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长江存储将跳过96层直接投入128层闪存的研发和量产工作

半导体动态 来源:快科技 作者:上方文Q 2020-01-17 08:48 次阅读
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1月16日,长江存储召开市场合作伙伴年会,并在会前披露了闪存技术方面的一些新情报。

就在日前,长江存储确认自主研发的64层已经在去年投入量产(256Gb TLC),并正扩充产能,将尽早达成10万片晶圆的月产能规模,并按期建成30万片月产能

据长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示,长江存储64层闪存的存储密度是全球第一的,和友商96层闪存相比差距也在10%之内,并且绝非低端产品,质量有保证,是可以保证盈利的。

接下来,长江存储将跳过如今业界常见的96层,直接投入128层闪存的研发和量产工作,但暂时没有分享具体时间表。

2020年,全球闪存行业将集体奔向100+层,比如SK海力士已在近期出货128层闪存并将在年底做到176层,三星有128层、136层,西数、铠侠(原东芝存储)都是112层但存储密度更高,美光128层,Intel则会做成144层。

长江存储选择直奔128层,无疑能进一步缩小与行业先进水平的差距,但挑战性肯定也更大。

在技术创新层面,长江存储研发了自己的Xtacking堆栈架构,已经可以保证可靠性问题,下一代的Xtacking 2.0也正在推进中,会重点拓展性能、功能,也是直接上128层堆叠的重要保障。

据介绍,长江存储Xtacking架构可以实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元,有利于选择更先进的逻辑工艺,提升闪存I/O接口速度、存储密度,芯片面积也能减少约25%。

当两片晶圆各自完工后,只需一个处理步骤,就可通过数百万根垂直互联通道(VIA),将两片晶圆键合在一起。

得益于并行的、模块化的产品设计及制造,Xtacking闪存的开发时间也可缩短三个月,生产周期则可缩短20%。

责任编辑:wv

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