0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

关于高功率密度IGBT门极驱动解决方案的分析和应用

MWu2_英飞凌 来源:djl 2019-09-23 14:14 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

车用级IGBT驱动器

方案亮点:

符合高功率密度、高性价比要求;

符合功能安全的车用级双面水冷IGBT驱动器。

方案详情:

该产品针对英飞凌双面水冷IGBT模块FF400R07A01E3_S6 设计,适用于电压等级750V及以下的同类型封装的汽车级IGBT模块,安全可靠的驱动和保护IGBT模块。

驱动器基于英飞凌功能安全版本芯片1EDI2002AS进行开发设计,驱动板除具备基本的短路保护,欠压保护和有源钳位保护功能外,还增加了母线电压采样、相电压采样及NTC温度采样等功能。驱动板与上级MCU之间通过SPI通讯,使得MCU可以随时监测IGBT模块和驱动板的运行状况,并根据实时情况进行优化配置。

产品特点:

16位SPI通讯,可支持菊花链通讯模式

8位编程ADC隔离信号处理,自带增益补偿

退饱和检测保护可编程控制

可编程高级有源钳位功能

可编程式多电平关断功能

短路检测及保护功能

电流检测功能

相电压检测功能

母线电压采样

NTC温度采样

核心器件通过AEC认证

关于高功率密度IGBT门极驱动解决方案的分析和应用

原理图

样机图

性能指标:

单通道最大输出功率:2W

峰值电流:±15A

工作温度范围:-40℃~105℃

符合功能安全要求的智能型IGBT驱动器

方案亮点:

符合功能安全要求的智能型即插即用驱动器,针对英飞凌 FS820R08A6P2B模块设计。

方案详情:

该驱动器基于英飞凌高集度成的功能型门极驱动芯片1EDI2010AS所设计,具有可编程控制功能,在系统启动时可进行状态配置,运行中可实时监测IGBT模块和驱动器的工作状态,以满足汽车逆变器不同工况要求,也能最大程度优化汽车逆变器的设计要求。

内置基于菊花链连接方式的16-bit SPI。总线在系统启动时用于配置设备,在运行过程中提供状态信息反馈到逻辑控制单元。SPI是与正常PWM命令的一个并行通道,无需直接控制IGBT的开关行为。

产品特点:

标准16位SPI接口(2MBaud)和菊花链支持(原边)

可编程主动有源钳位抑制信号(次边)

可编程两级开通和关闭

驱动板和IGBT门极状态监控

可编程控制退饱和短路检测和保护

原副边欠压和过压保护功能

退饱和检测及短路保护功能

故障信号诊断功能

直流电压检测和保护

内部带温度传感器及1%高精度NTC温度检测功能

核心器件通过AEC认证

关于高功率密度IGBT门极驱动解决方案的分析和应用

原理图

样机图

性能指标:

单通道输出功率:2W

峰值驱动电流:±15A

工作温度范围:-40℃~105℃

该方案由深圳青铜剑科技股份有限公司设计开发,

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 驱动器
    +关注

    关注

    54

    文章

    9016

    浏览量

    153370
  • 可编程
    +关注

    关注

    2

    文章

    1309

    浏览量

    41331
  • 功率
    +关注

    关注

    14

    文章

    2114

    浏览量

    74917
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    深度解析NCD5703A/B/C:高性能IGBT驱动器的卓越之选

    在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双型晶体管)广泛应用于太阳能逆变器、电机控制和不间断电源等大功率应用中。而IGBT的可靠驱动对于整个系统的
    的头像 发表于 12-02 15:16 265次阅读
    深度解析NCD5703A/B/C:高性能<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>门</b><b class='flag-5'>极</b><b class='flag-5'>驱动</b>器的卓越之选

    OBC功率密度目标4kW/L,如何通过电容选型突破空间瓶颈?

    我们在设计 11kW、800V平台OBC 时,为实现 4kW/L 的功率密度目标,发现 传统牛角电容体积过大 导致布局困难,请问 永铭LKD系列 是否有满足 耐压 且 体积小 的解决方案
    发表于 12-02 09:24

    安森美NCx5710y:高性能IGBT驱动器的卓越之选

    在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双型晶体管)作为关键的功率开关器件,被广泛应用于各种功率场景。而IG
    的头像 发表于 12-01 14:24 388次阅读
    安森美NCx5710y:高性能<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>门</b><b class='flag-5'>极</b><b class='flag-5'>驱动</b>器的卓越之选

    Leadway GaN系列模块的功率密度

    场景提供高性价比的全国产解决方案。一、功率密度提升的核心逻辑材料特性突破: GaN(氮化镓)作为宽禁带半导体,电子迁移率(2000cm²/Vs)和饱和漂移速度(2.5×10⁷cm/s)远超传统硅基器件
    发表于 10-22 09:09

    SiLM2285 600V/4A高可靠性半桥驱动

    600V、4A/4A 半桥驱动SiLM2285,超强抗干扰、高效驱动边直驱设计三大核心优势,解决工业开关电源、电机拖动、新能源逆变及
    发表于 10-21 09:09

    三菱电机SiC MOSFET模块的功率密度和低损耗设计

    铁路牵引变流器作为轨道交通车辆动力系统的核心部件,正朝着高可靠性、功率密度和高效率方向发展。目前IGBT仍是铁路牵引领域的主流功率半导体器件,但是SiC MOSFET模块的应用正在加
    的头像 发表于 09-23 09:26 1897次阅读
    三菱电机SiC MOSFET模块的<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>和低损耗设计

    SiLM2285 600V/4A半桥驱动芯片 赋能工业与新能源高效升级

    可靠性、效率和功率密度的关键组件,为工业自动化和绿色能源产业的升级与发展提供了强大的驱动内核。#SiLM2285 #半桥驱动 #高压
    发表于 09-05 08:31

    SiLM228x系列SiLM2285 600V/4A半桥驱动,直击高压功率应用痛点

    升/下降时间及170ns典型传播延迟,显著降低开关损耗,提升高频应用下的转换效率和功率密度边直驱设计: 独特的浮动通道设计,支持直接驱动600V边N沟道MOSFET/
    发表于 08-08 08:46

    SiLM2004ECA-DG 200V 鲁棒性半桥驱动

    电压开关电源设计中,选择一款耐压可靠、抗干扰性强且兼容性好的半桥驱动器至关重要SiLM2004ECA-DG 正是为应对此类挑战而生的高性能解决方案。采用专有高压IC工艺和锁存免疫CMOS技术
    发表于 07-30 08:49

    攻坚高压功率驱动挑战:SiLM2285半桥驱动的技术突破与应用潜力

    高压、功率应用,如工业电机驱动、光伏逆变器、储能变流器以及大功率开关电源,一直是电力电子设计的“硬骨头”。在这些场景中,
    发表于 07-03 08:45

    新能源汽车功率密度驱动系统关键技术趋势

    一、新能源汽车功率密度驱动系统关键技术趋势开发超高功率密度电机驱动系统的驱动力在于:相同体积
    的头像 发表于 06-14 07:07 817次阅读
    新能源汽车<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>电<b class='flag-5'>驱动</b>系统关键技术趋势

    GaN驱动技术手册免费下载 氮化镓半导体功率器件驱动电路设计方案

    GaN驱动技术手册免费下载 氮化镓半导体功率器件驱动电路设计方案
    的头像 发表于 03-13 18:06 4.4w次阅读
    GaN<b class='flag-5'>驱动</b>技术手册免费下载 氮化镓半导体<b class='flag-5'>功率</b>器件<b class='flag-5'>门</b><b class='flag-5'>极</b><b class='flag-5'>驱动</b>电路设计<b class='flag-5'>方案</b>

    为SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超结MOS提供驱动芯片及驱动供电解决方案

    BASiC基本公司为SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超结MOS提供驱动芯片及驱动供电解决方案 BASiC基本公司针对多种应用场景研发推
    的头像 发表于 02-06 11:54 971次阅读
    为SiC碳化硅<b class='flag-5'>功率</b>器件全面取代<b class='flag-5'>IGBT</b>和超结MOS提供<b class='flag-5'>驱动</b>芯片及<b class='flag-5'>驱动</b>供电<b class='flag-5'>解决方案</b>

    芯干线科技出席功率密度GaN数字电源技术交流会

    芯干线与世纪电源网强强联手、倾心打造的“功率密度 GaN 数字电源技术交流会”,于近日盛大启幕!
    的头像 发表于 12-24 15:24 1205次阅读

    PD快充芯片U8608凸显功率密度优势

    PD快充芯片U8608凸显功率密度优势氮化镓芯片具备令人瞩目的功率密度特性,这意味着它可以在相对较小的尺寸上输出更大的功率。在当下众多需
    的头像 发表于 12-19 16:15 921次阅读
    PD快充芯片U8608凸显<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>优势