关于低RDS(on) 与宽安全工作区之间的联系分析

英飞凌最新推出——OptiMOS线性FET，作为市场上首次将现代沟槽MOSFET的低RDS(on)与平面MOSFET的宽安全工作区(SOA)相结合的技术，创新解决了RDS(on)与线性模式功能之间的平衡问题。

OptiMOS线性FET可在增强模式MOSFET的饱和区工作，是热插拔应用电熔丝和电池保护应用的理想解决方案，此类应用要求低导通损耗，并且必须在不降低器件性能或不损坏器件的前提下处理高启动电流能力。因此，OptiMOS线性FET最适合电信和电池管理系统（BMS）中常见的热插拔、电子熔断器和保护应用。

PART

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主要特性

低RDS(on)和宽安全工作区(SOA)的结合；

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RDS(on)比较

在RDS(on)性能上面， OptiMOS线性FET100 V 比起最佳替代产品的要降低高达58%。此外，在48V到56V的电压下（通信系统中的典型输出电压范围）测量可以得到更宽的SOA。

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安全工作区(SOA)比较

OptiMOS 5 100 V，1.7 mΩ的功率MOSFET的安全工作区为0.5 A，在相同RDS(on)上的OptiMOS线性FET版本提供11.5 A的更宽的SOA（安全工作区）(@ 54 V, 10 ms)。

较高的最大脉冲电流；

较高的连续脉冲电流；

PART02

主要优势

稳健的线性模式操作

低导通损耗

更高的冲击

PART

03

产品系列与封装

英飞凌OptiMOS线性场FET包含三个电压等级：100V、150V和200V。

它们都可采用D2PAK或D2PAK 7pin封装，这些行业标准封装兼容简易替换元件。

D2PAK封装

D2PAK 7pin封装