TL431可编程并联稳压器的高功率模拟电路简介

图1中的电路是流行的TL431可编程并联稳压器的高功率模拟。当P沟道FET的漏极接地时，这种双端电路非常方便，因为它不需要与接地散热器隔离。

图1基于TL431的并联稳压器或限幅器

然而，没有TL431的镜像模拟器，所以当你有一个正极接地时，你需要在漏极和接地散热器之间进行隔离，降低冷却性能。

图2中提出的设计理念允许使用更低的 - 在接地散热器上使用N沟道MOSFET。它还可以承受比图1更低的输入电压值。

图2基于TL431的并联稳压器或使用N沟道MOSFET的限幅器

该电路可用作高功耗的可调钳位，具有精确的电平控制和非常敏锐的回应。如果需要，镇流电阻R b 可以用保险丝代替。 响应时间不如Transil/Transzorb类型的部件快，但对于大多数应用来说，几微秒就足够了。

该电路也可用作高电流分流器监管机构虽然有稳定性警告。电路稳定，负载电容低于约1nF或高于约200μF。

电路可以轻松扩展：只需选择具有合适漏极电流的FET。已使用75A HUF75652G3和85A IRF1010N。

如果出现以下情况，则可省略齐纳二极管D2：

V G（max）> E O ×R5/（R4 + R5）

使用与TL431相同的表达式计算钳位电压：

E O = V REF （1 + R1/R2）（V REF = 2.5V）

绝对最大额定值也与TL431相同，当然除了当前。最小输入电压比单独的TL431高约0.8V。