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关于太赫兹应用下的高频器件的性能分析和介绍

弘模半导体 来源:djl 2019-09-08 11:31 次阅读
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这次在杭州电子科技大学举办的2017 MOS-AK 器件模型国际会议带来了很多高频方面的报告分享,比如法国UMS,国内的海威华芯等,在这里我们解读一篇来自于法国IMS-LAB报告,主题是在太赫兹应用下的高频器件行为表征,希望给国内作类似项目和科研工作的朋友参考。

第一部分:工作背景

太赫兹辐射是0.1~10THz的电磁辐射,从频率上看,在无线电波和光波,毫米波和红外线之间;从能量上看,在电子和光子之间,在电磁频谱上,太赫兹波段两侧的红外和微波技术已经非常成熟,但是太赫兹技术基本上还是一个空白,其原因是在此频段上,既不完全适合用光学理论来处理,也不完全适合微波的理论来研究。随着THz技术的发展,它在物理、化学、电子信息、生命科学、材料科学、天文学、大气与环境监测、通讯雷达、国家安全与反恐、等多个重要领域具有的独特优越性和巨大的应用前景逐渐显露。

关于太赫兹应用下的高频器件的性能分析和介绍

采用固态电路、尤其是集成电路技术实现太赫兹应用,无疑是THz技术走向产业化应用的最佳技术渠道;从成本角度而言,Si基固态电路技术,无疑是又是其中最具成本优势的,虽然性能上相比III/V工艺实现的THz电路要差一些。

关于太赫兹应用下的高频器件的性能分析和介绍

欧洲自1995年代以来,在SiGe HBT技术上持续投入,如今已经进入第5代、0.7 THz SiGe HBT技术时代,使其在THz电子应用中展露头角,其中典型的应用就是汽车防撞雷达。

关于太赫兹应用下的高频器件的性能分析和介绍

0.7 THz SiGeHBT 技术的开发,给汽车雷达传感器带来的影响是不言而喻的,2010年基于GaAs工艺实现,需要采用7-8颗MMIC,2014年采用第四代SiGeHBT 技术,已经可以将芯片数量减少到2个MMIC来实现,到2018年,基于第五代SiGe HBT工艺,仅需用1个MMIC即可实现完整功能。工艺的进步,同时也推动SiGe BiCMOS技术在汽车雷达市场的强劲增长。

在阐述了SiGe BiCMOS工艺应用于THz领域的广阔前景后,报告也对THz技术在成像、通信等领域的应用优势进行了展示,并给出了目前报道最高的IHP SiGe HBT器件频率特性,Fmax达到700GHz、Ft在400GHz左右。SiGe HBT工艺面向THz电路设计的应用,精确的测试和去嵌/校准方法开发,变得非常关键。

关于太赫兹应用下的高频器件的性能分析和介绍

第二部分:片内和片外校准的区别和片内校准必要性

关于太赫兹应用下的高频器件的性能分析和介绍

1. Off-Wafer校准方法:报告首先回顾了目前常见几种片外校准方法,从是否建立在直接解析分析基础上,校准结构是否尺寸固定(宽度)、以及宽频段3个方面,对几类校准方法进行了对比。并以SOLT为例(direct analytical solution, constant width, wide band) ,分析了步骤的步骤,其主要目的是:A:通过PAD OPEN,去除RF PAD的电容B:通过PAD SHORT,去除PAD连接线的电感C: 通过彻底open/short 去嵌结构,把金属层之间的电容去除,对比不同步骤下的去嵌结果,完整去嵌入具有更好的精度。

2. On-wafer 校准: 无论III/V器件衬底或是Si衬底器件的衬底特性和ISS校准件衬底特性,都不一样;采用设计在ISS基片上的校准结构对系统进行校准,和真实情况存在差异,同时也限制了校准参考面的定位(我们需要的是到器件-PAD互联结构连接处),但片外校准参考面通常只是到探针-PAD接触点。再辅以其他去嵌入测试结构时,又存在同样的问题。

关于太赫兹应用下的高频器件的性能分析和介绍

报告建议能采用TRL的方法+完整的OPEN/SHORT去嵌入结构的复合应用,来实现精确的校准和去嵌应用。从给出的实际案例来看,片内的TRL(校准和去嵌入同时实现)和SOLT(校准)+OS(去嵌)对同一个测试结构,最终实现的精度,除了在低频约10GHz范围内有一定的差别,在10GHz以上,二者几乎重合;整体误差也小于3%。

基于TRL的校准和基于SOLT的方法,二者能达到对等精度情况下,前者有更少的校准结构需求(意味着由压针、接触等引入的误差源减少),SOLT则需要更多/复杂的分析步骤(误差源增加);TRL的弱点,则主要是测试结构占据的面积过大(需要使用长、短不同的Line,实现在不同频段范围内的50 Ohm阻抗效果)。

关于太赫兹应用下的高频器件的性能分析和介绍

传统基于长短线的TRL校准件,引起的测试问题还存在于由于Line太长,通常需要把探针间距拉到和线匹配、此时探针之间的间距和实际器件测试时的间距相差很大,这在100GHz以上的测试中,由于空气、针之间的耦合等环境参数和实际测试使用距离不匹配,引起大的误差,在140GHz以上,这个误差可以很轻松的高于10%、甚至100%。

关于太赫兹应用下的高频器件的性能分析和介绍

解决这个问题一个比较好的方法,是采用蜿蜒的Line设计方式,保持信号PAD间距和实际测试结构一致,用弯折的方式设计Line、并实现宽频率范围内的50 Ohm阻抗。报告中给出的结果,也很好的验证了这一结构的实用性和精度。

关于太赫兹应用下的高频器件的性能分析和介绍

3. 3D-TRL:一种比较新颖的方法,也给大家一个非常好的提示和参考意义,也显示了3D 的魅力:-)

关于太赫兹应用下的高频器件的性能分析和介绍

第三部分: 总结

报告在最后展示了非常漂亮的数据,由于保密问题,不能和大家分享,最后报告作了非常干练的总结,也对国内太赫兹测试这块有借鉴意义:

关于太赫兹应用下的高频器件的性能分析和介绍

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