10月7日,台积电宣布,其业界首款可商用的极紫外(EUV)光刻技术七纳米plus(N7+)将向客户交付产品。采用EUV技术的N7+工艺建立在台积电成功的7nm节点之上,为6nm及更先进的技术铺平了道路。
N7+的量产是有史记录以来最快之一。N7+于2019年第二季度开始量产,其产量与最初的N7工艺(已超过一年的产量)相近。
N7+还提供了改进的整体性能。与N7工艺相比,N7+的密度提高了15%至20%,并降低了功耗,这使其成为行业下一波产品越来越受欢迎的首选。台积电一直在快速部署容量以满足由多个客户驱动的N7+需求。
EUV技术使台积电能够继续推动芯片尺寸的开发,因为较短波长的EUV光能够更好地打印出先进技术设计的纳米级特征。台积电的EUV工具已达到生产成熟度,工具的可用性已达到批量生产的目标,并且在日常操作中的输出功率大于250瓦。
“随着AI和5G的不断涌现,使IC改善生活的新方法如此之多,我们的客户充满了创新的前沿设计理念,他们依靠台积电的技术和制造来使它们成为现实,”台积电业务发展副总裁张凯文博士说。“我们在EUV上的成功让台积电不仅使那些领先的设计成为可能,而且凭借我们卓越的制造能力实现了大批量交付的又一个很好的例子。”
基于其成功的经验,N7+为未来的先进工艺技术奠定了基础。台积电将在2020年第一季度将N6技术投入风险生产,并在年底之前实现量产。随着EUV的进一步应用,N6的逻辑密度将比N7高18%,并且与N7完全兼容的设计规则使客户可以大大缩短产品上市时间。
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