回顾关于MOS-AK北京器件模型会议邀请报告分析和发展介绍

2018年，将在清华大学举办的MOS-AK 北京器件模型会议（6月14-16日）, 大家投稿踊跃，超过了历年，目前安排20篇演讲报告。其中防辐射，高可靠性模型这块的报告有4篇， III-V族高频微波有7篇， 先进节点有3篇，器件基础原理有2 篇，电路产品应用有2篇，模型，测试平台相关的2篇。我们有幸邀请到了业界专家来分享最近的产学研成果，让大家充分认识到器件模型的核心价值。邀请报告内容覆盖模型基础，和模型相关的器件，电路和针对市场上的产品应用，感兴趣的，可以报名参会，和专家面对面交流。报名参会，请点击阅读原文。今天，我们简短分享其中的一些报告：

1. mHEMT based MMICs, Modules, and Systems for mmWave Applications

(Fraunhofer IAF &Ondosense)

文章首先从工艺角度，介绍德国Fraunhofer IAF 的HEMT 用的材料和结构来实现器件理想的沟道和外延特性，同时在沟通长短方面，IAF也会介绍成熟的50nm mHEMT以及正在研发的35nm mHEMT 和 业界领先的20nm mHEMT。对于超高频率器件的建模，电路，模块设计，都会碰到非常严峻的挑战, 报告会分别介绍在这些方面所取得的进展，同时也会带来工业界的应用解决方案，比如芯片用于定位，材料无损测试，液体监测，人体, 财产安全检测等，属于一个非常典型的产学研报告。

2. What Silicon Modelers Should Know About III-Vs for TCAD（Qorvo)

美国Qorvo的文章介绍了III-V器件如果用TCAD仿真，必须注意的几个要点。一般来说，由于III-V电路简单，生产周期短，用TCAD比较少，然而随着越来越复杂的THz电路，TCAD 也有其必要性。在做仿真的时候，需要注意以下几点：

A: III-V HBT 器件外延生长时，带入的掺杂分布和材料特性有不一致性

B: 仿真器中的材料模型参数可能和实际的材料不同

C: 异质结的导带偏移不能明确知道

D: 需要硅材料中的velocity vs. field 类似模型解决收敛问题

3. Recent development of first-principle approach for computational nanoelectronics （IOS， CAS)

半导体所的文章，首先回顾第一性原理（密度泛函理论）来计算纳米电子，通过对二维（2D）材料为基础的亚10nm晶体管的性能极限仿真来做实验，然而，对于现实晶体管，需要采用大规模算法用于模拟数千个原子系统，同时还采用第一性原理结合MARCUS电荷转移理论或输运方程研究电荷陷阱缺陷，以形成多尺度模拟可靠性退化机制，如典型MOS晶体管中的偏置温度不稳定性（BTI）和在3D NAND闪存中的横向电荷损失。最后，提出了对百万原子级别的真实器件，用未来第一性原理方法进行模拟的一些物理性展望。

PS：Compact modeling workshop Agenda （最新器件模型会议日程）

6月14日培训课程：

微信热点文章：

MOS-AK Peking 器件模型国际会议日程&邀请函

射频测试&建模培训-(MOS-AK PEKING)

欧盟项目TARANTO引发的思考

写在中兴通讯被制裁之际

On-chip ESD 资源共享

TESTCHIP的设计