东芝存储公司6日宣布推出一种新的存储器(SCM)——XL-FLASH,并开始提供样品。该产品使用1位/单元SLC技术,使用96层堆叠工艺实现3D闪存BiCSFLASH的高速读写。128Gbit芯片的样品出货将于9月开始,大规模生产将于2020年开始。
XL-FLASH采用16物理平面结构,具有出色的并行处理能力,以及与现有TLC(3位/单元)BiCSFLASH相比可实现高速处理的电路技术。它实现了5μs或更短的读取延迟,速度提高了10倍,并且定位为新的存储器层次结构,填补了DRAM和NAND闪存之间的性能差异。
此外,与传统DRAM相比,该产品可降低每比特成本,并且是支持NAND闪存等大容量的非易失性存储器。东芝存储将通过XL-FLASH响应不断扩大的SCM市场的需求,包括用于数据中心和企业存储的高速SSD。
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