36:57

    mos的源极和栅极短接

    MOS的源极与栅极意外短接时,可能导致电路失控,产生电流暴走、静电隐形杀手等问题。因此,必须严格遵守MOS的操作规范,避免短接事故的发生。
    的头像 发表于 06-26 09:14 2781次阅读
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>的源极和栅极短接

    功率MOS在电源管理场景下的发热原因分析

    功率MOS在电源管理场景下的发热原因分析 功率MOS在工作过程中不可避免地会产生热量,导致温度升高。当
    的头像 发表于 06-25 17:38 882次阅读
    功率<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>在电源管理场景下的<b class='flag-5'>发热</b>原因分析

    常用的mos驱动方式

    本文主要探讨了MOS驱动电路的几种常见方案,包括电源IC直接驱动、推挽电路协同加速、隔离型驱动等。电源IC直接驱动的简约哲学适合小容量MOS,但需要关注电源芯片的最大驱动峰值电流和
    的头像 发表于 06-19 09:22 1349次阅读
    常用的<b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>驱动方式

    如何准确计算 MOS 驱动电流?

    驱动电流是指用于控制MOS开关过程的电流。在MOS的驱动过程中,需要将足够的电荷注入或抽出MOS
    的头像 发表于 05-08 17:39 4871次阅读
    如何准确计算 <b class='flag-5'>MOS</b> <b class='flag-5'>管</b>驱动电流?