今日看点：中科院院士：未来人工智能助手将取代手机;合肥120亿高端光罩项目开工

中科院院士：未来人工智能助手将取代手机

近期，图灵奖获得者、中国科学院院士、清华大学人工智能学院院长姚期智公开表示，“无论我们喜欢与否，大约在未来三到五年内，每个人都会拥有一个人工智能助手，甚至更大胆地说，每个人都会拥有‘另一个自我’，就像如今几乎每个人都带着手机一样。”姚期智认为，未来人工智能助手将取代如今的手机。
他强调，为了确保强大AI的安全发展，科学理解黑箱内部机制与统计型务实测试方法同样重要，两者缺一不可。如果人们把AI智能体视为等同于人类的主体，让其控制关键基础设施，必须非常谨慎。
 
我国芯片领域，迎来重大突破
 
近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。相关论文近日刊发于《自然-通讯》。
 
长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为是黑匣子，工业界的工艺优化只能靠反复试错，这成为制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。为破解难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域。这种方法一举解决了传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点。该研究的意义远超光刻领域本身。对于芯片产业而言，精准掌握液体中聚合物材料的微观行为，将极大地推动包括光刻、蚀刻、清洗等在内的多个先进制造关键环节的缺陷控制和良率提升，为制造性能更强、更可靠的下一代芯片铺平道路。
 
合肥120亿高端光罩项目开工

近日。总投资120亿元的安徽晶镁光罩项目在合肥高新区正式开工，标志着中国在高端光罩领域的自主可控能力迈出重要一步。光罩作为半导体产业的核心部件，被誉为“芯片之母”，过去中国高端光罩90%以上依赖进口，成为制约芯片产业发展的瓶颈。
 
安徽晶镁光罩项目用地面积约45.6亩，将专注于28nm及以上半导体光罩的研发、生产和销售。项目一期投资65亿元，计划建设全新高标准自动化产线，预计2027年投产，满产后月产能可达3200片。项目采用EBM-8000、EBM-9500等尖端设备，技术节点全面迈向28nm，将有效缓解国内高端光罩长期依赖进口的局面，提升产业链国产化水平。
 
北斗系统进入规模化应用新阶段
 
据报道，近日北斗三号卫星系统首席总设计师林宝军在接受采访时透露，我国北斗卫星导航系统（以下简称“北斗系统”）在技术升级和应用拓展方面取得显著进展，正迈向更先进、更强大、更优质的新阶段。
 
自北斗系统全球组网以来，其稳定性、精准度和连续性始终保持世界一流水平。回顾北斗一号时期，我国成功突破“双星定位”理论，实现了从无到有的区域试验。如今，北斗系统已服务全球200多个国家和地区，定位精度从十米级提升至亚米级，时间同步能力进入纳秒时代。
 
苹果超前布署iPhone18，传预购零组件DRAM
 
外媒报道，苹果开始为明年第四季上市的iPhone 18做准备。苹果已提前启动零组件采购计划，尤其是存储器芯片，已向三星电子订购1300万颗DRAM。
 
此前媒体报道仍在假定苹果未向三星电子下单的情况下，苹果预购零组件的可能行动的新闻。苹果为确保iPhone 18性能表现，抢先预购重要零组件，因此可能向三星电子下单，要求明年第二季供应1,300万颗10纳米LPDDR5X 1b DRAM，因为iPhone 18全系列将标配12GB LPDDR5X RAM。
 
专家预期苹果让iPhone 18的上市策略跟过去有所不同，即明年底先推出iPhone 18 Pro、iPhone 18 Pro Max和可折叠iPhone等高端版，然后在2027年上半年才可能推出基本款iPhone 18。
 
力芯微推出EM14DN30Z双N MOS
 
力芯微最新推出的EM14DN30Z 30V共源级双N MOS，专为手机快充设计，采用背靠背共源级双N MOS结构，能完美实现有线充电与无线充电的路径隔离，避免不同充电模式切换时的电路冲突；同时配合Switched Capacitor Direct Charger（开关电容直充技术）的GATE驱动与过压检测，直接替代传统OVP电路，既简化了设计，又提升了防护可靠性。
 
30V耐压+14A大电流，扛住高压大电流冲击作为快充电路的“核心关卡”，EM14DN30Z的漏源电压高达30V，能轻松应对主流手机快充的高压需求；同时支持最大14A通流，即便是65W、120W级别的大电流快充，也能稳定承载，避免因电流过载导致的发热或性能衰减。