光电子技术转移中心集中签约达21.27亿元

12月13日，2019年武汉市第十批科技成果转化·光电子信息专场签约活动举行，30个光电子领域的科技成果转化项目进行了集中签约，签约金额达21.27亿元。

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此次签约项目涉及成果、基金、平台三个类别，包括打破国际垄断的25G高速DFB激光器芯片、被誉为下一代显示技术的Micro-LED技术、为中国处理器IP带来“自主可控”发展契机的RISC-V架构等，成果来自复旦大学、华中科技大学等。

此外，在成果转化现场，武汉光电工业技术研究院与日本静冈大学创新社会协同推进机构，达成战略合作协议，签约共建日本先进光电子技术转移中心。

双方将共同筛选所在国家和地区的优质企业和项目，提供“培训+孵化+平台+资源+投资”的一体化加速服务，推动国内外优质技术项目落地及人才交流，加速日本先进光电子技术向中国转移。

据武汉发布报道，武汉光电工业技术研究院副总经理张杰表示，日本静冈大学在光学应用与影像科学等领域极具优势，武汉光谷则具有丰富的产业化应用场景和庞大的市场。当前，尽管中国光电子产业在世界分工中占有重要一席，但在一些核心技术和上游关键材料、设备等方面，仍存在短板，需要广泛集聚海外技术流、资金流和人才流，增强我国光电子产业的国际竞争力。

武汉东湖高新区86%以上的规上企业及工业总产值出自光电子，该领域企业总数突破4万家。2012年，武汉市与华中科技大学在光谷共建武汉光电工业技术研究院，而全球创新合作，将极大促进光谷乃至中国光电子融入全球产业格局。