嵌入式存储同门三兄弟，大家都分得清吗？

近日，咱们家推出了业内最高密度8Mbit ReRAM---“MB85AS8MT”(超高密度&极低功耗，富士通全新8Mbit ReRAM让鱼和熊掌得兼)，兼具“高密度位存取”及“低读取电流”的特色，很给力有木有！熟悉富士通的小伙伴一定不会忘记独具特色的FRAM，以及最新的NRAM，嵌入式存储同门三兄弟，大家都分得清吗？

众所周知，富士通电子以读写次数几乎不受限、超低功耗和超高读写速度的FRAM存储器近年来在各种市场获得广泛应用，然而目前的硬件厂商更多针对特定任务对存储的需求日趋多样化。技术的多样性正在为各种应用带来类似 “定制化”的更优化设计选项。而嵌入式系统数据存储领域也是如此，以不同独特性能的各种存储技术正在为许多应用需求提供“定制化”的方案，其中富士通在FRAM、NRAM以及ReRAM技术上已经能够提供具有独特优势的细分化解决方案。

今天，小编就跟大家聊聊富士通新一代存储技术的这套三连“组合拳”。

近乎无限次写入数据——叱咤市场20年的FRAM

富士通自1999年开始生产FRAM，亦称为FeRAM。FRAM是一种采用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器，既可以做到像SRAM的随机读取，又具备像Flash和EEPROM一样掉电后重要数据实时保存的特点，FRAM结合了ROM和RAM的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读写周期的优点，保证10万亿次的读写次数，最适用于需要实时记录数据的测量仪表应用。

即使电源系统发生停电或骤降，写入操作中的数据也可被完整地保护下来。在如电表等基础生活有关的相关的测量仪表，以及要求有高可靠性的工业自动化设备，金融终端等应用中， FRAM 得到了非常广泛的认可和使用。

极低功耗支持频繁读取——小型化趋势的ReRAM

ReRAM亦称作可变电阻式随机存取存储器，是一种非易失性存储器，通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压，产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。其结构非常简单，两侧电极将金属氧化物包夹于中间，这简化了制造工艺，同时可实现低功耗和高速重写等卓越性能。此存储器具备行业最低读取电流,非常适用于可穿戴设备和助听器。

富士通的 ReRAM 产品易于写入操作，在写入操作之前，不需要擦除操作，并且拥有丰富的中密度存储线，涵盖4Mbit、8Mbit、32Mbit。同时，最新的ReRAM产品“MB85AS8MT”在5MHz 的读出操作最大电流仅为0.15mA，远远低于同样条件的 EEPROM (3mA@5MHz)。

可穿戴设备和小型医疗设备一直是 ReRAM 的主要市场，为了使用可穿戴和医疗设备小型化和低功耗的要求，富士通的 ReRAM 的产品也将向小型化方向发展。

高速低功耗非易失性存储——高耐久低成本的NRAM

BCC Research预计，全球NRAM市场将从2018年到2023年实现62.5%的复合年成长率(CAGR)，其中嵌入式系统市场预计将在2023年成长至2.176亿美元，CAGR高达115.3% 。

作为一个比较“新”的产品，NRAM之所以能很快引起市场的注意，与NRAM独有的优势分不开——NRAM读写的速度比较快，读写耐久性比NOR Flash高了1000倍。可靠性高，在80度时存储数据时限高达1000年，在300度时亦可达到10年。与此同时还具有低功耗的特点。此前，富士通曾与 Nantero 达成协议，使用三重富士通的 300mm 晶圆，共同开发 55nm CMOS 技术的 NRAM。

高性能的 NRAM 在众多应用领域拥有明显的竞争优势：

· 可应用于任何系统：NRAM 不但是非易失性存储器，又具有与 DRAM 同等的高速特点；

· 可实现 instant on（即开即用）功能，降低功耗的同时提高了系统的性能；

· 适应于逐渐增长的高温环境市场需求。

作为NRAM的第一代产品，16Mbit的DDR3 SPI接口产品最快将于2020年底上市，势必引发存储行业的新一轮变革。

结论：

作为已经批量生产推向市场超过20年的产品，FRAM依然是富士通存储解决方案当前的明星“花旦”，ReRAM和NRAM将为嵌入式系统存储全方位解决方案提供完美补充。简略地讲，FRAM 用于数据记录；ReRAM可替代大容量EEPROM；NRAM 用于数据记录和电码储存，还可替代NOR Flash。